半导体二极管制造技术

本发明专利技术公开一种半导体二极管，包括：半导体基底，具有第一导电型的轻掺杂区；第一重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；第二重掺杂区，位于所述轻掺杂区内且与所述第一重掺杂区直接接触，其具有所述第一导电型；第一金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第一重掺杂区直接接触；第二金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第二重掺杂区直接接触，其中所述第二金属硅化物层与所述第一金属硅化物层隔开。本发明专利技术所提出的半导体二极管可降低半导体二极管的重掺杂区的接触电阻，进而有效的减少半导体二极管的功率损失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于ー种半导体装置，且特别是有关于ー种可減少功率损失的半导体ニ极管。
技术介绍
半导体ニ极管为熟知的电子组件，其限制了电荷载子的流动方向。半导体ニ极管容许电流往预定的方向流动，且实质阻挡通往相反于预定的方向的电流。在没有ニ极管的情形下，大部分的电子装置无法进行操作。大部分惯用的半导体ニ极管为p-n接面ニ极管，其由半导体材料所构成，例如硅、神化镓(GaAs)或碳化硅(SiC)，其内具有杂质元素，用以调整其操作特性。p-n接面 ニ极管广泛使用于低电压开关、电源供应器、电源转换器及相关应用。在现有技术中，当在阴极(η侦 侧施加正电压、在阳极(P-侧)侧施加负电压时，上述P-n接面ニ极管会阻挡电流直至阴极电压高到足以发生崩溃。在反向偏压(reverse bias)的操作模式中，从阴极至阳极的电流非常低，且称其为漏电流。当在阳极侧施加正电压、在阴极侧施加负电压时，称此操作模式为正向偏压(forward bias) (ニ极管的跨电压称为正向偏压电压)。从阳极至阴极的电流随着正向偏压电压的増加而增加。因电流上升的作用，当达到阈值电压(thresholdvoltage)(或称为导通电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体二极管，包括：半导体基底，具有第一导电型的轻掺杂区；第一重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；第二重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且与所述第一重掺杂区直接接触，其具有所述第一导电型；第一金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第一重掺杂区直接接触；第二金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第二重掺杂区直接接触，其中所述第二金属硅化物层与所述第一金属硅化物层隔开。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨明宗，李东兴，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：