The invention discloses a bias circuit for RF power amplifier, including bias circuit and bias circuit of a series of two; a first end connected to the bias circuit amplifier base, the bias circuit is connected to the second end of the first end of the two, second and two of the bias circuit is grounded; the invention also discloses a an RF power amplifier with the bias circuit, including power source grounded at one end the other end is connected with the amplifying device and network matching capacitor C3 through serial input base, amplifier grounded emitter amplifier, the collector through the choke circuit and power supply connected by the output matching network is connected with the antenna terminal. The invention is used for the RF power amplifier, which can simultaneously improve the linearity of the RF power amplifier and the thermal stability of the RF power amplifier.
【技术实现步骤摘要】
偏置电路及其构成的射频功率放大器
本专利技术涉及通信领域,特别是涉及一种用于射频功率放大器的偏置电路。本专利技术还涉及一种具有所述偏置电路的射频功率放大器,
技术介绍
射频功率放大器(RFPA)是各种无线发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中,调制振荡电路所产生的射频信号功率很小,需要经过一系列的放大:缓冲级、中间放大级、末级功率放大级,获得足够的射频功率以后,才能馈送到天线上辐射出去。为了获得足够大的射频输出功率,必须采用射频功率放大器。参考图2所示,基极镇流电阻Rb是射频功率放大器正常工作所必须具有的,随着基极镇流电阻Rb的增加,射频功率放大器在热稳定上越可靠。但随着基极镇流电阻阻抗的增加对射频功率放大器的线性度会产生不利的影响,Cb是电容,B是BJT。参考图3所示,不同的基极镇流电阻值会对射频放大器的功率增益造成不同影响,较小的基极镇流电阻值能够导致一定的增益扩张,这样射频放大器的线性度较好。从集成电路设计需求角度分析,射频放大器的偏置电路,既能提高射频功率放大器的线性度,又能保证放大器件的热稳定性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种用于射频功率放大器的偏置电路,既能提高射频功率放大器的线性度,又能够保证射频功率放大器的热稳定性。本专利技术还提供了一种具有上述偏置电路的射频功率放大器。为解决上述技术问题,本专利技术提供用于射频功率放大器的偏置电路,包括:串联的偏置电路一和偏置电路二;偏置电路一的第一端连接放大器件的基极,其第二端连接偏置电路二的第一端,偏置电路二的第二端接地;其中,偏置电路一在直流条件下呈现较高阻抗,偏置电路一在交流 ...
【技术保护点】
一种用于射频功率放大器的偏置电路,其特征在于,包括:串联的偏置电路一和偏置电路二;偏置电路一的第一端连接放大器件的基极,其第二端连接偏置电路二的第一端,偏置电路二的第二端接地;其中,偏置电路一在直流条件下呈现较高阻抗,偏置电路一在交流条件下呈现较低阻抗;所述较高阻抗是指阻抗大于等于200欧姆,所述较低阻抗是指阻抗小于等于20欧姆。
【技术特征摘要】
1.一种用于射频功率放大器的偏置电路,其特征在于,包括:串联的偏置电路一和偏置电路二;偏置电路一的第一端连接放大器件的基极,其第二端连接偏置电路二的第一端,偏置电路二的第二端接地;其中,偏置电路一在直流条件下呈现较高阻抗,偏置电路一在交流条件下呈现较低阻抗;所述较高阻抗是指阻抗大于等于200欧姆,所述较低阻抗是指阻抗小于等于20欧姆。2.如权利要求1所述的偏置电路,其特征在于:偏置电路一包括并联的电阻Rb、偏置电路三和偏置电路四。3.如权利2所描述的偏置电路三,其特征在于:偏置电路三包括串联的电感L1和电容C1,其中0nH≤L1≤1nH,0pF≤C1≤1pF。4.如权利2所描述的偏置电路四,其特征在于:偏置电路四包括串联的电阻R1和电容C2,其中0Ω≤R1≤50Ω,0pF≤C2≤1pF。5...
【专利技术属性】
技术研发人员:张长伟,赵奂,
申请(专利权)人:湖南格兰德芯微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南,43
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