时序可编程偏置电流源及其构成的射频放大器偏置电路制造技术

本发明专利技术公开了一种时序可编程偏置电流源，包括:第一PMOS和第三PMOS源漏串联，第二PMOS和第四PMOS源漏串联；第一PMOS和第二PMOS源极连接电源电压，第三PMOS和第四PMOS的漏极相连后连接偏置电路；第二PMOS栅极通过第一电阻连接第一PMOS栅极，第一PMOS栅极连接偏置电压，第二PMOS栅极通过第一电容连接电源电压；第四PMOS栅极连接第三PMOS栅极，第三PMOS栅极连接使能电压。本发明专利技术还提供了一种含有所述时序可编程偏置电流源的射频放大器偏置电路。本发明专利技术的时序可编程偏置电流源通过时序调整电流源输出大小，也可以通过PMOS的沟道宽度来调整电流源输出大小，能实现微秒级别电流调整。

Time series programmable bias current source and its RF amplifier bias circuit

The invention discloses a programmable timing bias current source, including: the first PMOS and the third PMOS source drain series, second PMOS and fourth PMOS source drain series; the first PMOS and the second PMOS source is connected with the power supply voltage, third PMOS and fourth PMOS connected to the drain electrode connected bias circuit connected to the first gate; second PMOS PMOS the gate through a first resistor, a first PMOS gate bias voltage, second PMOS gate is connected with the power supply voltage through the first capacitor; fourth PMOS grid connected third PMOS gate, PMOS gate third connection enable voltage. The invention also provides a radio frequency amplifier biasing circuit containing the time series programmable bias current source. The timing programmable bias current source of the invention adjusts the output size of the current source by timing, and also adjusts the output size of the current source through the channel width of PMOS, and realizes the microsecond current adjustment.

【技术实现步骤摘要】
时序可编程偏置电流源及其构成的射频放大器偏置电路
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种时序可编程偏置电流源。本专利技术还涉及由所述时序可编程偏置电流源构成的射频放大器偏置电路。
技术介绍
WLAN(WirelessLocalAreaNetwork)无线通信等系统，使用时分复用(TDD)，即收和发不同时发生。发射机发射部分的时间(有信号部分)，相对于总体时间，只占据一部分，这成为占空比(dutycycle)。通信系统启动很短一段时间之后(在802.11ac中为400ns)，射频信号开始进入系统(信号开始点)，因此系统必须在这段时间内准备完毕。如图1所示，WLAN使用的OFDM的帧结构中，真正的数据(DATA)是20us以后才开始出现。但是前面的20us的前导码(Preamble)中，却包括了重要信息，比方说调制解调所使用的相位参考点，之后数据的参照点都以此为据。在实际解调中，后面的数据都要和前导码进行对比，如果两者差距太大，会造成接收机无法成功解码的严重后果。如图2所示，在时域中发射机或者功率放大器，随时间的响应示意图。一旦迅速启动之后，响应有三种可能：1)启动缓慢，输出功率(或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种时序可编程偏置电流源，其特征是，包括:第一～第四PMOS(P1～P4)、第一电阻(R1)和第一电容(C1)；第一PMOS(P1)和第三PMOS(P3)源漏串联，第二PMOS(P2)和第四PMOS(P4)源漏串联；第一PMOS(P1)和第二PMOS(P2)源极连接电源电压，第三PMOS(P3)和第四PMOS(P4)的漏极相连后连接偏置电路；第二PMOS(P2)栅极通过第一电阻(R1)连接第一PMOS(P1)栅极，第一PMOS(P1)栅极连接偏置电压，第二PMOS(P2)栅极通过第一电容(C1)连接电源电压；第四PMOS(P4)栅极连接第三PMOS(P3)栅极，第三PMOS(P3)栅极连接使能...

【技术特征摘要】
1.一种时序可编程偏置电流源，其特征是，包括:第一～第四PMOS(P1～P4)、第一电阻(R1)和第一电容(C1)；第一PMOS(P1)和第三PMOS(P3)源漏串联，第二PMOS(P2)和第四PMOS(P4)源漏串联；第一PMOS(P1)和第二PMOS(P2)源极连接电源电压，第三PMOS(P3)和第四PMOS(P4)的漏极相连后连接偏置电路；第二PMOS(P2)栅极通过第一电阻(R1)连接第一PMOS(P1)栅极，第一PMOS(P1)栅极连接偏置电压，第二PMOS(P2)栅极通过第一电容(C1)连接电源电压；第四PMOS(P4)栅极连接第三PMOS(P3)栅极，第三PMOS(P3)栅极连接使能电压。2.一种射频放大器偏置电路，包括：可编程偏置电流源、偏置电路和放大电路，偏置电路分别连接可编程偏置电流源和放大电路，其特征是：所述可编程偏置电流源是权利要求1所述时序可编程偏置电流源。3.如权利要求2所述的射频放大器偏置电路，其特征是：所述偏置电路包括：第一BJT(B1)、第二电阻(R2)和第三电阻(R3)；第一BJT(Q1)的基极通过串联的第二电阻(R2)和第三电阻(R3)连接所述放大电路；第一BJT(Q1)的集电极连接所述可编程偏置电流源并连接于第二电阻(R2)和第三电阻(R3)之间；第一BJT(Q1)的发射极接地...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵奂，何山暐，
申请(专利权)人：湖南格兰德芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43