一种半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置，包括一基板，所述基板上设有栅极、栅极绝缘层、有源层、源极以及漏极，其中有源层包括金属氧化物半导体层、非晶硅层以及多晶硅层，金属氧化物半导体层位于与栅极绝缘层接触的一侧，非晶硅层位于与源极和漏极之间，多晶硅层位于源极和漏极下方且与非晶硅层的两侧接触。本发明专利技术还公开了该半导体装置的制造方法。本发明专利技术能降低设备投资，缩短生产周期，保证氧化物半导体层的结构不受到破坏，避免源极和漏极的金属成分渗入氧化物半导体层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及一种有源层叠层结构的半导体装置及其制造方法，用于驱动平板显示器的薄膜晶体管。
技术介绍
非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)由于性能稳定、工艺温度低和生产成本低而获得大规模的应用。然而，以a-Si TFT现有的O. 3^1cm2/Vs程度的迁移率水平，很难以120Hz、240Hz甚至480Hz驱动新一代高精细度(4KX2K)的大尺寸面板。若要进一步支持下一代“超高清(Super Hi-Vi·sion) ”平板显示，TFT的迁移率需要达到10cm2/Vs左右，如图I所示。因此，平板显示领域，特别是液晶显示领域需要新一代TFT来取代现有的a-Si TFT。低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的迁移率虽然可以做到比a_Si TFT的迁移率高出2个数量级，但制作工艺复杂，将来若不能像a-Si TFT 一样支持大型基板，就难以确保成本竞争力，大型化程度将是成败关键。用非晶态金属氧化物半导体制成的薄膜晶体管(简称氧化物TFT)，迁移率可以做到比a-Si TFT的迁移率高出I个数量级，基本满足高精细度大尺寸面板的高频驱动要求。此外，氧化物TFT的导入无需大幅改变现有的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括一基板，所述基板上设有栅极、栅极绝缘层、有源层、源极以及漏极，其中有源层包括金属氧化物半导体层、非晶硅层以及多晶硅层，金属氧化物半导体层位于与栅极绝缘层接触的一侧，非晶硅层位于与源极和漏极之间，多晶硅层位于源极和漏极下方且与非晶硅层的两侧接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马群刚，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：