【技术实现步骤摘要】
201610191581
【技术保护点】
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管,从下至上依次主要由衬底(101),GaN缓冲层(102),沟道层(103),势垒层(104),势垒层(104)上的源极(105)、漏极(106)和栅极(107),栅极(107)与漏极(106)之间的电荷补偿层(108),电荷补偿层(108)上的金属电极(110)以及绝缘介质(109)组成,其特征在于:所述的沟道层(103)、势垒层(104)和电荷补偿层(108)均为GaN材料,沟道层(103)和势垒层(104)极化方向相反,势垒层(104)和电荷补偿层(108)极化方向相反。
【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管,从下至上依次主要由衬底(101),GaN缓冲层(102),沟道层(103),势垒层(104),势垒层(104)上的源极(105)、漏极(106)和栅极(107),栅极(107)与漏极(106)之间的电荷补偿层(108),电荷补偿层(108)上的金属电极(110)以及绝缘介质(109)组成,其特征在于:所述的沟道层(103)、势垒层(104)和电荷补偿层(108)均为GaN材料,沟道层(103)和势垒层(104)极化方向相反,势垒层(104)和电荷补偿层(108)极化方向相反。2.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管,其特征在于:所述的沟道层(103)与势垒层(104)之间,势垒层(104)和电荷补偿层(108)之间,...
【专利技术属性】
技术研发人员:曲兆珠,赵子奇,朱超,张后程,姜涛,胡子阳,
申请(专利权)人:宁波大学,
类型:发明
国别省市:浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。