一种具有正温度系数发射极镇流电阻的IGBT器件制造技术

一种具有正温度系数发射极镇流电阻（EBR）的IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。常规EBR结构的IGBT器件中，发射极镇流电阻由距离发射极接触区较远的条状N+发射区条构成，其电阻值通常呈现负温度系数，即：温度越高，电阻值越小，IGBT的饱和电流增大，器件短路能力在高温环境下将显著减弱。本发明专利技术通过在N+发射区里面深能级受主杂质（包括In、Ti、Co或Ni），使得深能级受主杂质电离后产生的空穴对N型杂质具有一定的补偿作用，以提高增大EBR电阻，这样就实现了正温度系数的发射极镇流电阻，使得IGBT器件随温度升高，发射极镇流电阻增大，提高IGBT的短路和抗闩锁能力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有正温度系数发射极镇流电阻的IGBT器件，包括P+集电区（7）、位于P+集电区（7）背面的金属集电极（8）、N?漂移区（5）、位于N?漂移区（5）和P+集电区（7）之间的N型缓冲层（6）；所述N?漂移区（5）顶层中间区域为P型基区（4），P型基区（4）中具有N+发射区（11），N+发射区（11）通过位于N+发射区（2）中心处的接触孔（3）与金属发射极（9）相连；所述IGBT器件还包括栅极结构，栅极结构由相互接触的多晶硅栅电极（1）和栅氧化层构成，其中栅氧化层与N?漂移区（5）、P型基区（4）和N+发射区（2）均接触，多晶硅栅电极（1）与金属发射极（9）之间具有隔离介质（10）；所述N+发...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李泽宏，单亚东，宋文龙，顾鸿鸣，邹有彪，宋洵奕，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：