The invention discloses a RF power amplifier structure is stack based on the feedback, including the input matching circuit, output broadband matching circuit, A bias circuit, B bias circuit, and at least two transistors connected to power stacked gate transistor amplifying circuit; the bottom of the signal source is connected with a power amplifier the input matching circuit circuit, bias circuit B is connected to the gate bias circuit; A connected power amplifier circuit the gate of the transistor; a feedback capacitor is connected between the gate and the source of the transistor transistor; the top of the drain through the output of broadband matching circuit is connected with the load. The circuit structure of the invention improves the linearity of the RF power amplifier and voltage capacity, but also can improve the output voltage of the RF power amplifier swing, bandwidth and power efficiency, power gain and maximum output power, and has a good inhibitory effect of the two harmonic.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种功率放大器,尤其涉及一种射频功率放大器。
技术介绍
射频功率放大器是现代无线通信系统的重要组成部分,能将功率很小的射频信号无失真地进行功率放大,进而通过天线辐射出去。随着便携式设备的功能模块和现代通信系统的调制方式越来越复杂,如为满足不同用户的使用需要,无线手机一般都支持两种或两种以上的网络制式,且为了满足用户的大数据要求,现代通信系统采用诸如QPSK等调制方式,这要求应用于新一代通信系统的功率放大器必须有着较高的功率效率、线性度与带宽。另外,随着便携式设备的功能模块越来越复杂,将各个功能模块集成在一块芯片上,将大大缩短设备制造商的量产和加工时间,并减少在流片方面的资金消耗,因此,如何减小芯片的有效面积和用廉价的工艺在单一芯片上实现整个射频模组具有重要的研究意义。由于硅工艺是最为成熟的,也是成本最低、集成度最高且与多数无线收发机的基带处理部分工艺相兼容,因此,硅CMOS工艺是单片实现各个模块集成的理想方案,不过CMOS工艺自身存在着物理缺陷,如低击穿电压和较差的电流能力等。工作于低电压的功率放大器,需要通过减小负载阻值进而增大电流的方法来提高输出功率,然后,这种方法使输出匹配电路的设计变得异常困难。在中国专利201510150849.1中,通过采用共源共栅结构的射频功率放大器结构来提升功率级的耐压能力,然而共源共栅结构的第二个晶体管的栅极因去耦电容在交流时呈接地状 ...
【技术保护点】
一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器,其特征在于:该射频功率放大器包括输入匹配电路,输出宽带匹配电路,偏置电路A,偏置电路B,以及至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路;其中,射频信号源通过所述输入匹配电路连接所述功率放大电路的最底层的晶体管的栅极,所述偏置电路B连接所述最底层晶体管的栅极;所述偏置电路A连接所述功率放大电路的除所述最底层晶体管的其余晶体管的栅极;所述其余晶体管的栅极和源极之间连接有反馈电容;所述功率放大电路最上层的晶体管的漏极通过所述输出宽带匹配电路连接负载。
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器,其特征在于:该射频功
率放大器包括输入匹配电路,输出宽带匹配电路,偏置电路A,偏置电路B,
以及至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路;其中,射频信
号源通过所述输入匹配电路连接所述功率放大电路的最底层的晶体管的栅极,
所述偏置电路B连接所述最底层晶体管的栅极;所述偏置电路A连接所述功
率放大电路的除所述最底层晶体管的其余晶体管的栅极;所述其余晶体管的栅
极和源极之间连接有反馈电容;所述功率放大电路最上层的晶体管的漏极通过
所述输出宽带匹配电路连接负载。
2.根据权利要求1所述的基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器,其特
征在于:所述偏置电路A和偏置电路B由一个整合的偏置电路代替。
3.根据权利要求1所述的基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器,其特
征在于:所述最底层晶体管的源极直接接地。
4.根据权利要求1所述的基于正反馈的堆叠结构的射频功率放大器,其特
技术研发人员:林俊明,章国豪,张志浩,余凯,黄亮,
申请(专利权)人:广东工业大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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