一种GaN功率放大器漏极电压控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种GaN功率放大器漏极电压控制电路，包括一个稳压二极管V2、一个NPN型三极管V3、一个PMOS管V1、电阻R1、R2、R3、R4、R5；其中VCC为+28V，当

【技术实现步骤摘要】
一种GaN功率放大器漏极电压控制电路


[0001]本技术涉及电子通信
，尤其是涉及一种GaN功率放大器漏极电压控制电路。

技术介绍

[0002]功率放大器是通信、雷达、电子对抗及遥控遥测系统中的必不可少的重要部件，它位于射频发射系统的末端，主要功能是将基带板产生的射频调制信号进行放大输出，并通过天线进行发射。随着通信、电子对抗、微波测量等对发射功率要求越来越高，GaN功率放大器凭借其高功率、高效率特点在固态发射机中应用日渐普及。
[0003]因大功率射频信号对人体具有一定的辐射伤害，总体单位一般会要求发射机具有小功率输出功能。小功率输出功能实现根据总体的不同要求，通常有放大链路设计衰减器、关断末级放大器漏极供电等形式。
[0004]结合GaN器件特点，为保证GaN功率放大器不损坏，需遵循上电时先供栅压后供漏压，下电时先下漏压后下栅压的顺序。因此每次对放大器漏极电压通断进行切换时，需确保栅极供电正常，以避免损坏GaN器件，即需设计上电时序控制电路。通常时序控制电路和漏极供电控制电路为独立两个电路单元进行设计(如图1与图2所示)，随着军用产品国产化的推进，生产成本大幅度提高，小型化难度增加。
[0005]为此，提出一种GaN功率放大器漏极电压控制电路。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种GaN功率放大器漏极电压控制电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0007]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种GaN功率放大器漏极电压控制电路，包括一个稳压二极管V2、一个NPN型三极管V3、一个PMOS管V1、电阻R1、R2、R3、R4、R5；
[0008]其中VCC为+28V，当
‑
5V供电正常时，漏极控制电压(TTL)通过二极管V2负极输入；
[0009]其中TTL为高电平时，则PMOS管栅极电压为VCC通过电阻R1与电阻R2+电阻R5产生分压，使PMOS管Vg＜Vs，PMOS管导通；
[0010]其中TTL为低电平时，NPN型三极管V3集电极和发射极截止，PMOS管V1的栅极通过电阻R1连接至VCC，则Vg＝Vs＝VCC，PMOS管截至，GaN漏极无供电。
[0011]优选的，漏极可为GaN功率放大器漏极供电。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0013]本电路时序控制工作过程如下：当无
‑
5V时，稳压二极管V2不工作，无论TTL控制为高电平或低电平，三极管V3的Vb＝Ve，则V3均处于关断状态，此时PMOS管V1的栅源电压相等即Vg＝Vs，为关断状态，GaN漏极无供电，放大器不工作。实现了功率放大器栅极无负压时，漏极不能供电，保证了GaN放大器电源时序控制，不会因为栅极无负压而漏压有供电损坏功
率放大器，提高了GaN功率放大器使用可靠性。
[0014]本电路漏压控制电路工作过程如下：当GaN功率放大器栅极有负压供电时，若TTL控制为高电平，通过稳压二极管V2，将三极管V3基极电压Vb稳压至0V，此时V3射极供电为
‑
5V，则Vb＞Ve＞0.7V，三极管V3导通，通过电阻R1、R2、R5分压，PMOS管V1栅极电压约为Vg＝1/2(VCC
‑
(
‑
5V)),Vg＜Vs，PMOS管V1导通，GaN漏极供电正常；若TTL控制为低电平，通过稳压二极管V2，将三极管V3基极电压Vb稳压至
‑
5V，此时V3射极供电为
‑
5V，则Vb＝Ve，三极管V3不导通，PMOS管V1的栅极通过电阻R1与源极相连，栅源电压相等Vg＝Vs，PMOS管不导通，GaN功率放大器漏极无供电。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1为传统上下电时序控制电路；
[0017]图2为传统漏压控制电路；
[0018]图3为本技术的时序控制与漏压控制结合电路。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]请参阅图1至图3，本技术提供一种技术方案：
[0021]一种GaN功率放大器漏极电压控制电路，包括一个稳压二极管V2、一个NPN型三极管V3、一个PMOS管V1、电阻R1、R2、R3、R4、R5；
[0022]其中VCC为+28V，当
‑
5V供电正常时，漏极控制电压(TTL)通过二极管V2负极输入；
[0023]其中TTL为高电平时，则PMOS管栅极电压为VCC通过电阻R1与电阻R2+电阻R5产生分压，使PMOS管Vg＜Vs，PMOS管导通，漏极可为GaN功率放大器漏极供电。
[0024]其中TTL为低电平时，NPN型三极管V3集电极和发射极截止，PMOS管V1的栅极通过电阻R1连接至VCC，则Vg＝Vs＝VCC，PMOS管截至，GaN漏极无供电。
[0025]工作原理：
[0026]本电路时序控制工作过程如下：当无
‑
5V时，稳压二极管V2不工作，无论TTL控制为高电平或低电平，三极管V3的Vb＝Ve，则V3均处于关断状态，此时PMOS管V1的栅源电压相等即Vg＝Vs，为关断状态，GaN漏极无供电，放大器不工作。实现了功率放大器栅极无负压时，漏极不能供电，保证了GaN放大器电源时序控制，不会因为栅极无负压而漏压有供电损坏功率放大器，提高了GaN功率放大器使用可靠性。
[0027]本电路漏压控制电路工作过程如下：当GaN功率放大器栅极有负压供电时，若TTL控制为高电平，通过稳压二极管V2，将三极管V3基极电压Vb稳压至0V，此时V3射极供电为
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5V，则Vb＞Ve＞0.7V，三极管V3导通，通过电阻R1、R2、R5分压，PMOS管V1栅极电压约为Vg＝1/2(VCC
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5V)),Vg＜Vs，PMOS管V1导通，GaN漏极供电正常；若TTL控制为低电平，通过稳压二极管V2，将三极管V3基极电压Vb稳压至
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5V，此时V3射极供电为
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5V，则Vb＝Ve，三极管V3不导通，PMOS管V1的栅极通过电阻R1与源极相连，栅源电压相等Vg＝Vs，PMOS管不导通，GaN功率放大器漏极无供电。
[0028]最后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN功率放大器漏极电压控制电路，其特征在于，包括一个稳压二极管V2、一个NPN型三极管V3、一个PMOS管V1、电阻R1、R2、R3、R4、R5；其中VCC为+28V，当
‑
5V供电正常时，漏极控制电压(TTL)通过二极管V2负极输入；其中TTL为高电平时，则PMOS管栅极电压为VCC通过电阻R1与电阻R2...

【专利技术属性】
技术研发人员：张玉斌，
申请(专利权)人：中电新元科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：