隧道场效应晶体管制造技术

本公开涉及微电子晶体管制造领域，尤其涉及具有提高的导通电流电平而不具有相应增大的截止电流电平的隧道场效应晶体管的制造，这是通过在隧道场效应晶体管的源极与本征沟道之间添加过渡层来实现的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】隧道场效应晶体管
技术介绍
本描述的实施例一般涉及微电子器件制造领域，尤其涉及隧道场效应晶体管的制造。附图说明本公开的主题在说明书的结论部分被特别指出并清楚要求保护。本公开的前述及其它特征根据以下描述和所附权利要求并结合附图将变得更加完全地明显。应理解，附图仅描绘了根据本公开的几个实施例，因而不应被视为对其范围的限制。通过使用这些附图将利用附加特性和细节来描述本公开，使得本公开的优点可被更容易地确定，在附图中：图1a示出本领域已知的隧道场效应晶体管的示图。图1b是本领域已知的图1a的隧道场效应晶体管处于“截止”状态下的一般曲线图。图1c是本领域已知的图1a的隧道场效应晶体管处于“导通”状态下的一般曲线图。图2示出根据本描述的实施例的隧道场效应晶体管的示图。图3是根据本描述的实施例的处于“截止”状态下的图2隧道场效应晶体管的曲线图。图4是根据本描述的实施例的处于“导通”状态下的图2隧道场效应晶体管的曲线图。图5是图2的隧道场效应晶体管的导带的曲线图，其中在接近过渡层处存在突变。图6示出根据本描述的实施例的利用多层过渡层使突变平滑的示图。图7示出根据本描述的实施例的便携式电子设备的实施例。图8本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.12.17 US 12/972,0571.一种隧道场效应晶体管，包括：源极结构；邻近所述源极结构的过渡层，由多个层形成；邻近所述过渡层的本征沟道；以及邻近所述本征沟道的漏极结构，其中，所述过渡层的多个层中的第一层邻近所述源极结构形成第一异质结，所述过渡层的多个层中的第二层邻近所述第一层形成第二异质结，以及所述过渡层的多个层中的第二层邻近所述本征沟道形成第三异质结。2.如权利要求1所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述源极结构是铝、锑、砷化物、镓、铟、氮或磷的合金。3.如权利要求2所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述源极结构是镓/砷/锑合金。4.如权利要求2所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述源极结构是铟/镓/砷合金。5.如权利要求1所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述过渡层是铝、锑、砷化物、镓、铟、氮或磷的合金。6.如权利要求2所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述过渡层是砷化铟。7.如权利要求2所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述过渡层是铟/镓/砷化物合金。8.如权利要求1所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述本征层是铝、锑、砷化物、镓、铟、氮或磷的合金。9.如权利要求2所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述本征层是磷化铟。10.如权利要求2所述的隧道场效应晶体管，其特征在于，所述本征层是由多个层形成的。11....

【专利技术属性】
技术研发人员：B·楚昆古，G·德威，M·拉多萨佛杰维科，N·穆克赫吉，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：
国别省市：