隔离元件及其制造方法技术

本发明专利技术提出一种隔离元件及其制造方法，隔离元件与高压元件共同形成于基板中。隔离元件包含：隔离井区，利用形成高压元件的微影制程与离子植入制程形成于基板中；栅极，形成于基板表面上；源极、漏极，分别位于栅极两侧的隔离井区中，且漏极与该源极由栅极隔开；漂移漏极区，形成于基板表面下方，且栅极与漏极由漂移漏极区隔开，部分漂移漏极区位于栅极下方，漏极位于漂移漏极区中；以及缓和区，形成于漂移漏极区下方的基板中，该缓和区的最浅部分位于漂移漏极区深度90％之下，且缓和区与漂移漏极区共享微影制程。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种隔离元件，其特征在于，包含：一基板，其为第一导电型、或其包含一第一导电型井区，该基板具有一上表面；一第二导电型隔离井区，形成于该上表面下方该基板中；一栅极，形成于该上表面上，且由上视图视之，该栅极位于该第二导电型隔离井区中；第一导电型源极、与第一导电型漏极，分别位于该栅极两侧上表面下方的该第二导电型隔离井区中，且该漏极与该源极由该栅极隔开；一第一导电型漂移漏极区，形成于该上表面下方的该第二导电型隔离井区中，且该栅极与该漏极由该漂移漏极区隔开，部分该漂移漏极区位于该栅极下方，该漏极位于该漂移漏极区中；以及一缓和区，其最浅部分位于该漂移漏极区自该上表面起算的深度90％以下，该缓和区与该漂移漏极...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄宗义，邱建维，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：