【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种箝位电路，特别涉及一种可精准箝位的箝位电路。本专利技术还涉及用于箝位电路中的偏移运算转导放大电路。
技术介绍
1、图1a与图1b显示两种现有技术的箝位电路的示意图。图1a现有技术的箝位电路91a中，通过两个二极管耦接式(diode-connected)晶体管m1、m2的串联耦接，使得金属氧化半导体(metal oxide semiconductor，mos)晶体管m0的栅源极电压vgs0大致上被箝位于二极管耦接式晶体管的2倍栅源极电压vgs，亦即大致上被箝位于mos晶体管的2倍导通阈值电压。图1b现有技术的箝位电路91b中，mos晶体管m3的栅极与源极分别耦接于mos晶体管m4的漏极与栅极，由此使得mos晶体管m0的栅源极电压vgs0大致上被箝位于mos晶体管的2倍栅源极电压vgs，亦即大致上被箝位于mos晶体管的2倍导通阈值电压。
2、图1c显示现有技术的箝位电路的箝位电流与电压的特性曲线图。如图1c所示，当mos晶体管m0的栅源极电压vgs0(即箝位电压vout)高于箝位阈值电压vcth时，箝位电路91...
【技术保护点】
1.一种箝位电路，用以将该箝位电路的一第一端与该箝位电路的一第二端之间的一电压差箝位，使其不超过一箝位电压位准，包含：
2.如权利要求1所述的箝位电路，其中，该第一子偏移运算转导放大电路包括一随耦放大晶体管，该随耦放大晶体管的一同相端、一控制端以及一反相端分别对应于该第一子偏移运算转导放大电路的该第一输入端、该第二输入端以及该偏移运算转导放大电路的该输出端；
3.如权利要求2所述的箝位电路，其中，该放大级电路包括一第一放大晶体管，该第一放大晶体管的一控制端、一同相端以及一反相端分别对应于该偏移运算转导放大电路的该输出端、一参考电位以及该箝位电路
...【技术特征摘要】
1.一种箝位电路，用以将该箝位电路的一第一端与该箝位电路的一第二端之间的一电压差箝位，使其不超过一箝位电压位准，包含：
2.如权利要求1所述的箝位电路，其中，该第一子偏移运算转导放大电路包括一随耦放大晶体管，该随耦放大晶体管的一同相端、一控制端以及一反相端分别对应于该第一子偏移运算转导放大电路的该第一输入端、该第二输入端以及该偏移运算转导放大电路的该输出端；
3.如权利要求2所述的箝位电路，其中，该放大级电路包括一第一放大晶体管，该第一放大晶体管的一控制端、一同相端以及一反相端分别对应于该偏移运算转导放大电路的该输出端、一参考电位以及该箝位电路的该第一端。
4.如权利要求3所述的箝位电路，其中，该第一放大晶体管与该随耦放大晶体管配置为一超级随耦级电路。
5.如权利要求3所述的箝位电路，其中，该第一子偏移运算转导放大电路的该共模偏移电压与该辅助偏移电压具有相反的电压极性，且该第二子偏移运算转导放大电路的该共模偏移电压与该辅助偏移电压具有相反的电压极性。
6.如权利要求3所述的箝位电路，其中，该辅助偏移器包括一辅助偏移晶体管，其中该辅助偏移晶体管的一反相端电连接于该辅助偏移晶体管的一控制端，其中该辅助偏移电压相关于该辅助偏移晶体管的一导通阈值电压。
7.如权利要求6所述的箝位电路，其中，该辅助偏移器还包括与该辅助偏移晶体管串联的一辅助偏移电阻，其中该辅助偏移电阻根据一辅助偏移电流产生该辅助偏移电压的一部分。
8.如权利要求6所述的箝位电路，其中，该第二子偏移运算转导放大电路包括一第二放大晶体管，该第二放大晶体管的一控制端、一同相端以及一反相端分别对应于该第二子偏移运算转导放大电路的该第一输入端、该第二输入端以及该偏移运算转导放大电路的该输出端。
9.如权利要求8所述的箝位电路，其中，该随耦放大晶体管与该辅助偏移晶体管为第一型晶体管，其中该第一放大晶体管与该第二放大晶体管为第二型晶体管，其中该第一型晶体管的一导通阈值的绝对值小于该第二型晶体管的一导通阈值的绝对值。
10.如权利要求8所述的箝位电路，其中，该偏移运算转导放大电路还包括一偏压晶体管，其一控制端耦接于该第二放大晶体管；其中该偏移运算转导放大电路配置为共栅极放大电路。
11.如权利要求6所述的箝位电路，其中，该第二子偏移运算转导放大电路包括一第一差动晶体管、一第二差动晶体管以及一共模偏移晶体管；
12.如权利要求8所述的箝位电路，其中，该偏移运算转导放大电路还包括一叠接晶体管，耦接于该随耦放大晶体管的该反相端与该偏移运算转导放大电路的该输...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡敏弘，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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