【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种石墨烯场效应晶体管，其特征在于，包括衬底、石墨烯沟道层、h?BN材质的底栅介质层、h?BN材质的顶栅介质层、源电极、漏电极和顶栅电极，所述顶栅介质层和底栅介质层分别位于石墨烯沟道层的上方和下方，衬底位于底栅介质层的下方，源电极和漏电极分别位于石墨烯沟道层的两端，顶栅电极位于顶栅介质层上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：马中发，庄弈琪，吴勇，张鹏，张策，包军林，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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