一种功率放大器的功率控制电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种功率放大器的功率控制电路，属于控制领域，包括基准电压电路、采样电路、控制电路和偏置电路。所述采样电路的采样端与外部放大电路的输出端连接；所述采样电路的输出端与控制电路连接；所述基准电压电路的输出端与控制电路连接；所述控制电路的输出端与偏置电路连接；所述偏置电路的输出端与外部放大电路连接。

【技术实现步骤摘要】
一种功率放大器的功率控制电路
本技术涉及干扰仪领域，特别是涉及一种功率放大器的功率控制电路。
技术介绍
近些年来，无论是利用移动电话进行考试作弊还是利用手机的振铃电路原理制作手机遥控炸弹进行恐怖活动，都日益猖獗，我们必须尽快找到更好更有效的应对方法。手机信号干扰技术可以应用在以下场合：防止各类考试手机作弊；防恐，主要是对付手机遥控炸弹；一些对手机有严格管制要求的场合，如某些军事管理区、加油站、会议中心、重要的建筑物等。对于手机信号干扰技术的研究都是使用单一制式信号干扰，产生的干扰效果并不理想，常常出现干扰盲点问题。现有的干扰仪造成噪声频谱密度不够高，存在干扰盲点，干扰效果一般，功率高，难以满足对手机有严格管制要求的场合。在功率放大器设计中，尤其是饱和功率放大器设计中，需要对功率放大器的输出功率做控制，在不同通讯强度的应用环境中，要求功率放大器可以输出不同的输出功率。目前，常规的功率控制方法有三种：第一，限制放大器的电源电压。功率控制器的输出作为放大器的电源电压，通过Ramp信号（斜坡信号）控制功率控制器的输出，使得放大器的电源电压跟随Ramp信号变化，从而实现输出功率控制。第二，电流检测反馈型。通过检测放大器的工作电流，反馈给基带做处理，基带再通过功率控制器改变放大器的工作电流，通过该反馈完成功率控制。第三，功率耦合器，通过芯片外围的定向耦合器检测输出功率，将功率值返回给基带，基带通过功率控制器（或者调整输入功率）相应改变输出功率，通过该反馈实现功率控制。，第三种需要额外的功率耦合器设计，设计成本偏高；第一种和第二种共有的缺陷是功率放大器的负载失配导致功率变化，该变化不受功率控制反馈环的影响，从而导致功率控制不够准确。
技术实现思路
针对上述存在的不足，本技术提供一种功率放大器的功率控制电路。本技术通过以下技术方案解决上述问题：一种功率放大器的功率控制电路，包括基准电压电路、采样电路、控制电路和偏置电路；所述采样电路的采样端与外部放大电路的输出端连接；所述采样电路的输出端与控制电路连接；所述基准电压电路的输出端与控制电路连接；所述控制电路的输出端与偏置电路连接；所述偏置电路的输出端与外部放大电路连接。上述方案中，优选的是控制电路为环路控制电路；所述环路控制电路包括Mos场效应晶体管M1、Mos场效应晶体管M2、Mos场效应晶体管M3、放大器A、电阻R4、电阻R5和电容C4；所述Mos场效应晶体管M1和Mos场效应晶体管M2为镜像电流源；Mos场效应晶体管M1的栅极和Mos场效应晶体管M2的栅极相连；Mos场效应晶体管M1的栅极和其漏极相连；Mos场效应晶体管M2的漏极接电阻R4作为电流电压转换器；Mos场效应晶体管M2的漏极和电阻R4的节点与放大器A的正向输入端相连；放大器A的反向输入端与控制电压（vramp）相连；放大器A的输出端接Mos场效应晶体管M3的栅极；Mos场效应晶体管M3的栅极经电阻R5、电容C4接Mos场效应晶体管M3的漏极；Mos场效应晶体管M1、Mos场效应晶体管M2和Mos场效应晶体管M3的源极接电源。上述方案中，优选的是采样电路经一采样电阻与外部放大电路的输出端连接；所述采样电阻与外部放大电路的输出端并联。上述方案中，优选的是采样电路与控制电路之间接有光耦隔离器；所述光耦隔离器的输入端与采样电路的输出端连接；所述光耦隔离器的输出端与控制电路连接。本技术的优点与效果是：1、本技术通过控制电路对放大电路进行控制，实现很好的环路控制，能更好根据放大电路的功率进行补偿控制；2、本技术在采样电路与控制电路之间接有光耦隔离器能更好的对控制电路进行保护，防止大电压对控制电路的影响，而影响控制结果。附图说明图1为本技术系统框图；图2为本技术控制电路原理图。具体实施方式以下结合实施例对本技术作进一步说明。一种功率放大器的功率控制电路，如图1所示，包括基准电压电路、采样电路、控制电路和偏置电路。所述采样电路的采样端与外部放大电路的输出端连接；所述采样电路的输出端与控制电路连接；所述基准电压电路的输出端与控制电路连接；所述控制电路的输出端与偏置电路连接；所述偏置电路的输出端与外部放大电路连接。所述控制电路为环路控制电路；所述环路控制电路包括Mos场效应晶体管M1、Mos场效应晶体管M2、Mos场效应晶体管M3、放大器A、电阻R4、电阻R5和电容C4。所述控制电路主要通过偏置电路进一步对放大电路进行控制，实现放大电路的功率控制。所述Mos场效应晶体管M1和Mos场效应晶体管M2为镜像电流源；Mos场效应晶体管M1的栅极和Mos场效应晶体管M2的栅极相连；Mos场效应晶体管M1的栅极和其漏极相连；Mos场效应晶体管M2的漏极接电阻R4作为电流电压转换器；Mos场效应晶体管M2的漏极和电阻R4的节点与放大器A的正向输入端相连；放大器A的反向输入端与控制电压（vramp）相连；放大器A的输出端接Mos场效应晶体管M3的栅极；Mos场效应晶体管M3的栅极经电阻R5、电容C4接Mos场效应晶体管M3的漏极；Mos场效应晶体管M1、Mos场效应晶体管M2和Mos场效应晶体管M3的源极接电源。所述采样电路经一采样电阻与外部放大电路的输出端连接；所述采样电阻与外部放大电路的输出端并联。采样电阻的大小根据放大电路输出端的电压大小而定。所述基准电压电路主要给控制电路提供基准电压，从而使得控制电路对采样回来的电压处理更加准确。所述采样电路与控制电路之间接有光耦隔离器；所述光耦隔离器的输入端与采样电路的输出端连接；所述光耦隔离器的输出端与控制电路连接。防止大电压对控制电路的影响，而影响控制结果。以上已对本技术创造的较佳实施例进行了具体说明，但本技术并不限于实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本技术创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大器的功率控制电路，其特征在于：包括基准电压电路、采样电路、控制电路和偏置电路；所述采样电路的采样端与外部放大电路的输出端连接；所述采样电路的输出端与控制电路连接；所述基准电压电路的输出端与控制电路连接；所述控制电路的输出端与偏置电路连接；所述偏置电路的输出端与外部放大电路连接。

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器的功率控制电路，其特征在于：包括基准电压电路、采样电路、控制电路和偏置电路；所述采样电路的采样端与外部放大电路的输出端连接；所述采样电路的输出端与控制电路连接；所述基准电压电路的输出端与控制电路连接；所述控制电路的输出端与偏置电路连接；所述偏置电路的输出端与外部放大电路连接。2.根据权利要求1所述的一种功率放大器的功率控制电路，其特征在于：所述控制电路为环路控制电路；所述环路控制电路包括Mos场效应晶体管M1、Mos场效应晶体管M2、Mos场效应晶体管M3、放大器A、电阻R4、电阻R5和电容C4；所述Mos场效应晶体管M1和Mos场效应晶体管M2为镜像电流源；Mos场效应晶体管M1的栅极和Mos场效应晶体管M2的栅极相连；Mos场效应晶体管M1的栅极和其漏极相连；Mos场效应晶体管M2的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡鹏辉，冷华晖，
申请(专利权)人：深圳市飞思腾科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44