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本发明公开了一种局部硼背场背钝化太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)选取p型单晶硅片，经前处理后在背面覆盖钝化层；(2)在钝化层上设置硼源；(3)利用激光将硼源穿过钝化层掺杂入硅基体内形成局部硼掺杂；(4)在局部硼掺杂区域上方设置含银...该专利属于晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;晶澳太阳能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;晶澳太阳能有限公司授权不得商用。