调整射频放大器线性度的电路设计制造技术

本发明专利技术的调整射频放大器线性度的电路设计，包括：主放大晶体管、其栅极连接第一节点，漏极连接第二节点，源极连接第三节点；补偿电路，所述补偿电路包括：第一PMOS晶体管，其源极连接第四节点，漏极连接所述第二节点，栅极与所述第一节点之间串联第一电容，其栅极与所述第一电容之间并联第一电阻；第一NMOS晶体管，其源极连接所述第三节点，其漏极连接所述第二节点，其栅极与所述第一节点之间串联第二电容，其栅极与所述第二电容之间并联第二电阻；其中，所述第一节点并联连接射频输入端和第一偏置电位，所述第三节点通过第一电感接地。本发明专利技术中，可以对主放大晶体管的饱和区和线性区的三阶跨导进行补偿，从而改善射频放大器的大小信号的线性度。

【技术实现步骤摘要】
调整射频放大器线性度的电路设计
本专利技术涉及通信
，尤其涉及一种调整射频放大器线性度的电路设计。
技术介绍
射频功率放大器是无线通信基站系统中的关键部件，其性能将直接影响通信产品的成本、性能、体积、稳定性等指标。射频功率放大器的效率和线性度是学者们近年来研究最多的两个指标。现有技术中，射频放大器的跨导补偿电路图参考图1所示，补偿电路包括放大晶体管MMT和补偿晶体管MAT，放大晶体管MMT和补偿晶体管MAT的栅极分别通过电容CMT和CAT连接射频输入端，放大晶体管MMT的栅极与电容CMT之间并联电阻RMT，补偿晶体管MAT的栅极与电容CAT之间并联电阻RAT，放大晶体管MMT的源极通过电感L接地，电阻RMT和电阻RAT分别连接偏置电位VMT和VAT。补偿晶体管MAT的漏极电流即为射频放大器的输出电流。通常射频放大器的非线性主要来自于放大晶体管MAT的三阶跨导，因此，在放大晶体管MAT并联弱反型区的补偿晶体管MAT，调整偏置电压VMT和VAT以及放大晶体管MAT和补偿晶体管MAT的尺寸，使得放大晶体管MAT和补偿晶体管MAT的三阶跨导大小近似相等符号相反，从而实现放大晶体管MA和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调整射频放大器线性度的电路设计，其特征在于，包括：主放大晶体管，其栅极连接第一节点，漏极连接第二节点，源极连接第三节点；第一补偿电路，所述第一补偿电路包括：第一PMOS晶体管，其源极连接第四节点，漏极连接所述第二节点，栅极与所述第一节点之间串联第一电容，其栅极与所述第一电容之间并联第一电阻；第一NMOS晶体管，其源极连接所述第三节点，其漏极连接所述第二节点，其栅极与所述第一节点之间串联第二电容，其栅极与所述第二电容之间并联第二电阻；其中，所述第一节点处并联连接射频输入端和第一偏置电位，所述第三节点通过第一电感接地。

【技术特征摘要】
1.一种调整射频放大器线性度的电路结构，其特征在于，包括：主放大晶体管，其栅极连接第一节点，漏极连接第二节点，源极连接第三节点；第一补偿电路，所述第一补偿电路包括：第一PMOS晶体管，其源极连接第四节点，漏极连接所述第二节点，栅极与所述第一节点之间串联第一电容，其栅极与所述第一电容之间并联第一电阻；第一NMOS晶体管，其源极连接所述第三节点，其漏极连接所述第二节点，其栅极与所述第一节点之间串联第二电容，其栅极与所述第二电容之间并联第二电阻；其中，所述第一节点处并联连接射频输入端和第一偏置电位，所述第三节点通过第一电感接地；所述调整射频放大器线性度的电路结构还包括第二补偿电路，所述第二补偿电路：第二PMOS晶体管，其源极连接所述第四节点，漏极连接所述第二节点，其栅极与所述第一节点之间连接第三电容，其栅极与所述第三电容之间并联第三电阻；第二NMOS晶体管，其源极连接所述第三节点，其漏极连接所述第二节点，其栅极与所述第一节点之间连接第四电容，其栅极与所述第四电容之间并联第四电阻。2.如权利要求1所述的调整射频放大器线性度的电路结构，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴若凡，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31