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本发明的目的在于提供一种石墨烯场效应晶体管及其制备方法，该石墨烯场效应晶体管采用h-BN作为栅介质，来替代目前石墨烯场效应晶体管中的SiO2、HfO2等氧化物，从而提升石墨烯场效应晶体管的性能。由于h-BN的表面光学声子模式比SiO2中的相...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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