基于集成门极换流晶闸管的三电平模块制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力电子
，特别是关于一种基于集成门极换流晶闸管的三电平模块。
技术介绍
集成门极换流晶闸管(IntegratedGateCommutatedThyristors，IGCT)是一种高效率、可靠性高的电力半导体器件，它由门极关断晶闸管(GateTurn-offThyrisitor，GTO)发展而来。IGCT在开通时是一个门极可关断晶闸管(GTO)，而在关断时是一个晶体管，兼具晶体管开关速度快、开关损耗低和晶闸管导通损耗低、阻断电压高、输出电流大的特点，所以它集绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)的高速开关特性和GTO的高阻断电压及低导通损耗特性于一体。中点箝位(Electro-magneticInterference，NPC)三电平电路是目前最为成熟的三电平电路，具有结构简单、使用功率器件少、技术成熟可靠的优点，无需通过串联器件即可实现变频器的高压大功率输出。IGCT具有开关速度快、损耗低、阻断电压高、输出电流大等优点，将IGCT应用到中点箝位三电平电路中，其功率相模块将具有大功率的输出能力...
【技术保护点】
一种基于集成门极换流晶闸管的三电平模块，其特征在于，包括：第一相模块、第二相模块、第三相模块与压装装置，所述第一相模块、第二相模块与第三相模块均包括集成门极换流晶闸管、续流二极管、中点箝位二极管及吸收二极管，所述压装装置包括压装组件与压装框架，所述第一相模块、第二相模块与第三相模块通过所述压装组件沿所述压装框架的高度方向依次压装在所述压装框架内，所述第一相模块、第二相模块及第三相模块中的集成门极换流晶闸管沿所述压装框架的高度方向构成第一压装串，所述第一相模块、第二相模块及第三相模块中的续流二极管沿所述压装框架的高度方向构成第二压装串，所述第一相模块、第二相模块及第三相模块中...
【技术特征摘要】
1.一种基于集成门极换流晶闸管的三电平模块，其特征在于，包括：第一相模块、第二相模块、第三相模块与压装装置，所述第一相模块、第二相模块与第三相模块均包括集成门极换流晶闸管、续流二极管、中点箝位二极管及吸收二极管，所述压装装置包括压装组件与压装框架，所述第一相模块、第二相模块与第三相模块通过所述压装组件沿所述压装框架的高度方向依次压装在所述压装框架内，所述第一相模块、第二相模块及第三相模块中的集成门极换流晶闸管沿所述压装框架的高度方向构成第一压装串，所述第一相模块、第二相模块及第三相模块中的续流二极管沿所述压装框架的高度方向构成第二压装串，所述第一相模块、第二相模块及第三相模块中的中点箝位二极管和吸收二极管沿所述压装框架的高度方向构成第三压装串。2.如权利要求1所述的基于集成门极换流晶闸管的三电平模块，其特征在于，所述第一相模块、第二相模块、第三相模块的压装结构相同，所述第二相模块的摆放方向与所述第一相模块和所述第三相模块的摆放方向相反，所述第一压装串、第二压装串及第三压装串在不同模块的部分之间设有绝缘垫块。3.如权利要求1所述的基于集成门极换流晶闸管的三电平模块，其特征在于，所述压装框架包括上压板、下压板和多根支撑柱，所述多根支撑柱的两端分别穿过所述上压板和所述下压板并通过螺母紧固。4.如权利要求3所述的基于集成门极换流晶闸管的三电平模块，其特征在于，每个所述集成门极换流晶闸管、续流二极管、中点箝位二极管及吸收二极管的上下两侧均分别设有一个散热器，所述多根支撑柱包括进水支撑柱与出水支撑柱，所述散热器与所述进水支撑柱及出水支撑柱连接，所述进水支撑柱与位于所述压装框架下方的主进水管连接，所述出水支撑柱与位于所述压装框架上方的主出水管连接。5.如权利要求4所述的基于集成门极换流晶闸管的三电平模块，其特征在于，位于所述第一压装串、第二压装串及第三压装串上对应高度的散热器之间通过直线式短接母排电气连接，所述直线式短接母排在与散热器连接的区域之间设有柔性过渡区。6.如权利要求4所述的基于集成门极换流晶闸管的三电平模块，其特征在于，还包括多个第一定位结构及多个第二定位结构，所述集成门极换流晶闸管与上方紧邻的散热器通过所述第一定位结构定位在所述第一压装串中，所述第二压装串上的散热器与所述第三压装串上位于相同高度的散热器通过所述第二定位结构共同定位。7.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：马振宇，刘建平，刘少奇，许峻峰，肖磊，胡惇，罗凌波，周伟军，邹扬举，
申请(专利权)人：中车株洲电力机车研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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