【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及表面被覆膜的形成方法以及具有按照该方法形成的表面被覆膜的太 阳能电池。
技术介绍
太阳能电池是将光能转换为电能的半导体元件,有p-n接合型、pin型、Schottky 型等太阳能电池,特别是p-n接合型太阳能电池被广泛使用。上述娃结晶系太阳能电池中, 通过利用太阳光的入射光所引发的光激发而生成的少量载流子到达P-n接合面以后,从受 光面以及安装在背面的电极以大量载流子的形式向外部输出,形成电能。 太阳能电池要求高的能量转换效率,然而,通过存在于电极面以外的基板表面的 界面态,原本可作为电流输出的载流子发生再结合而流失,导致转换效率的降低。 因此,在高效率的太阳能电池中,在硅基板的表面,除了与电极的接触部外,形成 包含氮化硅(SiNx:H)膜、氧化硅(SiO 2)膜的钝化膜,通过抑制硅基板和钝化膜的界面处的 载流子再结合,以期提高转换效率。其中,作为钝化膜,设置氮化硅膜是主流。 上述氮化硅膜也可作为抑制表面反射的防反射膜来使用,用来降低太阳能电池的 光的入射损失。另一方面,在设置包含氧化硅膜的钝化膜时,从防反射性的观点出发,需要 在其外侧 ...
【技术保护点】
一种表面被覆膜的形成方法,其包括:将包含表面被覆膜形成用化合物成分和有机溶剂成分的表面被覆膜形成用组合物涂布在被覆对象母材上以形成涂布膜的涂布工序,和将所述涂布膜烧成的烧成工序,其中,所述表面被覆膜形成用化合物成分包含:含有选自Si、Ti及Zr中的元素且可溶于所述有机溶剂成分的化合物、和含有选自原子价为3的金属元素的元素且可溶于所述有机溶剂成分的化合物。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:谷津克也,上迫浩一,吉叶修平,
申请(专利权)人:东京应化工业株式会社,农工大TLO株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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