包括具有改进耐久性的RF-LDMOS晶体管的电子设备制造技术

本发明专利技术涉及一种电子设备，包括RF-LDMOS晶体管(1)和用于所述RF-LDMOS晶体管的保护电路(2)。所述保护电路(2)包括：i)耦合至所述RF-LDMOS晶体管(1)的漏极端子(Drn)的输入端子(Ni)；ii)限幅节点(Nc)；iii)耦合至所述限幅节点(Nc)的限幅电路(3)，用于将所述限幅节点(Nc)上的电压实质上保持在预先确定的参考电压以下，其中将所述预先确定的参考电压设计成大于所述漏极端子(Drn)上的操作电压并且低于固有地存在于所述RF-LDMOS晶体管中的寄生双极型晶体管(100)的触发电压；iv)耦合在所述限幅节点(Nc)与另一个参考电压端子(Gnd)之间的电容(Ct)；以及v)整流元件(D1、D2)，所述整流元件的阳极端子连接至所述输入端子(Ni)，并且所述整流元件的阴极端子连接至所述限幅节点(Nc)。本发明专利技术提供了一种具有改进RF耐久性的RF-LDMOS晶体管，同时不损害或者至少在小得多的程度上损害所述RF-LDMOS晶体管的RF性能。

【技术实现步骤摘要】
包括具有改进耐久性的RF-LDMOS晶体管的电子设备
本专利技术涉及一种包括RF-LDMOS晶体管的电子设备和一种用于所述RF-LDMOS晶体管的保护电路。
技术介绍
在用于个人通信系统(GSM、EDGE、W-CDMA)的基站中，RF功率放大器(PA)是关键部件。对于这些功率放大器，RF横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管由于其卓越的功率容量增益、线性和可靠性是技术的标准选择。RF功率放大器是一种电子放大器，用于将低功率射频信号转换成重要功率(significantpower)的较大信号，典型地用于驱动发射机的天线。通常将它优化成具有高效率、高输出功率(P1dB)压缩、在输入和输出上良好的回波损耗、良好的增益和最佳热耗散。所述RF功率放大器的基本应用包括驱动另一个高功率源、驱动发射天线、微波加热和激励谐振器结构。在这些应用中，驱动发射天线是最众所周知的。所述发射机-接收机不仅用于语音和数据通信，而且用于天气感测(以雷达的形式)。RF功率放大器通常由具有源极引线(板形)、漏极引线和栅极引线的封装组成。在所述封装内部，提供了一种半导体管芯(die)，其中制造了所述RF功率晶体管。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子设备，包括RF?LDMOS晶体管(1)和用于所述RF?LDMOS晶体管的保护电路(2)，所述保护电路(2)包括：?耦合至所述RF?LDMOS晶体管(1)的漏极端子(Drn)的输入端子(Ni)；?限幅节点(Nc)；?整流元件(D1、D2)，所述整流元件的阳极端子连接至所述输入端子(Ni)，并且所述整流元件的阴极端子连接至所述限幅节点(Nc)；?耦合至所述限幅节点(Nc)的限幅电路(3)，用于将所述限幅节点(Nc)上的电压实质上保持在预先确定的参考电压以下，以在所述RF?LDMOS晶体管的正常操作模式期间保持所述整流元件(D1，D2)反向偏置，其中将所述预先确定的参考电压设计成大于所述漏极...

【技术特征摘要】
2012.05.14 EP 12167901.31.一种电子设备，包括RF-LDMOS晶体管(1)和用于所述RF-LDMOS晶体管的保护电路(2)，所述保护电路(2)包括：-耦合至所述RF-LDMOS晶体管(1)的漏极端子(Drn)的输入端子(Ni)；-限幅节点(Nc)；-整流元件(D1、D2)，所述整流元件的阳极端子连接至所述输入端子(Ni)，并且所述整流元件的阴极端子连接至所述限幅节点(Nc)；-耦合至所述限幅节点(Nc)的限幅电路(3)，用于将所述限幅节点(Nc)上的电压实质上保持在预先确定的参考电压处，以在所述RF-LDMOS晶体管的正常操作模式期间保持所述整流元件(D1，D2)反向偏置，其中将所述预先确定的参考电压设计成大于所述漏极端子(Drn)上的操作电压并且低于固有地存在于所述RF-LDMOS晶体管中的寄生双极型晶体管(100)的触发电压；以及-耦合在所述限幅节点(Nc)与另一个参考电压端子(Gnd)之间的电容(Ct)，其中，在正常的RF操作期间，所述电容(Ct)两端的电压实质上等于所述预先确定的参考电压(Vref)；其中所述限幅电路(3)包括另一个整流元件(Dcl)，所述另一个整流元件的阴极端子连接至所述限幅节点(Nc)，并且所述另一个整流元件的阳极端子连接至所述另一个参考电压端子(Gnd)，所述另一个整...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰内斯·A·M·德波特，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：