薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够在低温下制备出杂质含量较低的薄膜晶体管。本发明专利技术的薄膜晶体管，包括基板，设置于所述基板上的有源层，所述有源层包括源极、漏极和沟道区，所述有源层是通过在所述基板上的非晶硅层上采用原子层沉积法ALD沉积诱导金属后，热处理沉积有所述诱导金属的非晶硅层，以使所述非晶硅层产生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化所形成的，所述有源层提供源极、漏极和沟道区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
随着科技的不断进步，用户对液晶显示设备的需求日益增加，TFT-IXD(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)也成为了手机、平板电脑等产品中使用的主流显示器。此外，随着显示设备的普及，用户对高色彩质量、高对比度、高可视角度、高响应速度且低功耗的需求越来越普遍，OLED(OrganicLight-Emitting Diode,薄膜场效应晶体管有机发光二极管)显示器也开始逐渐进入用户的视野。 当前普遍应用于液晶显示产业的为非晶硅薄膜场效应晶体管，工艺已较为成熟。但由于其迁移率较低，器件尺寸较大，而且稳定性也较差，较难应用于高分辨率的TFT-LCD 和电流型驱动的 TFT-0LED 中。LTP S-TFT (Low Temperature PolycrystallineSilicon-Thin Film Transistor,低温多晶娃薄膜场效应晶体管)能够拥有较高的迁移率(通常为非晶硅的上百倍)和较好的稳定性，可以在较小的器件尺寸下提供较高的驱动能力，非常适用于高分辨率的TFT-LCD和电流型驱动的TFT-0LED。更进一步的，LTPS-TFT技术还能够将显示面板外围的集成电路直接集成至显示面板的玻璃基板之上，不仅使面板更加轻薄便携，还可以提升显示器的性能，减少外围电子连接、降低成本。现有技术中，LTPS-TFT的有源层中的杂质含量很高，进而有源层中的漏电流较大，漏电流的大小直接影响到了使用薄膜晶体管的显示器件的开关特性，因此，在低温下制备杂质含量较低的薄膜晶体管成为了运营商所关注的焦点。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够在低温下制备出杂质含量较低的薄膜晶体管。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案本专利技术提供一种薄膜晶体管，包括基板，设置于所述基板上的有源层，所述有源层包括源极、漏极和沟道区，所述有源层是通过在所述形成的源漏极区域的非晶硅层采用原子层沉积法ALD沉积诱导金属后，热处理沉积有所述诱导金属的非晶硅层，以使所述非晶硅层产生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化所形成的，所述有源层提供源极、漏极和沟道区。所述的薄膜晶体管还包括栅极和栅绝缘层，所述有源层设置于所述基板与所述栅绝缘层之间，且所述栅极形成于所述栅绝缘层上。所述的薄膜晶体管还包括 设置于所述基板与所述有源层之间的缓冲层。所述的薄膜晶体管还包括栅极和栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅极，且所述有源层设置于所述栅绝缘层上。所述诱导金属至少包括镍、铜、金、银、铝、钴、铬中的一种。本专利技术还提供一种阵列基板，包括阵列形成的具有上述任意特征的薄膜晶体管。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。本专利技术还提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括有源层，所述有源层包括源极、漏极和沟道区，形成有源层包括在所述基板上形成非晶硅薄膜，并通过构图工艺形成位于有源层区域的非晶硅层； 在所述非晶硅层上采用ALD在源漏极区域沉积诱导金属；热处理沉积有所述诱导金属的非晶硅层，以使所述非晶硅层产生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化后形成有源层，所述有源层提供源极、漏极和沟道区。所述在所述基板上形成非晶硅薄膜，并通过构图工艺形成位于有源层区域的非晶硅层前，所述方法还包括 在所述基板上沉积缓冲层。沉积所述诱导金属的温度小于400°C。本专利技术提供的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，薄膜晶体管包括基板，设置于基板上的栅极和栅绝缘层，以及设置于基板上的有源层，其中，有源层是通过在基板上的非晶娃层上采用ALD (Atomic layer deposition,原子层沉积法)沉积诱导金属后，热处理沉积有诱导金属的非晶硅层，以使非晶硅层产生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化所形成的。通过该方案制备而成的有源层，一方面，由于采用ALD沉积诱导金属，因此诱导金属含量易控制，减少了有源层中的金属杂质含量，且工艺温度低，另一方面，由于通过热处理沉积有诱导金属的非晶硅层使得非晶硅层产生了金属诱导晶化和金属诱导横向晶化，因此进一步减少了有源层中的金属杂质含量，从而能够在低温下制备出杂质含量较低的薄膜晶体管。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术提供的一种薄膜晶体管结构示意图；图2为本专利技术提供的另一种薄膜晶体管结构示意图；图3为本专利技术提供的一种薄膜晶体管制作方法流程图；图4为本专利技术提供的薄膜晶体管制作过程中的一种薄膜晶体管结构示意图一；图5为本专利技术提供的薄膜晶体管制作过程中的一种薄膜晶体管结构示意图二；图6为本专利技术提供的薄膜晶体管制作过程中的一种薄膜晶体管结构示意图三；图7为本专利技术提供的薄膜晶体管制作过程中的一种薄膜晶体管结构示意图四；图8为本专利技术提供的另一种薄膜晶体管制作方法流程图9为本专利技术提供的薄膜晶体管制作过程中的另一种薄膜晶体管结构示意图一；图10为本专利技术提供的薄膜晶体管制作过程中的另一种薄膜晶体管结构示意图-* ;图11为本专利技术提供的薄膜晶体管制作过程中的另一种薄膜晶体管结构示意图_- O具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是本专利技术的“上” “下”只是参考附图对本专利技术进行说明，不作为限定用语。本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，包括基板，设置于所述基板上的栅极和栅绝缘层，其特征在于，还包括设置于所述基板上的有源层，所述有源层是通过在所述基板上的非晶硅层上采用原子层沉积法ALD沉积诱导金属后，热处理沉积有所述诱导金属的非晶硅层，以使所述非晶硅层产生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化所形成的，所述有源层提供源极、漏极和沟道区。如图I所示，本专利技术实施例提供的一种薄膜晶体管I结构可以包括基板10，由于碱玻璃中铝、钡和钠等金属杂质含量较高，容易在高温处理工艺中发生金属杂质的扩散，因此所述基板10的材料可以为无碱玻璃；设置于所述基板10上的缓冲层11，所述缓冲层11用于阻挡所述基板10中所含的杂质扩散进入有源层12中，防止对TFT元件的阈值电压和漏电流等特性产生影响；设置于所述缓冲层11上的有源层12，所述有源层12是通过在所述基板10上的非晶硅层上采用原子层沉积法ALD沉积诱导金属后，热处理沉积有所述诱导金属的非晶硅层，以使所述非晶硅层产生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化所形成的，所述有源层12提供源极120、漏极121和沟道区122 ；设置于所述缓冲层11和有源层12上的栅绝缘层13 ；设置于所述栅绝缘层13上的栅极14，所述栅极14位于所述有源层12的上方。进一步地，所述缓冲层11的材料为氧化硅和/或氮化硅。进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括基板，设置于所述基板上的有源层，所述有源层包括源极、漏极和沟道区，其特征在于，所述有源层是通过对源漏极区域的非晶硅层采用原子层沉积法ALD沉积诱导金属后，热处理沉积有所述诱导金属的非晶硅层，以使所述非晶硅层产生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化所形成的。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘政，龙春平，金馝奭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：