特高压大功率光控晶闸管元件管壳制造技术

本实用新型专利技术涉及一种特高压大功率光控晶闸管元件管壳，特高压大功率光控晶闸管元件管壳，包括阳极管座及与所述阳极管座对应配合的阴极管盖；所述阴极管盖能伸入阳极管座内，并与阳极管座同心分布；所述阳极管座包括同心封接的阳极电极、阳极应力环、阳极瓷环及阳极法兰，阳极应力环封接在阳极电极的外缘；阴极管盖包括阴极电极及同心封接在所述阴极电极外缘的阴极法兰；阴极电极内设有用于光触发的阴极窗口模块，所述阴极窗口模块与阴极电极同心设置；所述阳极电极的端部同心封接有芯片固定环，所述芯片固定环位于阳极瓷环内；阴极窗口模块位于芯片固定环的正上方。本实用新型专利技术结构紧凑，提高防爆性能，安装使用方便，散热效果好，稳定可靠。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶闸管元件管壳，尤其是一种特高压大功率光控晶闸管元件管壳，具体地说是一种6英寸特高压大功率光控晶闸管元件管壳，应用于特高压直流输电，属于电力电子的

技术介绍
目前，所有的高压直流输电工程都采用高电压、大电流的晶闸管。为了适应我国国民经济飞速发展的形势，随着“十一五”期间±800KV特高压直流输电示范工程通过国家电网工程验收，未来五年内国家将重点发展特高压直流输电技术，配合西南水电、西北华北煤电和风电基地开发，建设锦屏一江苏等11条特高压直流输电工程。未来5年，特高压的投资金额有望达到2700亿元。 我国在柔性直流输电
占据着当今世界电力电子技术应用的制高点。光控晶闸管(LTT)作为一种功率半导体器件是在20多年前发展起来的并应用于直流输电应用领域，其原理是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管，大功率光控触发信号是通过光缆上的半导体激光器实现的。与采用传统电触发晶闸管直流输电相比，其系统反应速度快、可控性较好、运行方式灵活，比常规直流输电能极大地减少系统短路，还能向无源电网供电，是解决大面积区域停电、实现远距离孤立送电的有效途径。目前，美国的西屋公司、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种特高压大功率光控晶闸管元件管壳，包括阳极管座（18）及与所述阳极管座（18）对应配合的阴极管盖（11）；所述阴极管盖（11）能伸入阳极管座（18）内，并与阳极管座（18）同心分布；所述阳极管座（18）包括同心封接的阳极电极（1）、阳极应力环（2）、阳极瓷环（4）及阳极法兰（5），阳极应力环（2）封接在阳极电极（1）的外缘；阴极管盖（11）包括阴极电极（7）及同心封接在所述阴极电极（7）外缘的阴极法兰（8）；阴极电极（7）内设有用于光触发的阴极窗口模块，所述阴极窗口模块与阴极电极（7）同心设置；其特征是：所述阳极电极（1）的端部同心封接有芯片固定环（6），所述芯片固定环（6）位于阳极瓷环（4...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马纲，朱萍，
申请(专利权)人：无锡天杨电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：