用于双通道短波射频预处理的高线性放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了用于双通道短波射频预处理的高线性放大器，包括输入变压器T1、输出变压器T2、放大单元和供电单元，所述放大单元包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4，所述三极管Q1和三极管Q2的基极分别与输入变压器T1的输出端连接，三极管Q1的集电极与三极管Q3的发射极连接，三极管Q2的集电极与三极管Q4的发射极连接，三极管Q1和三极管Q2的发射极之间连接有可变电阻，三极管Q3和三极管Q4的集电极连接到输出变压器T2的输入端。本实用新型专利技术采用上述结构，能够提高放大器的线性度，从而达到所期望的技术指标。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及双通道短波射频预处理领域，具体涉及一种用于双通道短波射频预处理的高线性放大器。
技术介绍
射频功率放大器的非线性失真会使其产生新的频率分量，如对于二阶失真会产生二次谐波和双音拍频，对于三阶失真会产生三次谐波和多音拍频，这些新的频率分量如果落在通带内，将会对发射的信号造成直接干扰，如果落在通带外将会干扰其他频道的信号，为此要对射频功率放大器进行线性化处理，这样可以较好地解决信号的频谱再生问题。在对射频信号进行预处理的时候，模块的高线性度对末级放大器的线性度提出了很高的要求，常规的集成放大器无法满足这一技术要求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于双通道短波射频预处理的高线性放大器，解决目前的常规集成放大器无法满足高线性度和宽频带的要求的问题。本技术为实现上述目的，采用以下技术方案实现：用于双通道短波射频预处理的高线性放大器，包括输入变压器T1、输出变压器T2、放大单元和供电单元，所述输入变压器T1为平衡-不平衡变压器，所述放大单元包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4，所述三极管Q1和三极管Q2的基极分别与输入变压器T1的输出端连接，三极管Q1的集电极与三极管Q3的发射极连接，三极管Q2的集电极与三极管Q4的发射极连接，三极管Q1和三极管Q2的发射极之间连接有可变电阻，三极管Q3和三极管Q4的集电极连接到输出变压器T2的输入端；所述供电单元包括电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15及电容C6，所述电阻R12的两端分别连接三极管Q3、三极管Q4的基极，电容C6的一端接地，另一端与电阻R15的一端连接，电阻R15的另一端连接在电阻R13和电阻R14的并联端，所述电阻R13、电阻R14分别与三极管Q3、三极管Q4的基极连接；还包括电阻R1、电阻R2和电容C1，所述电阻R1的一端与三极管Q1的基极连接，另一端接地；所述电阻R2的一端与三极管Q2的基极连接，另一端接地；所述电容C1的一端与电阻R15连接，另一端接地。本方案中的输入变压器为平衡-不平衡变压器，也叫巴伦，它可以为两种不同线路（平衡线路和不平衡线路）提供阻抗转换，以使不同线路之间能够匹配。进一步地，作为优选方案，所述可变电阻包括电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11，所述电阻R6与电阻R7并联，电阻R6与电阻R7的其中一个并联端接地，另一个并联端与三极管Q1的发射极连接；所述电阻R8与电阻R9并联，电阻R8与电阻R9的其中一个并联端接地，另一个并联端与三极管Q2的发射极连接；所述电阻R10和电阻R11并联，电阻R10和电阻R11的其中一个并联端与三极管Q1的发射极连接，另一个并联端与三极管Q2的发射极连接。进一步地，作为优选方案，还包括依次串联的电阻R5、电容C3、电阻R3、电阻R4、电容C2、电阻R16，所述电阻R5与三极管Q3的集电极连接，电阻R16与三极管Q4的集电极连接。进一步地，作为优选方案，还包括电容C5，所述电容C5的一端与电阻R5连接，另一端接地。本技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本技术通过输入变压器（巴伦）将射频信号变为平衡差相信号分别送入到三极管Q1、三极管Q2，Q1、Q2为共射放大器，主要实现对输入信号的电流放大，同时通过可变电阻实现对三极管Q1、Q2的增益微调，保证两路差相信号的幅度和相位差在可控的范围内，达到在后级合成器中同相频率分量相消的目的；再通过共基放大器Q3和Q4进行电压放大，最后经输出变压器同相合成后输出。由于采用了平衡电路结构，放大单元采用共射共基电路，因此整个电路既具备了功率放大器的特性（高增益，高1dB压缩点），又具有宽带小信号放大器的特性（大带宽低噪声），且线性度较高，输出IP3大于45dBm、输出IP2大于70dB。附图说明图1为本技术的电路结构图。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。实施例：如图1所示，本实施例所述的用于双通道短波射频预处理的高线性放大器，包括输入变压器T1、输出变压器T2、放大单元和供电单元，输入变压器T1为平衡-不平衡变压器，放大单元包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4，三极管Q1和三极管Q2的基极分别与输入变压器T1的输出端连接，三极管Q1的集电极与三极管Q3的发射极连接，三极管Q2的集电极与三极管Q4的发射极连接，三极管Q1和三极管Q2的发射极之间连接有可变电阻，三极管Q3和三极管Q4的集电极连接到输出变压器T2的输入端；本实施例的供电单元为四个三极管进行供电，包括电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15及电容C6，电阻R12的两端分别连接三极管Q3、三极管Q4的基极，电容C6的一端接地，另一端与电阻R15的一端连接，电阻R15的另一端连接在电阻R13和电阻R14的并联端，电阻R13、电阻R14分别与三极管Q3、三极管Q4的基极连接，外部电压通过输入变压器T1，经电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15为各个三极管供电。本实施例还包括电阻R1、电阻R2和电容C1，电阻R1的一端与三极管Q1的基极连接，另一端接地；所述电阻R2的一端与三极管Q2的基极连接，另一端接地；所述电容C1的一端与电阻R15连接，另一端接地。优选的，本实施例的可变电阻包括电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11，电阻R6与电阻R7并联，电阻R6与电阻R7的其中一个并联端接地，另一个并联端与三极管Q1的发射极连接；电阻R8与电阻R9并联，电阻R8与电阻R9的其中一个并联端接地，另一个并联端与三极管Q2的发射极连接；电阻R10和电阻R11并联，电阻R10和电阻R11的其中一个并联端与三极管Q1的发射极连接，另一个并联端与三极管Q2的发射极连接。优选的，本实施例还包括依次串联的电阻R5、电容C3、电阻R3、电阻R4、电容C2、电阻R16，电阻R5与三极管Q3的集电极连接，电阻R16与三极管Q4的集电极连接。优选的，本实施例还包括电容C5，电容C5的一端与电阻R5连接，另一端接地。本实施例的信号处理流程为：输入信号经平衡-不平衡变压器（巴伦）T1分为两路相差为180°的反相信号，一路经过三极管Q1、Q3组成的共射共基放大器放大，另一路经过三极管Q2、Q4组成的共射共基放大器放大，通过输出变压器T2进行同相合成输出。其中，电阻R1、R3三极管Q1的基极偏置电阻，电阻R2、R4为三极管Q2的基极偏置电阻，电阻R6、R7为三极管Q1的发射极电阻，电阻R8、R9为三极管Q2的发射极极电阻；电阻R10、R11为三极管Q1和Q2的平衡电阻；电阻R13、R14、R15为三极管Q3和Q4的偏置电阻，R12为三极管Q3和Q4的平衡电阻；电容C3、电阻R5和电阻C2、电阻R16为共射共基的负反馈元件；三极管Q1、Q2为共射放大器，主要进行信号的电流放大，三极管Q3、Q4为共基放大器，主要进行对信号的电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于双通道短波射频预处理的高线性放大器，其特征在于：包括输入变压器T1、输出变压器T2、放大单元和供电单元，所述输入变压器T1为平衡‑不平衡变压器，所述放大单元包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4，所述三极管Q1和三极管Q2的基极分别与输入变压器T1的输出端连接，三极管Q1的集电极与三极管Q3的发射极连接，三极管Q2的集电极与三极管Q4的发射极连接，三极管Q1和三极管Q2的发射极之间连接有可变电阻，三极管Q3和三极管Q4的集电极连接到输出变压器T2的输入端；所述供电单元包括电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15及电容C6，所述电阻R12的两端分别连接三极管Q3、三极管Q4的基极，电容C6的一端接地，另一端与电阻R15的一端连接，电阻R15的另一端连接在电阻R13和电阻R14的并联端，所述电阻R13、电阻R14分别与三极管Q3、三极管Q4的基极连接；还包括电阻R1、电阻R2和电容C1，所述电阻R1的一端与三极管Q1的基极连接，另一端接地；所述电阻R2的一端与三极管Q2的基极连接，另一端接地；所述电容C1的一端与电阻R15连接，另一端接地。

【技术特征摘要】
1.用于双通道短波射频预处理的高线性放大器，其特征在于：包括输入变压器T1、输出变压器T2、放大单元和供电单元，所述输入变压器T1为平衡-不平衡变压器，所述放大单元包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4，所述三极管Q1和三极管Q2的基极分别与输入变压器T1的输出端连接，三极管Q1的集电极与三极管Q3的发射极连接，三极管Q2的集电极与三极管Q4的发射极连接，三极管Q1和三极管Q2的发射极之间连接有可变电阻，三极管Q3和三极管Q4的集电极连接到输出变压器T2的输入端；
所述供电单元包括电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15及电容C6，所述电阻R12的两端分别连接三极管Q3、三极管Q4的基极，电容C6的一端接地，另一端与电阻R15的一端连接，电阻R15的另一端连接在电阻R13和电阻R14的并联端，所述电阻R13、电阻R14分别与三极管Q3、三极管Q4的基极连接；
还包括电阻R1、电阻R2和电容C1，所述电阻R1的一端与三极管Q1的基极连接，另一端接地；所述电阻R2的一端与三极管Q2的基极连接，另一端接地；...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝温利，
申请(专利权)人：成都中亚通茂电子有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51