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本发明公开了一种半导体装置,包括一基板,所述基板上设有栅极、栅极绝缘层、有源层、源极以及漏极,其中有源层包括金属氧化物半导体层、非晶硅层以及多晶硅层,金属氧化物半导体层位于与栅极绝缘层接触的一侧,非晶硅层位于与源极和漏极之间,多晶硅层位于源...该专利属于南京中电熊猫液晶显示科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南京中电熊猫液晶显示科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种半导体装置,包括一基板,所述基板上设有栅极、栅极绝缘层、有源层、源极以及漏极,其中有源层包括金属氧化物半导体层、非晶硅层以及多晶硅层,金属氧化物半导体层位于与栅极绝缘层接触的一侧,非晶硅层位于与源极和漏极之间,多晶硅层位于源...