本实用新型专利技术涉及一种雷达脉冲激励放大器的放大系统，其特征在于：包括前级放大单元、中级放大单元和末级放大单元，所述前级放大单元内设置有MOSFET场效应管，所述中级放大单元内设置有第一LDMOS射频功率管，所述末级放大单元内设置有第二LDMOS射频功率管，所述前级放大单元和中级放大单元内均设置有RC负反馈网络，用于增加功放的增益平坦度，所述末级放大单元内设置有两级相串联的LC匹配网络，两级所述LC匹配网络设置于末级放大单元的前端并与中级放大单元的输出端连接。本实用新型专利技术能够有效提高放大器的带宽和输出功率，同时能够对电路元件起到保护效果，降低放大器的故障发生率，减少成本。减少成本。减少成本。
【技术实现步骤摘要】
一种雷达脉冲激励放大器的放大系统
[0001]本技术属于放大器
，具体涉及一种雷达脉冲激励放大器的放大系统。
技术介绍
[0002]雷达脉冲激励放大器主要用于雷达系统，为了克服传输损耗以及扩大信号辐射范围，脉冲信号需要通过脉冲激励放大器放大到指定的激励并通过天线向外界辐射，脉冲激励放大器通常工作在窄脉宽、高峰值功率状态下，脉冲激励放大器作为雷达系统的前级，其发射功率的大小将直接决定整个系统的作用效果与距离。近些年来，半导体材料发展迅速，研究表明，GaN材料具有大的禁带宽度、优越的电子迁移率、高的饱和电子漂移速度等优点，GaN射频功率放大管广泛应用于高频带宽的应用场景，但是现有的GaN射频功率管单体的输出功率较低，且放大器的工作环境较为恶劣，容易出现故障进而造成较高的成本。
技术实现思路
[0003]本技术的目的是为了克服现有技术的不足，而提供一种雷达脉冲激励放大器的放大系统，能够有效提高放大器的带宽和输出功率，同时能够对电路元件起到保护效果，降低放大器的故障发生率，减少成本。
[0004]本技术采用的技术方案为：一种雷达脉冲激励放大器的放大系统，其特征在于：包括前级放大单元、中级放大单元和末级放大单元，所述前级放大单元内设置有MOSFET场效应管，所述中级放大单元内设置有第一LDMOS射频功率管，所述末级放大单元内设置有第二LDMOS射频功率管，所述前级放大单元和中级放大单元内均设置有RC负反馈网络，用于增加功放的增益平坦度，所述末级放大单元内设置有两级相串联的LC匹配网络，两级所述LC匹配网络设置于末级放大单元的前端并与中级放大单元的输出端连接。
[0005]优选的，所述MOSFET场效应管设置有一个，其功率为4W，增益为18dB。
[0006]优选的，所述第一LDMOS射频功率管设置有一个，其功率为25W，增益为23dB。
[0007]优选的，所述第二LDMOS射频功率管设置有一个，其功率为130W，增益为19dB。
[0008]优选的，所述MOSFET场效应管的型号为MW6S004NT1，所述第一LDMOS射频功率管的型号为MRFE6VS25GNR1，所述第二LDMOS射频功率管的型号为BLL8H0514LS
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130。
[0009]优选的，所述前级放大单元的输入电压为30V，所述中级放大单元的输入电压为54V，所述末级放大单元的输入电压为48V，三路输入均接入有稳压二极管进行保护。
[0010]优选的，所述稳压二极管的型号为LM3Z5V1T1G。
[0011]本技术的有益效果：本技术通过MOSFET场效应管、第一LDMOS射频功率管以及第二LDMOS射频功率管实现逐级功率放大，并在前级、中级放大单元应用RC负反馈网络来提高功放的增益平坦度，同时采用了两级相串联的LC匹配网络，提高了功放的带宽和输出功率；通过在前级、中级和末级放大单元内接入稳压二极管，能够对电路中的元件进行保护，降低放大器的故障发生率，减少成本。
附图说明
[0012]图1为本技术的原理图；
[0013]图2为本技术所述前级放大单元的电路原理图；
[0014]图3为本技术所述中级放大单元的电路原理图；
[0015]图4为本技术所述末级放大单元的电路原理图。
[0016]图中：1、MOSFET场效应管
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2、第一LDMOS射频功率管
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3、第二LDMOS射频功率管
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4、RC负反馈网络
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5、LC匹配网络
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6、稳压二极管。
具体实施方式
[0017]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围，以下结合实施例具体说明。
[0018]如图1
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4所示，一种雷达脉冲激励放大器的放大系统，其特征在于：包括前级放大单元、中级放大单元和末级放大单元，所述前级放大单元内设置有MOSFET场效应管1，所述MOSFET场效应管1的型号为MW6S004NT1，所述MOSFET场效应管1设置有一个，其功率为4W，增益为18dB，由于输入输出匹配损耗，前级放大单元的实际增益约为10dB，所述中级放大单元内设置有第一LDMOS射频功率管2，所述第一LDMOS射频功率管2的型号为MRFE6VS25GNR1，所述第一LDMOS射频功率管2设置有一个，其功率为25W，增益为23dB，由于输入输出匹配损耗，中级放大单元的实际增益约为10dB，所述末级放大单元内设置有第二LDMOS射频功率管3，所述第二LDMOS射频功率管3的型号为BLL8H0514LS
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130，所述第二LDMOS射频功率管3设置有一个，其功率为130W，增益为19dB，由于输入输出匹配损耗，末级放大单元的实际增益约为10dB，即在输入大于等于18dBm的脉冲信号经过脉冲激励放大器放大后，输出端信号大于等于48dBm，所述前级放大单元和中级放大单元内均设置有RC负反馈网络4，用于增加功放的增益平坦度，降低MOSFET场效应管1和第一LDMOS射频功率管2的非线性影响，所述末级放大单元内设置有两级相串联的LC匹配网络5，两级所述LC匹配网络5设置于末级放大单元的前端并与中级放大单元的输出端连接，能够起到提高功放的带宽和输出功率的效果。
[0019]前级放大单元侧重于提升增益，同时保证增益平坦度和输入输出驻波，中级放大单元用于对脉冲信号进行驱动，保证末级放大单元有足够的推动功率，末级放大单元用于对脉冲信号进行放大，使脉冲激励放大器的输出能够满足需求。
[0020]所述前级放大单元的输入电压为30V，所述中级放大单元的输入电压为54V，所述末级放大单元的输入电压为48V，三路输入均接入有稳压二极管6进行保护，所述稳压二极管6的型号为LM3Z5V1T1G，稳压二极管6能够对前级、中级和末级放大单元内的元件进行保护，从而降低放大器的故障发生率，减少成本。
[0021]对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的得同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制
所涉及的权利要求。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种雷达脉冲激励放大器的放大系统，其特征在于：包括前级放大单元、中级放大单元和末级放大单元，所述前级放大单元内设置有MOSFET场效应管，所述中级放大单元内设置有第一LDMOS射频功率管，所述末级放大单元内设置有第二LDMOS射频功率管，所述前级放大单元和中级放大单元内均设置有RC负反馈网络，用于增加功放的增益平坦度，所述末级放大单元内设置有两级相串联的LC匹配网络，两级所述LC匹配网络设置于末级放大单元的前端并与中级放大单元的输出端连接。2.根据权利要求1所述的一种雷达脉冲激励放大器的放大系统，其特征在于：所述MOSFET场效应管设置有一个，其功率为4W，增益为18dB。3.根据权利要求1所述的一种雷达脉冲激励放大器的放大系统，其特征在于：所述第一LDMOS射频功率管设置有一个，其功率为25W，增益为23dB。4.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：于海龙，李春利，
申请(专利权)人：郑州宇林电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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