薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够在低温下制备出杂质含量较低的薄膜晶体管。本发明专利技术的薄膜晶体管，包括基板，设置于所述基板上的有源层，所述有源层包括源极、漏极和沟道区，所述有源层是通过在所述基板上的非晶硅层上采用原子层沉积法ALD沉积诱导金属后，热处理沉积有所述诱导金属的非晶硅层，以使所述非晶硅层产生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化所形成的，所述有源层提供源极、漏极和沟道区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
随着科技的不断进步，用户对液晶显示设备的需求日益增加，TFT-IXD(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)也成为了手机、平板电脑等产品中使用的主流显示器。此外，随着显示设备的普及，用户对高色彩质量、高对比度、高可视角度、高响应速度且低功耗的需求越来越普遍，OLED(OrganicLight-Emitting Diode,薄膜场效应晶体管有机发光二极管)显示器也开始逐渐进入用户的视野。 当前普遍应用于液晶显示产业的为非晶硅薄膜场效应晶体管，工艺已较为成熟。但由于其迁移率较低，器件尺寸较大，而且稳定性也较差，较难应用于高分辨率的TFT-LCD 和电流型驱动的 TFT-0LED 中。LTP S-TFT (Low Temperature PolycrystallineSilicon-Thin Film Transistor,低温多晶娃薄膜场效应晶体管)能够拥有较高的迁移率(通常为非晶硅的上百倍)和较好的稳定性，可以在较小的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括基板，设置于所述基板上的有源层，所述有源层包括源极、漏极和沟道区，其特征在于，所述有源层是通过对源漏极区域的非晶硅层采用原子层沉积法ALD沉积诱导金属后，热处理沉积有所述诱导金属的非晶硅层，以使所述非晶硅层产生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化所形成的。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘政，龙春平，金馝奭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：