条状设计的IGBT功率器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种条状设计的IGBT功率器件，它包括基区，所述基区左右两侧设有沟槽，所述基区上覆盖有条状结构的发射区，且发射区覆盖所有有源区，所述发射区上离子注入后形成条状的接触层。本实用新型专利技术的发射区和接触层均为条状结构，令本实用新型专利技术更容易缩小尺寸，且提高IGBT功率器件的性能，同时缩减生产工艺，降低生产成本。本实用新型专利技术适用于任意电路。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子功率器件领域，涉及一种条状设计的IGBT功率器件。
技术介绍
随着电子行业的不断发展，控制电路中的各种元器件也不断改善，以满足电路控制的要求。其中IGBT功率器件作为电子开关器件，在电路中应用非常广泛，而随着电路性能要求的不断提高，IGBT功率器件的性能要求也不断提高，例如现有的IGBT功率器件就不断要求其尺寸更小，生产成本更低。传统的IGBT功率器件的设计采用Hexagon蜂巢结构，该结构已被证明能最有效利用芯片面积，但是，此种结构不利于缩小器件尺寸，不符合现有技术中电路发展对IGBT功率器件的要求。为了能够满足电路对功率器件要求，现有技术中已设计出条形结构的IGBT功率器件，如图1所示包括基区1，在基区1上间隔设有基区体接触区2，而未设有基区体接触区2的地方覆盖有条状的发射区3，而基区1的左右两侧分别设有沟槽4。虽然此种结构能够缩小器件的尺寸，并提高器件的性能，但是该种结构的制作工艺需要经过以下几个步骤：（1）完成基区和沟槽；（2）发射区例如离子注入，热扩散；（3）基区体接触光刻，离子注入热扩散；（4）接触层光刻，刻蚀；（5）完成金属层和其他后端工艺。由此可见，该种结构的IGBT功率器件的制作过程繁琐，成本相对也较高。
技术实现思路
为解决现有技术中存在的以上不足，本技术提供了一种条状设计的IGBT功率器件，所述IGBT功率器件能够缩小尺寸生产，且成本低、性能好，生产工艺简单。为实现上述目的，本技术所采用的技术方案如下：一种条状设计的IGBT功率器件，它包括：基区，所述基区左右两侧设有沟槽，所述基区上覆盖有条状结构的发射区，且发射区覆盖所有有源区，所述发射区上带有条状的接触层。由于采用了上述技术方案，本技术与现有技术相比，所取得的技术进步在于：本技术的发射区和接触层均为条状结构，令本技术更容易缩小尺寸，且提高IGBT功率器件的性能，同时缩减生产工艺，降低生产成本。本技术适用于任意电路。附图说明下面结合附图及具体实施例对本技术作更进一步详细说明。图1为现有技术中条形IGBT功率器件的结构示意图；图2为本技术实施的结构示意图。图中：1—基区，2—基区体接触区，3—发射区，4—沟槽，5—接触层。具体实施方式实施例条状设计的IGBT功率器件本实施例提供了一种条状设计的IGBT功率器件，如图2所示，包括基区1，所述基区1左右两侧设有沟槽4，所述基区1上覆盖有条状结构的发射区3，且发射区3覆盖所有有源区，所述发射区3上带有条状的接触层5。本实施例的制作流程为：（1）完成基区1和沟槽4。（2）在基区1上形成覆盖所有有源区的发射区3，而不预留如图1所示现有产品所具有的基区体接触区2。（3）在发射区3上通过光刻、离子注入、或者热扩散直接做出接触层5；该步骤又包括：①在接触层5区域内注入与发射区3离子极性相反的离子，例如，如果发射区3是N型，则在接触层5上注入P型；②注入浓度足够大的离子，令接触层5区域的发射区3表面反型；③在两个沟槽4之间的发射区3均注入反型离子，形成条形状的接触层；④控制热扩散的温度和时间，令离子扩散到发射区3的底部。（4）完成金属层和其他后端工艺。通过上述的制作工艺可以看出，本实施例比现有技术中条形IGBT功率器件的制作工艺减少了一个步骤，成本降低了10%以上，且在第（3）步骤中进行了设计和工艺的优化，令本实施例的设计性能更好。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种条状设计的IGBT功率器件，包括基区（1），所述基区（1）左右两侧设有沟槽（4），其特征在于：所述基区（1）上覆盖有条状结构的发射区（3），且发射区（3）覆盖所有有源区，所述发射区（3）上带有条状的接触层（5）。

【技术特征摘要】
1.一种条状设计的IGBT功率器件，包括基区（1），所述基区（1）左右两侧设有沟槽（4），
其特征在于：所述基区（1...

【专利技术属性】
技术研发人员：步建康，
申请(专利权)人：步建康，
类型：新型
国别省市：河北;13