短波大功率合成器制造技术

本实用新型专利技术提出了一种短波大功率合成器，包括多路合成器，每路所述合成器包括输出驻波比匹配单元、反射信号传输单元、隔离电阻单元；每路所述合成器中的所述输出驻波比匹配单元的一端连接另一端接地的隔离电阻单元的一端，且都与反射信号传输单元的一端连接，每路所述合成器中的所述输出驻波比匹配单元的另一端共接一接地隔离电阻，每路所述合成器中的反射信号传输单元的另一端共地。本实用新型专利技术简化了合成器的电路，避免使用电桥、传输线变压器等体积较大的元器件，同时还采用分立器件，可以将体积做的比较小，大大缩小了短波大功率合成器的体积。

Short wave high power synthesizer

The utility model provides a high-power HF synthesizer, including multi-channel synthesizer, each including the synthesizer output in Bobbi, reflecting unit, a signal transmission unit, isolation resistance unit; one end of the isolation resistance unit of each path of the synthesizer in the output in Bobbi matching unit is connected with one end of the other end of the ground, and end with the reflected signal transmission unit connected to the other end of each path of the synthesizer in the output of the matching unit in Bobbi received a ground isolation resistance, each path of the synthesizer of the reflected signal transmission unit and the other end is. The utility model simplifies the circuit of the synthesizer, avoids the use of large components such as electric bridge, transmission line transformer and so on, and adopts discrete devices at the same time, which can reduce the volume of the short wave and greatly reduce the volume of the short wave high-power synthesizer.

【技术实现步骤摘要】
短波大功率合成器
本技术涉及放大器
，特别涉及一种短波大功率合成器。
技术介绍
目前市场上的单个功率管输出能力有限，制约了设备的总输出功率，需要进行功率合成再能达到要求。虽然有一些公司推出了单个输出1KW的功率管，但是价格及其昂贵，并且由于单管输出功率高，产生热耗也大，如果由于散热不好导致功率管损坏，就会造成成本的极大浪费。功率合成器利用多个功率放大电路同时对输入信号进行放大，然后设法将各个功放的输出信号相加,这样得到的总输出功率可以远远大于单个功放电路的输出功率，输出功率可以远远大于单个功放电路的输出功率。既能有效的提高发射功率，又能降低设备的生产成本。在射频领域的功率合成通常采用各种形式的电桥、传输线变压器、威尔金森合成器等几种方式。但它们分别存在以下不足，波导型的合成电桥能承受大功率，但在激光射频场合是无法使用的。而通常的微带电桥和双芯电缆电桥因为结构上的原因只能在中小功率下使用；用微带线设计的威尔金森合成器的尺寸太长，微带线也难以通过千瓦以上大功率；传输线变压器合成器结构简单，但在千瓦级以上不仅磁芯尺寸大大增加，而且磁芯发热集中，温度升高使合成器的性能发生变化，合成器的阻抗也不易控制。集总参数功率合成器目前还有一些自身的问题需要解决：1.布局不方便，装配繁琐。集总参数功率合成器不是纯平面的合成器，而是利用了空间进行布局，如果布局不合理，就会导致产品装配繁琐，生产效率低下。2.散热问题。如果有功率模块损坏时，合成器会吸收由于不对称性产生的能量，势必会发热，这就需要合成器能够有良好的散热。
技术实现思路
本技术的目的旨在至少解决所述技术缺陷之一。为此，本技术的目的在于提出一种短波大功率合成器，简化合成器的电路，大大缩小合成器的体积，提高了散热效果。为了实现上述目的，本技术提供一种短波大功率合成器，包括：多路合成器，每路所述合成器包括输出驻波比匹配单元、反射信号传输单元、隔离电阻单元；每路所述合成器中的所述输出驻波比匹配单元的一端连接另一端接地的隔离电阻单元的一端，且都与反射信号传输单元的一端连接，每路所述合成器中的所述输出驻波比匹配单元的另一端共接一接地隔离电阻，每路所述合成器中的反射信号传输单元的另一端共地；在每路所述合成器中，所述反射信号传输单元包括同轴线缆和接地电阻，所述隔离电阻单元包括隔离电阻，所述输出驻波比匹配单元包括LC电路，所述LC电路的一端接所述同轴线缆的一端、所述隔离电阻的一端，所述同轴线缆的另一端与接地电阻连接，所述隔离电阻的另一端接地。进一步的，所述LC电路包括第一匹配电感、第二匹配电感、匹配电容，所述第一匹配电感的一端连接第二匹配电感的一端，且所述第一匹配电感与第二匹配电感的连接端都接匹配电容的一端，所述匹配电容的另一端接地，所述第二匹配电感的另一端接所述同轴线缆的一端。进一步的，每路所述合成器中的隔离电阻都与散热器连接。进一步的，每路所述合成器中的接地电阻共地。进一步的，所述LC电路中的匹配电容、匹配电感都选用分立器件。进一步的，所述同轴线缆的接地端共地。本技术的有益效果如下：1、本技术简化了合成器的电路，避免使用电桥、传输线变压器等体积较大的元器件，同时还采用分立器件，可以将体积做的比较小，大大缩小了短波大功率合成器的体积。2、本技术采用多路相同的合成器组建而成，所采用的匹配电阻、匹配电容可以有效的降低传输损耗及合成损耗，提高合成效率。3、本技术的每路合成器都隔离电阻将隔离电阻吸收不平衡的功率引到单独的散热器上面，能够很好的解决散热问题，避免散热不良。4、本技术将输入的信号通过LC进行输出，并且通过LC匹配保证输出端口的驻波比，再将反射信号通过同轴电缆进行传输，利于合成器的布局、安装。5、本技术能够提高生产效率，降低设备的损坏率，提高产品的热稳定性，能够为企业节省生产成本，并且节省了因为合成器损坏而给企业造成的后续维修费用。本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本技术的结构框图；图2为本技术的6路合成器的电路原理图。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。一般的集总参数合路器是由匹配电感、匹配电容、隔离电阻等组成，2路输出时，比较容易完成装配生产。但是合成路数增加时，就会导致隔离电阻的安装是个问题，并且由于安装不好还会对产品的热稳定性造成影响，不利于产品的长时间工作。本技术提供一种短波大功率合成器，能够很好的解决上述问题，参考附图1，包括：多路合成器1，每路所述合成器1包括输出驻波比匹配单元11、反射信号传输单元13、隔离电阻单元12；每路所述合成器1中的所述输出驻波比匹配单元11的一端连接另一端接地的隔离电阻单元12的一端，且都与反射信号传输单元13的一端连接，每路所述合成器中的所述输出驻波比匹配单元11的另一端共接一接地隔离电阻，每路所述合成器1中的反射信号传输单元13的另一端共地。在每路所述合成器1中，所述反射信号传输单元13包括同轴线缆和接地电阻，所述隔离电阻单元12包括隔离电阻，所述输出驻波比匹配单元11包括LC电路，所述LC电路的一端接所述同轴线缆的一端、所述隔离电阻的一端，所述同轴线缆的另一端与接地电阻连接，所述隔离电阻的另一端接地。所述LC电路包括第一匹配电感、第二匹配电感、匹配电容，所述第一匹配电感的一端连接第二匹配电感的一端，且所述第一匹配电感与第二匹配电感的连接端都接匹配电容的一端，所述匹配电容的另一端接地，所述第二匹配电感的另一端接所述同轴线缆的一端。此外，每路所述合成器中的隔离电阻都与散热器连接。每路所述合成器中的接地电阻共地。所述LC电路中的匹配电容、匹配电感都选用分立器件。所述同轴线缆的接地端共地。工作原理：信号进入到输出驻波比匹配单元，由LC电路进行输出，并且通过LC电路匹配保证输出端口的驻波比，然后输出的反射信号通过同轴电缆进行传输，同时通过隔离电阻吸收不平衡的功率，并由隔离电阻将不平衡的功率引到单独的散热器上面，能够很好的解决散热问题。以6路合成器为例，6路合成器的电路原理图如图2所示。图2中，第一路合成器包括匹配电感L1、匹配电感L2、匹配电容C1、同轴线缆TL2、接地电阻R1、隔离电阻RT1；第二路合成器包括匹配电感L3、匹配电感L4、匹配电容C2、同轴线缆TL3、接地电阻R2、隔离电阻RT2；第三路合成器包括匹配电感L5、匹配电感L6、匹配电容C3、同轴线缆TL4、接地电阻R3、隔离电阻RT3；第四路合成器包括匹配电感L7、匹配电感L8、匹配电容C4、同轴线缆TL5、接地电阻R4、隔离电阻RT4；第五路合成器包括匹配电感L9、匹配电感L10、匹配电容C5、同轴线缆TL6、接地电阻R5、隔离电阻RT5；第六路合成器包括匹配电感L11、匹配电感L12、匹配电容C6、同轴线缆TL7本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种短波大功率合成器，其特征在于，包括：多路合成器，每路所述合成器包括输出驻波比匹配单元、反射信号传输单元、隔离电阻单元；每路所述合成器中的所述输出驻波比匹配单元的一端连接另一端接地的隔离电阻单元的一端，且都与反射信号传输单元的一端连接，每路所述合成器中的所述输出驻波比匹配单元的另一端共接一接地隔离电阻，每路所述合成器中的反射信号传输单元的另一端共地；在每路所述合成器中，所述反射信号传输单元包括同轴线缆和接地电阻，所述隔离电阻单元包括隔离电阻，所述输出驻波比匹配单元包括LC电路，所述LC电路的一端接所述同轴线缆的一端、所述隔离电阻的一端，所述同轴线缆的另一端与接地电阻连接，所述隔离电阻的另一端接地。

【技术特征摘要】
1.一种短波大功率合成器，其特征在于，包括：多路合成器，每路所述合成器包括输出驻波比匹配单元、反射信号传输单元、隔离电阻单元；每路所述合成器中的所述输出驻波比匹配单元的一端连接另一端接地的隔离电阻单元的一端，且都与反射信号传输单元的一端连接，每路所述合成器中的所述输出驻波比匹配单元的另一端共接一接地隔离电阻，每路所述合成器中的反射信号传输单元的另一端共地；在每路所述合成器中，所述反射信号传输单元包括同轴线缆和接地电阻，所述隔离电阻单元包括隔离电阻，所述输出驻波比匹配单元包括LC电路，所述LC电路的一端接所述同轴线缆的一端、所述隔离电阻的一端，所述同轴线缆的另一端与接地电阻连接，所述隔离电阻的另一端接地。2.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：白涛峰，
申请(专利权)人：中电新元科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13