一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，包括输入电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路、第五开关电路和输出电路，所述输入电路的输出端与第一放大电路的输入端连接，且第一放大电路的输出端分别与第四开关电路、第三开关电路和第一开关电路的一端连接，所述第四开关电路的另一端与输出电路连接，且第三开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接，所述第三放大电路的输出端与输出电路连接，所述第一开关电路的另一端与第二放大电路的输入端连接。本实用新型专利技术能够根据需要进行放大系数的调整，使用范围广，结构简单，使用方便，成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器
本技术涉及射频功率放大器
，尤其涉及一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器。
技术介绍
射频功率放大器是各种无线发射机的重要组成部分；在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过一系列的放大一缓冲级、中间放大级、末级功率放大级，获得足够的射频功率以后，才能馈送到天线上辐射出去；为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器。申请号为201210140694.X的专利文件公开了采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，用于提供一种采用标准CMOS工艺实现高性能2G手机射频前端功率放大器的方法，并提出将射频前端功放芯片与射频收发器集成在一颗晶圆的架构，但是，其不能够根据需要进行放大系数的调整，导致使用范围有限，使用不方便。
技术实现思路
基于
技术介绍
存在的技术问题，本技术提出了一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器。本技术提出的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，包括输入电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路、第五开关电路和输出电路，所述输入电路的输出端与第一放大电路的输入端连接，且第一放大电路的输出端分别与第四开关电路、第三开关电路和第一开关电路的一端连接，所述第四开关电路的另一端与输出电路连接，且第三开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接，所述第三放大电路的输出端与输出电路连接，所述第一开关电路的另一端与第二放大电路的输入端连接，且第二放大电路的输出端分别与第五开关电路和第二开关电路的一端连接，所述第五开关电路的另一端与输出电路连接，且第二开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接。优选地，所述第一放大电路包括两个反相器和两个CMOS晶体管，两个反相器级联，构成第一反相器组，两个CMOS晶体管层叠相连，构成第一CMOS晶体管组，第一反相器组与第一CMOS晶体管组连接，第一反相器组用于驱动第一CMOS晶体管组。优选地，所述第二放大电路包括三个反相器和三个CMOS晶体管，三个反相器级联，构成第二反相器组，三个CMOS晶体管层叠相连，构成第二CMOS晶体管组，第二反相器组与第二CMOS晶体管组连接，第二反相器组用于驱动第二CMOS晶体管组。优选地，所述第三放大电路包括四个反相器和四个CMOS晶体管，四个反相器级联，构成第三反相器组，四个CMOS晶体管层叠相连，构成第三CMOS晶体管组，第三反相器组与第三CMOS晶体管组连接，第三反相器组用于驱动第三CMOS晶体管组。优选地，每个反相器的输入端与输出端之间连接有偏压电阻。优选地，每个CMOS晶体管的衬底与源极之间连接有偏压电阻。优选地，所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路和第五开关电路均连接有控制芯片，且控制芯片为型号为AT89C51的单片机。本技术中，所述一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器通过第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路和第五开关电路的闭合与断开能够自由组合第一放大电路、第二放大电路和第三放大电路，从而对输入电路和输出电路之间接入的放大系数进行调整，本技术能够根据需要进行放大系数的调整，使用范围广，结构简单，使用方便，成本低。附图说明图1为本技术提出的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器的工作原理框图；图2为本技术提出的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器的第一放大电路的电路原理示意图；图3为本技术提出的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器的第二放大电路的电路原理示意图；图4为本技术提出的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器的第三放大电路的电路原理示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本技术作进一步解说。实施例参照图1-4，本实施例提出了一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，包括输入电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路、第五开关电路和输出电路，输入电路的输出端与第一放大电路的输入端连接，且第一放大电路的输出端分别与第四开关电路、第三开关电路和第一开关电路的一端连接，第四开关电路的另一端与输出电路连接，且第三开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接，第三放大电路的输出端与输出电路连接，第一开关电路的另一端与第二放大电路的输入端连接，且第二放大电路的输出端分别与第五开关电路和第二开关电路的一端连接，第五开关电路的另一端与输出电路连接，且第二开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接，一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器通过第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路和第五开关电路的闭合与断开能够自由组合第一放大电路、第二放大电路和第三放大电路，从而对输入电路和输出电路之间接入的放大系数进行调整，本技术能够根据需要进行放大系数的调整，使用范围广，结构简单，使用方便，成本低。本实施例中，第一放大电路包括两个反相器和两个CMOS晶体管，两个反相器级联，构成第一反相器组，两个CMOS晶体管层叠相连，构成第一CMOS晶体管组，第一反相器组与第一CMOS晶体管组连接，第一反相器组用于驱动第一CMOS晶体管组，第二放大电路包括三个反相器和三个CMOS晶体管，三个反相器级联，构成第二反相器组，三个CMOS晶体管层叠相连，构成第二CMOS晶体管组，第二反相器组与第二CMOS晶体管组连接，第二反相器组用于驱动第二CMOS晶体管组，第三放大电路包括四个反相器和四个CMOS晶体管，四个反相器级联，构成第三反相器组，四个CMOS晶体管层叠相连，构成第三CMOS晶体管组，第三反相器组与第三CMOS晶体管组连接，第三反相器组用于驱动第三CMOS晶体管组，每个反相器的输入端与输出端之间连接有偏压电阻，每个CMOS晶体管的衬底与源极之间连接有偏压电阻，第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路和第五开关电路均连接有控制芯片，且控制芯片为型号为AT89C51的单片机，一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器通过第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路和第五开关电路的闭合与断开能够自由组合第一放大电路、第二放大电路和第三放大电路，从而对输入电路和输出电路之间接入的放大系数进行调整，本技术能够根据需要进行放大系数的调整，使用范围广，结构简单，使用方便，成本低。本实施例中，用控制芯片控制第一开关电路和第三开关电路断开，且控制第四开关电路闭合，则第一放大电路接入输入电路和输出电路之间，用控制芯片控制第四开关电路、第三开关电路和第二开关电路断开，且控制第一开关电路和第五开关电路闭合，则第一放大电路和第二放大电路接入输入电路和输出电路之间，用控制芯片控制第四开关电路和第一开关电路断开，且控制第三开关电路闭合，则第一放大电路和第三放大电路接入输入电路和输出电路之间，用控制芯片控制第四开关电路、第三开关电路和第五开关电路断开，且控制第一开关电路和第二开关电路闭合，则第一放大电路、第二放大电路和第三放大电路均接入输入电路和输出电路之间。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，包括输入电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路、第五开关电路和输出电路，其特征在于，所述输入电路的输出端与第一放大电路的输入端连接，且第一放大电路的输出端分别与第四开关电路、第三开关电路和第一开关电路的一端连接，所述第四开关电路的另一端与输出电路连接，且第三开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接，所述第三放大电路的输出端与输出电路连接，所述第一开关电路的另一端与第二放大电路的输入端连接，且第二放大电路的输出端分别与第五开关电路和第二开关电路的一端连接，所述第五开关电路的另一端与输出电路连接，且第二开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接。

【技术特征摘要】
1.一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，包括输入电路、第一放大电路、第二放大电路、第三放大电路、第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路、第四开关电路、第五开关电路和输出电路，其特征在于，所述输入电路的输出端与第一放大电路的输入端连接，且第一放大电路的输出端分别与第四开关电路、第三开关电路和第一开关电路的一端连接，所述第四开关电路的另一端与输出电路连接，且第三开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接，所述第三放大电路的输出端与输出电路连接，所述第一开关电路的另一端与第二放大电路的输入端连接，且第二放大电路的输出端分别与第五开关电路和第二开关电路的一端连接，所述第五开关电路的另一端与输出电路连接，且第二开关电路的另一端与第三放大电路的输入端连接。2.根据权利要求1所述的一种采用CMOS工艺实现的射频功率放大器，其特征在于，所述第一放大电路包括两个反相器和两个CMOS晶体管，两个反相器级联，构成第一反相器组，两个CMOS晶体管层叠相连，构成第一CMOS晶体管组，第一反相器组与第一CMOS晶体管组连接，第一反相器组用于驱动第一CMOS晶体管组。3.根据权利要求1所述的一种采用CMOS工艺实现的射频功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锐敏，龚亮，邹华英，
申请(专利权)人：湖南工程职业技术学院，
类型：新型
国别省市：湖南,43