一种IGBT功率模块结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT功率模块结构，包括IGBT模块组、IGBT驱动板、IGBT模块组的散热器、连接IGBT模块的直流母排、IGBT模块并联的交流铜排，IGBT模块连接散热器。本实用新型专利技术涉及的IGBT功率模块结构可以降低IGBT模块的杂散电感，降低IGBT模块的关断过电压；IGBT模块可以布置在散热器两边，结构更加紧凑，提高了功率密度；交流铜排路径相同，IGBT均流更优，可靠性更高。

IGBT power module structure

The utility model discloses a IGBT power module structure, including IGBT module, IGBT driver board, IGBT module radiator, connected with the IGBT module, the IGBT module of the DC bus parallel AC bus bar, the IGBT module is connected with the radiator. IGBT power module of the utility model relates to a structure can reduce the stray inductance of the IGBT module, IGBT module to reduce the turn off voltage; the IGBT module can be arranged in the radiator on both sides, more compact structure, improves the power density; AC current of IGBT copper bar the same path, better, higher reliability.

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子设备领域，具体涉及一种IGBT功率模块结构。
技术介绍
近年来功率半导体发展迅速，功率半导体的密度不断提高，新器件更新速度加快，大功率电力电子逆变器，尤其是风电变流器、光伏逆变器、通用变频器、储能变流器等十分受限于IGBT模块的发展，随着新型IGBT模块的发展，未来IGBT模块的综合损耗更低、效率更高、体积更小，大功率电力电子逆变器也向开关频率更高、体积更小、成本更低的方向发展。但是，相比于IGBT模块，无源器件(电容、电阻)和散热系统等发展缓慢，制约了逆变器的功率密度提升，要提高逆变器的功率密度，必须设计合理的IGBT功率模块，目前常见的IGBT功率模块存在多种结构形式，但是存在以下缺陷：IGBT功率模块和直流侧电容分开，功率模块虽然体积小，但是功率密度仍然较低，同时IGBT模块杂散电感增加，IGBT器件可靠性降低。
技术实现思路
本技术的目的是设计出一种通过设置镜像连接在散热器上的IGBT功率模块组、折弯的直流母排、一块驱动板和交流铜排解决在增加功率密度的同时降低杂散电感的问题。为解决上述问题，本技术提出一种IGBT功率模块结构。本技术所采用的技术方案是：一种IGBT功率模块结构，包括：IGBT模块组，所述IGBT模块组由IGBT模块并联组成；IGBT驱动板，所述IGBT驱动板与IGBT模块的交流端子连接，另一端与IGBT模块组中的每个IGBT模块交流端子的距离相同，位于IGBT模块组外侧；直流母排，所述直流母排采用正负母排叠层方式，并折弯90度，与每个IGBT模块的直流端子连接，位于IGBT模块组外侧；交流铜排，所述交流铜排一端连接IGBT模块组，位于IGBT驱动板外侧；散热器，所述散热器连接IGBT模块组。优选的，所述IGBT驱动板由并联的IGBT模块驱动板合并成一块驱动板，并与每个IGBT模块连接，连线位置位于IGBT模块组的中间位置，为了减少驱动线缆和提供连接可靠性，可以将并联的多个IGBT模块驱动板合并成一块驱动板，连线位置处于中间可以提高驱动信号的一致性。优选的，所述散热器两侧各连接一个IGBT模块组，两个IGBT模块组及与之连接的IGBT驱动板、直流母排和交流铜排以散热器为对称面镜像对称，散热器两侧均连接IGBT模块组，在同样的体积下，功率密度提升一倍，同时IGBT模块组及与之连接的IGBT驱动板、直流母排和交流铜排以散热器为对称面镜像对称分布，可以降低换流回路的杂散电感。本技术具有以下优点及效果：1、本技术的IGBT功率模块和直流侧电容分开，功率模块体积小，维护简单，更换IGBT模块成本低。2、本技术由至少两个IGBT功率模块并联成IGBT功率模块组，并对称分布在散热器两侧，在同样的面积内，增加功率密度，降低功率模块的制造成本，同时对称的设置可以避免IGBT模块不均流。3、本技术的IGBT模块直流母排采用正负母排叠层的方式与直流侧母线铜排连接，并且以折弯90度的方式连接至直流侧母线铜排，可以降低IGBT模块直流母排换流回路的杂散电感，同时未使用IGBT吸收电容，避免吸收电容由于发热量较大容易失效，并进一步降低成本。4、本技术的IGBT模块交流铜排一端连接多个IGBT模块的交流端子，另一端连接输出铜排，交流铜排的另一端需要与多个IGBT模块交流端子的距离等长，提高多个IGBT模块的均流度。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。图1为本技术实施例1的结构示意图。图2为本技术实施例2的结构示意图。标号说明：IGBT模块1；IGBT驱动板2；散热器3；直流母排4；交流铜排5。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1：如图1所示，本技术所涉及的IGBT功率模块结构，包括IGBT模块组、IGBT驱动板2、IGBT模块的散热器3、连接IGBT模块的直流母排4以及用于并联IGBT模块的交流铜排5。IGBT模块组由两个IGBT模块1并联组成，安装在液冷散热器3上，其IGBT模块1可以是目前常用的1000A功率模块(例如德国英飞凌第四代的FF1000R17IE4，也可以是后续相同封装尺寸的第五代FF1800R17IP5)，还可以是碳化硅半导体(SiC)和氮化镓半导体(GaN)新器件；驱动板2安装在两个IGBT模块上，两个IGBT模块驱动板合并成一块驱动板2，其连线位置位于两个IGBT模块1的中间；散热器3的冷却液入口位于冷却液出口的下方；IGBT模块直流母排4包括正母排、负母排和用于正负母排绝缘的绝缘膜，正母排和负母排一端连接IGBT模块1的直流端子，其另一端连接至直流侧母线铜排，正负母排以叠层的方式与直流侧母线铜排连接，并且以折弯90度的方式连接至直流侧母线铜排，直流母排4可以是普通的铜排，也可以是BUSBAR方式的叠层母排；交流铜排5一端连接至两个IGBT模块的交流端子，另一端连接输出铜排，交流铜排5的另一端需要保持与两个IGBT模块交流端子的距离等长；IGBT模块1、驱动板2、直流母排4、交流铜排5分别布置在散热器3的两侧，并呈镜像对称分布。使用时，将IGBT功率模块结构通过交流铜排5与输出铜排连接，通过直流母排4与直流侧母线铜排，完成IGBT功率模块结构的安装。实施例2：如图2所示，本技术所涉及的IGBT功率模块结构，包括IGBT模块组、IGBT驱动板2、IGBT模块的散热器3、连接IGBT模块的直流母排4以及用于并联IGBT模块的交流铜排5。IGBT模块组由两个IGBT模块1并联组成，安装在液冷散热器3上，其IGBT模块1可以是目前常用的1000A功率模块(例如德国英飞凌第四代的FF1000R17IE4，也可以是后续相同封装尺寸的第五代FF1800R17IP5)，还可以是碳化硅半导体(SiC)和氮化镓半导体(GaN)新器件；驱动板2安装在两个IGBT模块上，两个IGBT模块驱动板合并成一块驱动板2，其连线位置位于两个IGBT模块1的中间；散热器3的冷却液入口位于冷却液出口的下方；IGBT模块直流母排4包括正母排、负母排和用于正负母排绝缘的绝缘膜，正母排和负母排一端连接IGBT模块1的直流端子，其另一端连接至直流侧母线铜排，正负母排以叠层的方式与直流侧母线铜排连接，并且以折弯90度的方式连接至直流侧母线铜排，直流母排4可以是普通的铜排，也可以是BUSBAR方式的叠层母排；交流铜排5一端连接至两个IGBT模块的交流端子，另一端连接输出铜排，交流铜排5的另一端需要保持与两个IGBT模块交流端子的距离等长，IGBT模块1、驱动板2、直流母排4、交流铜排5分别布置在散热器3的一侧。使用时，将IGBT功率模块结构通过交流铜排5与输出铜排连接，通过直流母排4与直流侧母线铜排，完成IGBT功率模块结构的安装。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT功率模块结构，其特征在于，包括：IGBT模块组，所述IGBT模块组由IGBT模块并联组成；IGBT驱动板，所述IGBT驱动板与IGBT模块的交流端子连接，另一端与IGBT模块组中的每个IGBT模块交流端子的距离相同，位于IGBT模块组外侧；直流母排，所述直流母排采用正负母排叠层方式，并折弯90度，与每个IGBT模块的直流端子连接，位于IGBT模块组外侧；交流铜排，所述交流铜排一端连接IGBT模块组，位于IGBT驱动板外侧；散热器，所述散热器连接IGBT模块组。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT功率模块结构，其特征在于，包括：IGBT模块组，所述IGBT模块组由IGBT模块并联组成；IGBT驱动板，所述IGBT驱动板与IGBT模块的交流端子连接，另一端与IGBT模块组中的每个IGBT模块交流端子的距离相同，位于IGBT模块组外侧；直流母排，所述直流母排采用正负母排叠层方式，并折弯90度，与每个IGBT模块的直流端子连接，位于IGBT模块组外侧；交流铜排，所述交流铜排一端连接IGBT模块组，位于IG...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕怀明，
申请(专利权)人：浙江海得新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33