【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种MOS晶体管的形成方法。
技术介绍
在集成电路制作中，隔离结构是一种重要技术，形成在半导体基底上的元件必须 与其他元件隔离。随着半导体制作技术的进步，浅沟槽隔离（Shallow化enchIsolation, STI)技术已经逐渐取代了如局部娃氧化法化OCO巧等传统半导体器件隔离方法。 现有浅沟槽隔离结构的形成方法一般包括；在高温氧化炉管内氧化晶圆（晶圆即 半导体衬底），在半导体衬底上形成垫氧化层（Pad化ide)和硬掩膜层，再蚀刻半导体衬底 形成多个分立的浅沟槽，相邻浅沟槽之间形成凸起，所述凸起顶部的娃衬底为有源区；之后 采用热氧化工艺在浅沟槽的底部及侧壁形成衬氧化层化iner)，并在所述衬氧化层上形成 用于填充浅沟槽的绝缘层；接着进行化学机械研磨（CM巧平坦化各结构表面，W硬掩膜层 作为研磨终止层，留下平坦的表面，最后再将硬掩膜层和垫氧化层去除，W形成开口，开口 底部暴露凸起上表面，W供后续工艺的制作。 后续工艺通常属于MOS晶体管的形成方法的一部分，通常包括；在形成开口之后， 在凸起上表面（即开口底部）形...
【技术保护点】
一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底中形成多个分立的浅沟槽，相邻所述浅沟槽之间的区域为有源区；在形成所述浅沟槽后，对所述硅衬底进行硅离子注入，直至形成至少位于所述浅沟槽上拐角处的富硅层；在所述硅离子注入之后，采用绝缘材料填充满所述浅沟槽，形成浅沟槽隔离结构；在所述有源区的硅衬底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曹恒，金龙灿，杨海玩，仇圣棻，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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