【技术实现步骤摘要】
耦合电感结构
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种用于集成电路的耦合电感结构。
技术介绍
在集成电路领域制造集成电路布图结构时，经常会使用到巴伦器件或变压器件。巴伦器件或变压器件通常由耦合线圈实现互感，常见的有侧向耦合机制和纵向(上下)耦合机制。这两种常用的耦合机制具有相同的缺点，互感线圈使用半导体器件的金属层实现，线圈的厚度和宽度受到集成电路工艺的限制。集成电路领域金属层的厚度一般小于4微米，宽度小于20微米。在工艺的限制下所形成耦合电感的品质因数不够理想，而且耦合电感量一般不超过15nH，往往不能满足设计需要。进一步的，由于耦合线圈会形成自电容，因此自谐振频率无法太高，限制了使用频率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种在满足集成电路工艺条件下相对现有技术能通过位置关系和耦合电感形状配合提高芯片面积利用率，能通过位置关系和耦合电感形状配合获得任意设计耦合电感的耦合电感结构。为解决上述技术问题，本专利技术提供用于集成电路的耦合电感结构，具有至少两个金属耦合结构，每个金属耦合结构两端分别连接于半导体器件衬底上的金属层，在满足集成电路工艺的条件下，...
【技术保护点】
1.一种用于集成电路的耦合电感结构，具有至少两个金属耦合结构,该金属耦合结构作为集成电路中变压器件的电感，其特征在于：每个金属耦合结构两端分别连接于半导体器件衬底上的金属层，在满足集成电路工艺的条件下，金属耦合结构之间通过空间位置关系获得不同的耦合电感。
【技术特征摘要】
1.一种用于集成电路的耦合电感结构，具有至少两个金属耦合结构,该金属耦合结构作为集成电路中变压器件的电感，其特征在于：每个金属耦合结构两端分别连接于半导体器件衬底上的金属层，在满足集成电路工艺的条件下，金属耦合结构之间通过空间位置关系获得不同的耦合电感。2.如权利要求1所述的耦合电感结构，其特征在于：各金属耦合结构平行设置。3.如权利要求1所述的耦合电感结构，其特征在于：各金属耦合结构非平行设置。4.如权利要求1所述的耦合电感结构，其特征在于：各金属耦合结构形状不同。5.如权利要求1所述的耦合电感结构，其特征在于：各金属耦合结构形状相同。6.如权利要求1-5任意一项所述的耦合电感结构，其特征在于，还包括：金属耦合连...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵奂，
申请(专利权)人：湖南格兰德芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43
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