具有单一平面天线的电感耦合双区域处理室制造技术

提供一种双区域等离子体处理室。该等离子体处理室包括具有适于在该处理室中支撑第一衬底的第一支撑表面的第一衬底支柱和具有适于在该处理室中支撑第二衬底的第二支撑表面的第二衬底支柱。流体连通于一个或多个气体分配构件的一个或多个气体源向毗邻该第一衬底支柱的第一区域和毗邻该第二衬底支柱的第二区域供应处理气体。适于将射频能量电感耦合到该处理室内部并将该处理气体在该第一和第二区域中激励到等离子态的射频（ＲＦ）天线。该天线位于该第一衬底支柱和该第二衬底支柱之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有单一平面天线的电感耦合双区域处理室
技术介绍
等离子体处理装置通过包括刻蚀、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)离子 注入和光刻胶(resist)除去等的技术来处理衬底。等离子体处理中使用的一种等离子体 处理装置包括外部感应天线。在天线下面的室中产生电磁场以将处理气体激励为等离子态 从而在该反应室中处理衬底。
技术实现思路
提供一种双区域等离子体处理室。该等离子体处理室包括具有适于在该处理室中支撑第一衬底的第一支撑表面的第一衬底支柱和具有适于在该处理室中支撑第二衬底的 第二支撑表面的第二衬底支柱。流体连通于一个或多个气体分配构件的一个或多个气体源向毗邻该第一衬底支柱的第一区域和毗邻该第二衬底支柱的第二区域供应处理气体。适于 将射频能量电感耦合到该处理室内部并将该处理气体在该第一和第二区域中激励到等离 子态的射频(RF)天线。该天线位于该第一衬底支柱和该第二衬底支柱之间。 —种在等离子体处理室中同时处理第一和第二半导体衬底的方法。将第一衬底放 置在该双区域等离子体处理室中的该第一衬底支柱上，将第二衬底放置在该双区域等离子 体处理室中的该第二衬底支柱上。从该一个或多个气体源向该天本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双区域等离子体处理室，包含：具有适于在该处理室中支撑第一衬底的第一支撑表面的第一衬底支柱；具有适于在该处理室中支撑第二衬底的第二支撑表面的第二衬底支柱；一个或多个气体源，其流体连通于一个或多个气体分配构件，该一个或多个气体源向毗邻该第一衬底支柱的第一区域和毗邻该第二衬底支柱的第二区域供应处理气体；以及适于将射频能量电感耦合到该处理室内部并将该处理气体在该第一和第二区域中激励到等离子态的射频（ＲＦ）天线，其中该天线位于该第一衬底支柱和该第二衬底支柱之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑凯特P圣，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]