一种新型矩形波导功率合成器制造技术

本发明专利技术涉及波导功率合成器，尤其涉及一种新型矩形波导功率合成器包括矩形波导、同轴连接器、干扰棒、支撑架和散热片，同轴连接器分别安装在矩形波导的左侧面和右侧面上，同轴连接器与矩形波导的腔体相连通，干扰棒安装在矩形波导的左侧面或右侧面上，干扰棒的头部位于矩形波导腔体的外部，干扰棒的尾部位于矩形波导的腔体中，支撑架安装在矩形波导上，散热片分别设置在矩形波导的上表面和下表面上。本发明专利技术结构简单、相位一致性高、驻波系数和插入损耗通过干扰棒进行调节，满足了设计要求，有效的实现了等相位的波导合成，合成后的波导功率大，功率容量大，有效的满足了当前大功率固态放大器的应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及波导功率合成器，尤其涉及一种新型矩形波导功率合成器。
技术介绍
随着现代固态放大器技术的发展，传统的速调管、磁控管、行波管等微波功率放大器将逐步被高性能的固态放大器所取代。对于大功率固态放大器，等相位功率合成是一大技术难点，特别是在超大功率情况下，需要波导输出时，需要将同轴小功率用波导合成器合成为大功率。而相位一致性、驻波系数和插入损耗是影响功率合成效率的因素。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于提供一种功率损耗低、驻波系数和相位一致性高的新型矩形波导功率合成器。实现本专利技术目的的技术方案是：一种新型矩形波导功率合成器，包括矩形波导、同轴连接器、干扰棒、支撑架和散热片，同轴连接器分别安装在矩形波导的左侧面和右侧面上，同轴连接器与矩形波导的腔体相连通，干扰棒安装在矩形波导的左侧面或右侧面上，干扰棒的头部位于矩形波导腔体的外部，干扰棒的尾部位于矩形波导的腔体中，支撑架安装在矩形波导上，散热片分别设置在矩形波导的上表面和下表面上。作为本专利技术的优化方案，同轴连接器内导体深入矩形波导腔体中的长度相同。作为本专利技术的优化方案，干扰棒位于矩形波导的左侧面或者右侧面的中间位置。作为本专利技术的优化方案，矩形波导同侧面的同轴连接器关于矩形波导腔体的中心面对称。作为本专利技术的优化方案，矩形波导的一端设置有法兰盘，矩形波导的另一端为封闭结构，矩形波导的另一端的外侧设置有散热片，矩形波导的一端作为新型矩形波导功率合成器的输出端，同轴连接器作为新型矩形波导功率合成器的输入端。本专利技术具有积极的效果：本专利技术结构简单、相位一致性高、驻波系数和插入损耗通过干扰棒进行调节，满足了设计要求，有效的实现了等相位的波导合成，合成后的波导功率大，功率容量大，有效的满足了当前大功率固态放大器的应用需求。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明：图1为本专利技术的结构图；图2为本专利技术的实施例图。其中：1、矩形波导，2、同轴连接器，3、干扰棒，4、支撑架，5、散热片，6、法兰盘。具体实施方式如图1和图2所示，本专利技术公开了一种新型矩形波导功率合成器，包括矩形波导1、同轴连接器2、干扰棒3、支撑架4和散热片5，同轴连接器2分别安装在矩形波导1的左侧面和右侧面上，同轴连接器2与矩形波导1的腔体相连通，干扰棒3安装在矩形波导1的左侧面或右侧面上，干扰棒3的头部位于矩形波导1腔体的外部，干扰棒3的尾部位于矩形波导1的腔体中，支撑架4安装在矩形波导1上，散热片5分别设置在矩形波导1的上表面和下表面上。其中，散热片5可以增加该新型矩形波导功率合成器的散热面积。支撑架4主要用于固定该新型矩形波导功率合成器，同时还可以保持新型矩形波导功率合成器与其它的波导耦合器等高。同轴连接器2内导体深入矩形波导1腔体中的长度相同。相位一致性越高，合成的功率越大，相位一致性要求同轴连接器2内导体的深入深度要相同。干扰棒3位于矩形波导1的左侧面或者右侧面的中间位置。干扰棒3可以通过螺纹连接在矩形波导1的左侧面或右侧面上，干扰棒3通过螺纹来调节进入矩形波导1腔体中深度。矩形波导1同侧面的同轴连接器2关于矩形波导1腔体的中心面对称。该种设计可以确保该新型矩形波导功率合成器的相位一致性。其中，矩形波导1腔体的中心面为两干扰棒3所在的水平面。矩形波导1的一端设置有法兰盘6，矩形波导1的另一端为封闭结构，矩形波导1的另一端外侧设置有散热片5，矩形波导1的一端作为新型矩形波导功率合成器的输出端，同轴连接器2作新型矩形波导功率合成器的输入端。采用了法兰盘6降低了高频损耗。其中，散热片5与矩形波导1为一体成形结构。理想状态下驻波比为1是最好的，但是实际上达到1.5就足够了，由于加工误差的存在会影响到驻波比，故要用干扰棒3来进行调节。理想情况下，新型矩形波导功率合成器输入端与输出端的插入损耗分别都是相同的，但由于加工误差等原因会导致同轴连接器2的插入损耗出现偏差，故要用干扰棒3来调节，尽量使它们相同并接近理想数值-7.78dB，其中，插入损耗是指使用新型矩形波导功率合成器和没有使用新型矩形波导功率合成器的功率损失。以上所述的具体实施例，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施例而已，并不用于限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型矩形波导功率合成器，其特征在于：包括矩形波导(1)、同轴连接器(2)、干扰棒(3)、支撑架(4)和散热片(5)，所述的同轴连接器(2)分别安装在矩形波导(1)的左侧面和右侧面上，所述的同轴连接器(2)与矩形波导(1)的腔体相连通，所述的干扰棒(3)安装在矩形波导(1)的左侧面或右侧面上，干扰棒(3)的头部位于矩形波导(1)腔体的外部，干扰棒(3)的尾部位于矩形波导(1)的腔体中，所述的支撑架(4)安装在矩形波导(1)上，所述的散热片(5)分别设置在矩形波导(1)的上表面和下表面上。

【技术特征摘要】
1.一种新型矩形波导功率合成器，其特征在于：包括矩形波导(1)、同轴连接器(2)、
干扰棒(3)、支撑架(4)和散热片(5)，所述的同轴连接器(2)分别安装在矩形波导(1)
的左侧面和右侧面上，所述的同轴连接器(2)与矩形波导(1)的腔体相连通，所述的干扰
棒(3)安装在矩形波导(1)的左侧面或右侧面上，干扰棒(3)的头部位于矩形波导(1)
腔体的外部，干扰棒(3)的尾部位于矩形波导(1)的腔体中，所述的支撑架(4)安装在矩
形波导(1)上，所述的散热片(5)分别设置在矩形波导(1)的上表面和下表面上。
2.根据权利要求1所述的一种新型矩形波导功率合成器，其特征在于：同轴连接器(2)
内导体深入矩形波导(1)腔体...

【专利技术属性】
技术研发人员：张力平，孙安，左秀权，
申请(专利权)人：江苏德佐电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32