【技术实现步骤摘要】
一种射频功率放大器系统及照明设备
本专利技术涉及射频等离子照明领域,尤其涉及一种射频功率放大器系统及照明设备。
技术介绍
近些年来,微波放电等离子体作为激发源及照明已有许多医疗和科学上的应用。射频气体放电灯原理是将无电极的灯泡放置在谐振腔的开口,在该处聚集了连续波的强电场,该强电场使气体成为等离子从而放电发光(即微波发生器产生的微波利用灯泡内的冷光材料形成等离子区,从而发射连续的光;射频直接激发气体放电,因为用线圈感应传输能量,所以无需电极,寿命很强。)这种照明系统具有许多特性:(1)它产生了高度的电离和大量分子离解,不需要过分加热腔内气体;(2)不需要内部电极,它可以使构造更为简单,更不受污染,减少对人体的伤害;(3)其产生的电气干扰少;(4)不存在危险的高电压,可以很容易地接触。虽然几十年来射频气体放电照明一直为人所知,但是在如工业和公共户外照明上应用时,需要加装射频功率放大系统,现有的射频功率放大系统较为昂贵,且使用现有的射频功率放大系统(例如单一的双极型晶体管)的照明系统的电源的效率通常低于50%,这是任何工业和公共户外照明系统都不能接受的,因为电源效率和 ...
【技术保护点】
一种射频功率放大器系统,其特征在于,包括依次串接的第一级功率放大电路、第二级功率放大电路和第三级功率放大电路;所述第一级功率放大电路包括铟镓磷应变高电子迁移率晶体管;所述第二级功率放大电路包括砷化镓高迁移率晶体管的驱动放大器;所述第三极功率放大电路包括LDMOS晶体管。
【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器系统,其特征在于,包括依次串接的第一级功率放大电路、第二级功率放大电路和第三级功率放大电路;所述第一级功率放大电路包括铟镓磷应变高电子迁移率晶体管;所述第二级功率放大电路包括砷化镓高迁移率晶体管的驱动放大器;所述第三级功率放大电路包括LDMOS晶体管;所述第一级功率放大电路还包括电容器C1、电容器C2和电容器C3;所述电容器C1的正极连接约为1毫瓦的射频功率输入,所述电容器C1的负极连接所述铟镓磷应变高电子迁移率晶体管的输入端,所述铟镓磷应变高电子迁移率晶体管的一个输出端连接电容器C3的正极,另一输出端连接电容器C2的正极,所述电容器C2的负极分别连接电容器C3的正极和5伏特的偏置电压;所述第二级功率放大电路还包括电容器C5、电容器C6、电容器C7、电容器C8、阻抗Z1和阻抗Z2,其中:所述第一级功率放大电路中的电容器C3的负极连接所述第二级功率放大电路中的电容器C6的正极,所述电容器C6的负极分别连接电容器C5的正极和阻抗Z1的输入端,所述阻抗Z1的输出端连接所述砷化镓高迁移率晶体管的驱动放大器的输入端,所述砷化镓高迁移率晶体管的驱动放大器的输出端连接阻抗Z2的输入端,所述阻抗Z2的输出端连接分别连接电容器C7的正极和电容器C8的正极以及5伏特的偏置电压;所述电容器C7的负极、电容器C5和所述砷化镓高迁移率晶体管的驱动放大器的另一输出端均接地;所述第三级功率放大电路还包括电容器C5、电容器C6、电容器C9、电容器C10、电容器C11、电容器C12、电容器C13、电容器C15、电容器C16、阻抗Z3、阻抗Z4、阻抗Z5、阻抗Z6、阻抗Z7、阻抗Z8和电感器L4、电感器L5、电感器L8,其中:所述第二级功率放大电路中的电容器C8的负极连接所述第三级功率放大电路中的电容器C6的正极,所述电容器C6的负极分别连接阻抗Z3的输入端和电容器C16的正极,所述阻抗Z3的输出端分别连接电容器C5的正极和阻抗Z4的输入端,所述阻抗Z4的输出端连接分别连接电感器L8的输入端和阻抗Z5的输入端;所述电感器L8的输出端连接分别连接电容器C1...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨宏宇,
申请(专利权)人:北京美电环宇科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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