一种局部硼背场背钝化太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种局部硼背场背钝化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)选取p型单晶硅片，经前处理后在背面覆盖钝化层；(2)在钝化层上设置硼源；(3)利用激光将硼源穿过钝化层掺杂入硅基体内形成局部硼掺杂；(4)在局部硼掺杂区域上方设置含银浆料；(5)在硅片背面全部覆盖铝层，经后续处理制成局部硼背场背钝化太阳能电池。该方法能使背面金属化接触面积减小，降低背表面复合、横向电阻和接触电阻，增加电池和组件的电流开压和填充因子，提高电池和组件的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏
，具体涉及一种局部硼背场背钝化太阳能电池的制备方 法。
技术介绍
光伏技术是一门利用大面积的p-n结二极管将太阳能转化为电能的技术。这个 p-n结二极管叫做太阳能电池。制作太阳能电池的半导体材料都具有一定的禁带宽度，当太 阳能电池受到太阳辐射时，能量超过禁带宽度的光子在太阳电池中产生电子空穴对，p-n结 将电子空穴对分离，P-n结的非对称性决定了不同类型的光生载流子的流动方向，通过外部 电路连接可以向外输出功率。这跟普通的电化学电池原理类似。 工业化生产P型晶硅太阳能电池通常采用全铝背场结构，即在P型晶硅的背面整 面印刷铝浆，通过高温烧结后同时形成高浓度铝掺杂背场和铝硅欧姆接触。这种结构的缺 点是铝背场结构对背面钝化的效果有限，以及背面对未被吸收的入射光反射效果低，从而 限制了电池的电压和电流性能的提高。因此，在P型晶硅电池背表面上增加一层具有钝化 效果的薄膜，并利用局部背场可以克服以上缺点。钝化膜可以有效钝化硅材料表面，降低 光生载流子硅表面复合速率，提高少数载流子的有效寿命，从而促进太阳能电池光电转化 效率的提升。钝化膜同时具有增加背面反射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种局部硼背场背钝化太阳能电池的制备方法，其特征是包括以下步骤：(1)选取p型单晶硅片，经前处理后在背面覆盖钝化层；(2)在钝化层上设置硼源；(3)利用激光将硼源穿过钝化层掺杂入硅基体内形成局部硼掺杂；(4)在局部硼掺杂区域上方设置含银浆料；(5)在硅片背面全部覆盖铝层，经后续处理制成局部硼背场背钝化太阳能电池。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋秀林，吴兰峰，刘志锋，单伟，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32