基于降压型恒定电流的偏置电流源放大器系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于降压型恒定电流的偏置电流源放大器系统，由大电路，场效应管Q1，负极与场效应管Q1的栅极相连接、正极作为信号输入端的极性电容C1，一端与场效应管Q1的栅极相连接、另一端接地的电阻R4，与场效应管Q1的源极相连接的电流源电路，以及设置在电流源电路和放大电路之间的线性驱动电路组成，其特征在于，在场效应管Q1的漏极与线性驱动电路之间还设置有降压型恒定电流电路；所述降压型恒定电流电路由降压芯片U2，三极管VT7，三极管VT8，放大器P2等组成。本发明专利技术的降压型恒定电流电路能使驱动放大器系统的信号不失真、电流电压稳定性更高，从而改良放大器的放大效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，具体是指一种基于降压型恒定电流的偏置电流源放大器系统。
技术介绍
放大器是具有很高放大倍数的电路单元。在实际电路中，通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。放大器是一个从功能的角度命名的电路单元，可以由分立的器件实现，也可以实现在半导体芯片当中。随着半导体技术的发展，大部分的放大器是以单芯片的形式存在。随着电子技术的不断发展，放大器已广泛应用于电子行业当中。然而目前使用的放大器把信号放大后经常会出现信号失真，其电流、电压不稳定的情况，给后续对信号的处理带来很大的麻烦。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前放大器所放大的信号出现失真，其电流、电压不稳定的缺陷，提供一种能够使信号不失真、电流电压稳定的基于降压型恒定电流的偏置电流源放大器系统。本专利技术的目的用以下技术方案实现:基于降压型恒定电流的偏置电流源放大器系统，由放大电路，场效应管Q1，负极与场效应管Ql的栅极相连接、正极作为信号输入端的极性电容Cl，一端与场效应管Ql的栅极相连接、另一端接地的电阻R4，与场效应管Ql的源极相连接的电流源电路，设置在电流源电路和放大电路之间的线性驱动电路，以及设置在场效应管Ql的漏极与线性驱动电路之间的降压型恒定电流电路组成；所述降压型恒定电流电路由降压芯片U2，三极管VT7，三极管VT8，放大器P2，P极顺次经电容C6、电阻R19、电阻R18、电容C7后与降压芯片U2的REG脚相连接、N极经电阻R20后与降压芯片U2的FSET脚相连接的二极管D4，正极经电阻R21后与降压芯片U2的OUT脚相连接、负极经电阻R22后与降压芯片U2的BST脚相连接的电容C8，P极经电阻R23后与放大器P2的正极输入端相连接、N极经电感L后与三极管VT7的基极相连接的二极管D5，正极与放大器P2的正极输入端相连接、负极经电阻R24后与三极管VT7的发射极相连接的电容C9，负极顺次经电阻R26、电阻R25后与三极管VT7的基极相连接、正极与三极管VT8的集电极相连接的电容C10,以及一端与放大器P2的负极输入端相连接、另一端与三极管VT8的发射极相连接的电阻R17组成；所述降压芯片U2的VDD脚与电阻R20与二极管D4的连接点相连接，其FB脚则与放大器P2的输出端相连接，其GND脚接地；所述三极管VT7的集电极接地；所述三极管VT8的基极与电容C9的负极相连接；所述二极管D4的P极与场效应管Ql的漏极相连接；同时，三极管VT7的基极则与线性驱动电路相连接；所述二极管D5的N极还与电容CS的正极相连接。所述的线性驱动电路由驱动芯片U，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，正极与电流源电路相连接、负极经电阻RlO后与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C3，一端与三极管VT6的集电极相连接、另一端经电阻R12后与三极管VT3的基极相连接的电阻RlI，正极与三极管VT6的基极相连接、负极与驱动芯片U的INl管脚相连接的极性电容C5，正极与驱动芯片U的IN2管脚相连接、负极接地的极性电容C4，一端与三极管VT6的发射极相连接、另一端与三极管VT5的基极相连接的电阻R14，一端与三极管VT5的基极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R13，N极与三极管VT6的集电极相连接、P极与三极管VT5的集电极相连接的二极管D2，正相端与三极管VT6的集电极相连接、反相端与三极管VT4集电极相连接的非门K，一端与三极管VT4发射极相连接、另一端经电阻R15后与三极管VT3的发射极相连接的电阻R16，以及P极与非门K的反相端相连接、N极与电阻R15和电阻R16的连接点相连接的二极管D3组成；所述驱动芯片U的VCC管脚与三极管VT6的基极相连接、END管脚接地、OUT管脚与三极管VT5的集电极相连接；所述三极管VT5的集电极还与三极管VT4的基极相连接、其发射极与三极管VT3的基极相连接；所述三极管VT3的集电极与三极管VT7的基极相连接，二极管D3的N极与放大电路相连接。所述的电流源电路由三极管VTl，三极管VT2，N极与三极管VTl的基极相连接、P极经电阻R2后与三极管VTl的发射极相连接的稳压二极管D1，一端与三极管VTl的基极相连接、另一端接地的电阻R1，以及负极与场效应管Ql的漏极相连接、正极经电阻R3后与三极管VT2的发射极相连接的极性电容C2组成；所述三极管VTl的集电极与场效管Ql的源极相连接、其发射极则与三极管VT2的基极相连接，所述三极管VT2的发射极经电阻R3后与电容C3的正极相连接、其集电极接地；所述稳压二极管Dl的P极与外部电源相连。所述的放大电路由放大芯片P，一端经电阻R7后与放大芯片P的正向端相连接、另一端接地的电阻R5，一端与电阻R5和电阻R7的连接点相连接、另一端经电阻R8后与放大芯片P的反向端相连接的电阻R6，串接于放大芯片P的反向端和输出端之间的电阻R9组成；电阻R5和电阻R7的连接点与二极管D3的N极相连接，电阻R6和电阻R8的连接点接地。为确保本专利技术的使用效果，该驱动芯片U为LM387集成芯片，降压芯片U2为A718EGT集成芯片。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:(I)本专利技术的降压型恒定电流电路，能稳定的驱动放大器系统的电流、电压，从而改良放大器的放大效果。(2)本专利技术采用LM387芯片作为驱动芯片，其灵敏度高、价格便宜。(3)本专利技术采用A718EGT的芯片作为降压芯片，其具有自举升压、电压和电流自动恒定、实用性高。【附图说明】图1为本专利技术的整体结构示意图。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本专利技术由放大电路，场效应管Q1，负极与场效应管Ql的栅极相连接、正极作为信号输入端的极性电容Cl，一端与场效应管Ql的栅极相连接、另一端接地的电阻R4，与场效应管Ql的源极相连接的电流源电路，设置在电流源电路和放大电路之间的线性驱动电路，以及设置在场效应管Ql的漏极与线性驱动电路之间的降压型恒定电流电路组成。所述降压型恒定电流电路由降压芯片U2，三极管VT4，三极管VT5，放大器P2，电阻R17，电阻R18，电阻R19，电阻R20，电阻R21，电阻R22，电阻R23，电阻R24，电阻R25，电阻R26，电阻R27，电容C6，电容C7，电容C8，电容C9，电容C10，二极管D4，以及二极管D5组成。连接时，二极管D4的P极顺次经电容C6、电阻R19、电阻R18、电容C7后与降压芯片U2的REG脚相连接、N极经电阻R20后与降压芯片U2的FSET脚相连接。电容C8的正极经电阻R21后与降压芯片U2的OUT脚相连接、负极经电阻R22后与降压芯片U2的BST脚相连接。二极管D5的P极经电阻R23后与放大器P2的正极输入端相连接、N极经电感L后与三极管TH的基极相连接。其中，电容C9的正极与放大器P2的正极输入端相连接、负极经电阻R24后与三极管VT7的发射极相连接。电容ClO的负极顺次经电阻R26、电阻R25后与三极管VT7的基极相连接、正极与三极管VT8的集电极相连接。以及电阻R17的一端与放大器P2的负极输入端相连接、另一端与三极管VT8的发射极相连接。为了更好的实施本专利技术，所述的降本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于降压型恒定电流的偏置电流源放大器系统，由放大电路，场效应管Q1，负极与场效应管Q1的栅极相连接、正极作为信号输入端的极性电容C1，一端与场效应管Q1的栅极相连接、另一端接地的电阻R4，与场效应管Q1的源极相连接的电流源电路，以及设置在电流源电路和放大电路之间的线性驱动电路组成；其特征在于，在场效应管Q1的漏极与线性驱动电路之间还设置有降压型恒定电流电路；所述降压型恒定电流电路由降压芯片U2，三极管VT7，三极管VT8，放大器P2，P极顺次经电容C6、电阻R19、电阻R18、电容C7后与降压芯片U2的REG脚相连接、N极经电阻R20后与降压芯片U2的FSET脚相连接的二极管D4，正极经电阻R21后与降压芯片U2的OUT脚相连接、负极经电阻R22后与降压芯片U2的BST脚相连接的电容C8，P极经电阻R23后与放大器P2的正极输入端相连接、N极经电感L后与三极管VT7的基极相连接的二极管D5，正极与放大器P2的正极输入端相连接、负极经电阻R24后与三极管VT7的发射极相连接的电容C9，负极顺次经电阻R26、电阻R25后与三极管VT7的基极相连接、正极与三极管VT8的集电极相连接的电容C10，以及一端与放大器P2的负极输入端相连接、另一端与三极管VT8的发射极相连接的电阻R17组成；所述降压芯片U2的VDD脚与电阻R20与二极管D4的连接点相连接，其FB脚则与放大器P2的输出端相连接，其GND脚接地；所述三极管VT7的集电极接地；所述三极管VT8的基极与电容C9的负极相连接；所述二极管D4的P极与场效应管Q1的漏极相连接；同时，三极管VT7的基极则与线性驱动电路相连接；所述二极管D5的N极还与电容C8的正极相连接。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷明方，
申请(专利权)人：成都颉盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51