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本发明公开一种半导体二极管，包括：半导体基底，具有第一导电型的轻掺杂区；第一重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；第二重掺杂区，位于所述轻掺杂区内且与所述第一重掺杂区直接接触，其具有所述第一导电型；第一金属硅...
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