The invention discloses a composite tube RF power amplifier includes a first transistor and a second transistor of the second end of the input network connected composite tube RF power amplifier connected to the first end; the first transistor and the second transistor third output end through the network connected composite tube RF power amplifier and second terminal through the first inductor with an external power supply access end, the external power supply access terminal through second grounding capacitors; the end of the first transistor and the second transistor are respectively connected to the first input bias circuit; one end is connected with the second end of the other end of the first transistor is connected to a first bias voltage and the first capacitor; second input bias circuit is connected to the second transistor second end of the other end is connected with second bias voltage and through the third capacitor; blocking device is connected in the first short handed the transistor and the second transistor The first bias voltage is not equal to the second bias voltage between the two terminals. Compared with the existing power synthesis amplifier, the invention has higher linearity.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通信领域,特别是涉及一种具有高线性度的复合管射频功率放大器。
技术介绍
随着当代无线通信技术的不断深入发展,通信系统需要支持的数据传输速率越来越大,这大大提高了信号的调制密度以及带宽,因此也对与系统的线性度提出了越来越严苛的要求。射频信号发射模块主要任务是将射频信号放大到足够的功率以保证所建立的通信信道有足够的信号噪声比,是射频无线通信设备中最重要的组成部分之一。其中,功率放大器是主要产生射频功率的元件并直接驱动天线,因此其性能很大程度上影响整个无线通信系统的参数如信号失真度(由功率放大器的线性度决定)、传输距离、以及系统温度和能耗等。在目前的无线通讯系统中,实现大功率放大通常需要进行多路功率放大器的功率合成,最常见的是两路功率合成。一般来说,功率合成是通过将两路相同的功率放大器相合成,这种方法虽然能够使输出功率加倍,但是相对于单路功率放大器而言并不提高线性度。随着最新通信系统标准对线性度的不断提高,单路功率放大器的线性度已逐渐不能满足需求。因此以提高线性度为目标的功率合成技术显得日益重要。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种与现有功率合成放大器相比具有更高线性度的复合管射频功率放大器。为解决上述技术问题,本专利技术的复合管射频功率放大器,包括:第一、第二半导体功率晶体管M1、M2,第一、第二输入偏置电路LC1、LC2,第一~第三电容C1~C3,第一电感L1,实现隔离直流及交流短路功能的隔直交短装置D,实现输入阻抗匹配及功率分配的输入网络IN,以及实现输出阻抗匹配及功率合成的输出网络OUT;输入网络IN和输出网络OUT为本领域的 ...
【技术保护点】
一种复合管射频功率放大器,其特征是,包括:第一、第二半导体功率晶体管(M1、M2),第一、第二输入偏置电路(LC1、LC2)第一~第三电容(C1~C3),第一电感(L1),实现隔离直流及交流短路功能的隔直交短装置(D),实现输入阻抗匹配及功率分配的输入网络(IN),以及实现输出阻抗匹配及功率合成的输出网络(OUT);第一半导体功率晶体管(M1)和第二半导体功率晶体管(M2)的第二端通过输入网络(IN)连接复合管射频功率放大器管的第一端(P1);第一半导体功率晶体管(M1)和第二半导体功率晶体管(M2)的第三端相连通过输出网络(OUT)连接复合管射频功率放大器的第二端(P2)并通过第一电感(L1)接外部电源接入端(VDD),外部电源接入端(VDD)通过第二电容(C2)接地;第一半导体功率晶体管(M1)和第二半导体功率晶体管(M2)的第一端分别接地;第一输入偏置电路(LC1)一端连接第一半导体功率晶体管(M1)第二端另一端接第一偏置电压(V1)并通过第一电容(C1)接地;第二输入偏置电路(LC2)一端连接第二半导体功率晶体管(M2)第二端另一端接第二偏置电压(V2)并通过第三电容(C3)接 ...
【技术特征摘要】
1.一种复合管射频功率放大器,其特征是,包括:第一、第二半导体功率晶体管(M1、M2),第一、第二输入偏置电路(LC1、LC2)第一~第三电容(C1~C3),第一电感(L1),实现隔离直流及交流短路功能的隔直交短装置(D),实现输入阻抗匹配及功率分配的输入网络(IN),以及实现输出阻抗匹配及功率合成的输出网络(OUT);第一半导体功率晶体管(M1)和第二半导体功率晶体管(M2)的第二端通过输入网络(IN)连接复合管射频功率放大器管的第一端(P1);第一半导体功率晶体管(M1)和第二半导体功率晶体管(M2)的第三端相连通过输出网络(OUT)连接复合管射频功率放大器的第二端(P2)并通过第一电感(L1)接外部电源接入端(VDD),外部电源接入端(VDD)通过第二电容(C2)接地;第一半导体功率晶体管(M1)和第二半导体功率晶体管(M2)的第一端分别接地;第一输入偏置电路(LC1)一端连接第一半导体功率晶体管(M1)第二端另一端接第一偏置电压(V1)...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵奂,何山暐,陈肯乐,
申请(专利权)人:湖南格兰德芯微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南;43
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