晶体管的修复方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种晶体管的修复方法和装置。一种晶体管的修复方法，用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的金属层的短路缺陷进行修复；所述修复方法包括：获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置；利用第一波长激光刻蚀掉所述短路位置上方的保护层；利用第二波长激光刻蚀掉所述短路位置区的金属层；以及利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层。上述方法针对不同层采用不同波长激光进行刻蚀，从而实现对其他层的保护。同时对通道层进行部分刻蚀，将该短路缺陷修复成正常状况，因此不会增加产品的暗点数，提高产品的良品率，减少产品报废。

Method and apparatus for repairing transistors

The invention relates to a method and a device for repairing a transistor. A method to repair the transistor, for short circuit defects of metal layer on thin film transistor source and drain in the middle of the repair; including the repair methods: short circuit position obtaining the thin film transistor source and drain metal layer between the protective layer; first wavelength laser etched above the short circuit position; by second wavelength laser etching metal layer off position region of the short circuit; and the channel layer by third wavelength laser etching part of the short circuit position below. The method uses different wavelengths of laser to etch different layers, so as to realize protection of other layers. At the same time of etching on the channel layer, the short defect restored to normal condition, so as not to increase the number of dark spots of products, improve product yield, reduce scrap.

【技术实现步骤摘要】
晶体管的修复方法和装置
本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种晶体管的修复方法和装置。
技术介绍
目前，常用的液晶显示器结构主要包括阵列基板、彩膜基板以及位于两块基板之间的液晶分子层。其中，阵列基板上设置有多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极。薄膜晶体管作为控制像素电极的开关，决定像素单元能否正常显示。在阵列基板的制作过程中，薄膜晶体管的源极和漏极在一次构图工艺中形成，但是源极和漏极中间的金属层因为制程能力较差，容易导致源极和漏极金属层通道短路。当源极和漏极金属层通道短路之后，传统短路修复方法是将该画素做成暗点。当暗点的点数超出产品规格时，就会造成产品报废。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种不会增加暗点数的薄膜晶体管的修复方法和装置。一种晶体管的修复方法，用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的金属层的短路缺陷进行修复；所述修复方法包括：获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置；利用第一波长激光刻蚀掉所述短路位置上方的保护层；所述第一波长激光为不会对所述金属层造成损伤的激光；利用第二波长激光刻蚀掉所述短路位置区的金属层；所述第二波长激光为不会对所述短路位置下方的通道层造成损伤的激光；以及利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层。在其中一个实施例中，所述利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层的步骤之后，还包括在所述短路位置填充保护层的步骤。在其中一个实施例中，填充的保护层将刻蚀掉的通道层和金属层填满；填充的保护层为绝缘树脂。在其中一个实施例中，所述第一波长激光的波长小于360nm；所述第二波长激光的波长范围为600～1800nm；所述第三波长激光的波长小于360nm。在其中一个实施例中，所述获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置的步骤为，采用自动光学检查机获取所述源极和漏极之间的金属层的短路位置。一种晶体管的修复装置，用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的金属层的短路缺陷进行修复；所述修复装置包括：获取设备，用于获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置；及刻蚀设备，用于对所述短路位置进行刻蚀；所述刻蚀设备包括第一激光刻蚀单元，用于利用第一波长激光刻蚀掉所述短路位置上方的保护层；所述第一波长激光为不会对所述金属层造成损伤的激光；第二激光刻蚀单元，用于利用第二波长激光刻蚀掉所述短路位置区的金属层，所述第二波长激光为不会对所述短路位置下方的通道层造成损伤的激光；以及第三激光刻蚀单元，用于利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层。在其中一个实施例中，所述修复装置还包括填充设备；所述填充设备用于对所述刻蚀设备刻蚀后的所述短路位置所在区域填充保护层。在其中一个实施例中，填充的保护层将刻蚀掉的通道层和金属层填满；填充的保护层为绝缘树脂。在其中一个实施例中，所述第一波长激光的波长小于360nm；所述第二波长激光的波长范围为600～1800nm；所述第三波长激光的波长小于360nm。在其中一个实施例中，所述获取设备为自动光学检查机。上述晶体管的修复方法，在获取到薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置后，通过第一波长激光对保护层进行刻蚀，第一波长激光为不会对金属层造成损伤的激光。通过第二波长激光对金属层进行刻蚀，第二波长激光为不会对通道层造成损伤的激光。并通过第三波长激光对通道层进行部分刻蚀。也即，不同层的材料采用不同波长激光进行刻蚀，因此不会伤害到其他下层的材料，从而实现对下层材料的保护。在对通道层进行刻蚀时，仅对通道层进行部分刻蚀，从而保留一部分的通道层，不会将有问题的通道层切断，因而可以将该短路缺陷修复成正常状况。因此，该处的薄膜晶体管画素就不会变为暗点，从而不会增加产品暗点数，可以提高产品的良品率，减少产品报废。附图说明图1为一实施例中的源极和漏极中间金属层短路的薄膜晶体管的结构示意图；图2为一实施例中的薄膜晶体管的修复方法的流程图；图3为图2执行S203后的薄膜晶体管的结构示意图；图4为图2执行S205后的薄膜晶体管的结构示意图；图5为图2执行S207后的薄膜晶体管的结构示意图；图6为图5中短路位置填充保护层后的薄膜晶体管的结构示意图；图7为一实施例中的薄膜晶体管的修复装置的结构框图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在阵列基板的制作过程中，晶体管，例如薄膜晶体管的源极和漏极在一次构图工艺中形成。但是源极和漏极中间的金属层因为制程能力较差，容易导致源极和漏极金属层通道短路。源极和漏极金属层通道在薄膜晶体管的四道光罩制程中，也称为第二道金属层。薄膜晶体管的第二道金属层短路时的示意图如图1所示。参见图1，该薄膜晶体管包括保护层100、第二道金属层200以及通道层300。保护层100用于保护薄膜晶体管内部结构，第二道金属层200用于刻蚀以形成源极和漏极，通道层300用于作为薄膜晶体管的导电通道。如图1所示，第二金属层200处于短路状态，从而使得该薄膜晶体管无法正常工作。本实施例中的薄膜晶体管的修复方法则用于对这种处于短路状态的薄膜晶体管进行修复，以使得其能够恢复至正常状态。图2为本实施例中的薄膜晶体管的修复方法的流程图。该薄膜晶体管的修复方法用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的第二道金属层200的短路缺陷进行修复，该方法包括如下步骤：S201，获取薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置。在本实施例中，采用标准制程中的AOI(AutomaticOpticInspection，自动光学检查机)获取薄膜晶体管的源极和漏极之间的第二道金属层200的短路位置。S203，利用第一波长激光刻蚀掉短路位置上方的保护层，第一波长激光为不会对金属层造成损伤的激光。薄膜晶体管上的保护层100为化学气相沉积而成的保护层。在本实施例中，利用第一波长激光刻蚀掉薄膜晶体管源极和漏极之间的第二道金属层200的短路位置上方的保护层100，第一波长激光为不会对第二金属层200造成损伤的激光。其中，第一波长激光的波长为λ1，λ1<360nm。波长在此范围内的激光不会对第二金属层200造成损伤。也即是刻蚀保护层100时不会对第二道金属层200造成损伤。其中，第一波长激光仅对保护层100进行刻蚀。图3为执行S203后的示意图。S205，利用第二波长激光刻蚀掉短路位置区的金属层，第二波长激光为不会对所述短路位置下方的通道层造成损伤的激光。在本实施例中，利用第二波长激光将源极和漏极之间的第二道金属层200刻蚀以形成源极和漏极。第二波长激光和第一波长激光的波长范围不存在交叠区域。第二波长激光仅对第二道金属层200进行刻蚀。在本实施例中，第二波长激光的波长为λ2，600nm<λ2<1800nm。波长在此范围内的激光不会对通道层300造成损伤。选用对第二道金属层200和通道层300具有高选择比的波长的激光作为第二波长激光，刻蚀第二道金属层200时不会对通道层300造成损伤。图4为执行S205后的示意图。S207，利用第三波长激光部分刻蚀短路位置下方的通道层。通道层300在薄膜晶体管中起到信号开启与关断的作用。通道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管的修复方法，用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的金属层的短路缺陷进行修复；其特征在于，所述修复方法包括：获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置；利用第一波长激光刻蚀掉所述短路位置上方的保护层；所述第一波长激光为不会对所述金属层造成损伤的激光；利用第二波长激光刻蚀掉所述短路位置区的金属层；所述第二波长激光为不会对所述短路位置下方的通道层造成损伤的激光；以及利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层。

【技术特征摘要】
1.一种晶体管的修复方法，用于对薄膜晶体管的源极和漏极中间的金属层的短路缺陷进行修复；其特征在于，所述修复方法包括：获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置；利用第一波长激光刻蚀掉所述短路位置上方的保护层；所述第一波长激光为不会对所述金属层造成损伤的激光；利用第二波长激光刻蚀掉所述短路位置区的金属层；所述第二波长激光为不会对所述短路位置下方的通道层造成损伤的激光；以及利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层。2.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述利用第三波长激光部分刻蚀所述短路位置下方的通道层的步骤之后，还包括在所述短路位置填充保护层的步骤。3.根据权利要求2所述的修复方法，其特征在于，填充的保护层将刻蚀掉的通道层和金属层填满；填充的保护层为绝缘树脂。4.根据权利要求1所述的修改方法，其特征在于，所述第一波长激光的波长小于360nm，所述第二波长激光的波长范围为600～1800nm；所述第三波长激光的波长小于360nm。5.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，所述获取所述薄膜晶体管的源极和漏极之间的金属层的短路位置的步骤为，采用自动光学检查机获取所述源极和漏极之间的金属层的短路位置。6.一种晶体管的修...

【专利技术属性】
技术研发人员：简重光，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44