温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种MOS晶体管的形成方法，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底中形成多个分立的浅沟槽，相邻所述浅沟槽之间的区域为有源区；在形成所述浅沟槽后，对所述硅衬底进行硅离子注入，直至形成至少位于所述浅沟槽上拐角处的富硅层；在所述硅离子注入之后，采用绝缘材...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。