场效应晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种场效应晶体管的制造方法，先形成侧墙，然后进行源/漏(S/D)注入工艺形成重掺杂的漏极区和源极区，接着再进行轻掺杂漏注入工艺形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区，相对于传统的做法改变了工艺次序，因而形成重掺杂的漏极区和源极区、形成轻掺杂漏极注入区和源极注入区这两个步骤可以共用一个光刻胶。相对于传统做法而言，本方法可以省略一次的光刻和去胶步骤，而仅仅多了一步去除侧墙的步骤，因而本方法可以降低工艺的复杂程度，缩短生产周期，提高生产效率，并且节约产品制造成本。

【技术实现步骤摘要】
201510032619

【技术保护点】
一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成栅极；在所述衬底上形成栅极的侧墙；进行源/漏注入工艺；去除所述侧墙；进行轻掺杂漏注入工艺。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成栅极；在所述衬底上形成栅极的侧墙；进行源/漏注入工艺；去除所述侧墙；进行轻掺杂漏注入工艺。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成栅极的步骤包括：在所述衬底上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成金属硅化物层。3.根据权利要求2所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述金属硅化物层包括硅化钨。4.根据权利要求1所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成栅极的步骤包括：在所述衬底上形成多晶硅层，所述多晶硅层的厚度范围是2500埃至4000埃。5.根据权利要求4所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，形成的所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈淑娴，肖魁，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32