The invention provides a IGBT device and manufacturing method thereof, including: a substrate, the substrate comprises a body layer, is located in the well region and the source region within the surface of the body layer; a first dielectric layer on the base of the front and at the gate of the first dielectric layer on the surface of the first dielectric layer between the gate and the body layer thickness is in the range of 1nm ~ 100nm; the second dielectric layer is located on the surface of the gate and is located on the second dielectric layer and the substrate positive emitter. Since the first dielectric layer between the gate and the body layer thickness is defined in the 1nm ~ 100nm range, therefore, reduces the capacitance between the gate and the basal spacing of Miller back to the collector, increases the Miller capacitance, thereby reducing the change of voltage IGBT devices subjected to in the process of opening and closing of the rate of increase the anti lock ability of IGBT devices.
【技术实现步骤摘要】
IGBT器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体
,更具体地说,涉及一种IGBT器件及其制作方法。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。由于IGBT具有驱动功率小以及饱和压降低的优点,因此,IGBT作为一种新型的电力电子器件已经被广泛应用到各个领域。现有的IGBT器件的结构,以N型沟道为例,如图1所示,包括:N型轻掺杂(N-)的衬底101及其正面上的栅介质层104、栅极105;位于衬底101表面内的P型阱区102(一般为P型轻掺杂),位于P型阱区102表面内的N型源区103;位于P型阱区102和N型源区103表面上的发射极106;位于N-衬底101背面的P型重掺杂漏区107,位于漏区107表面的集电极108。但是,上述IGBT器件的结构中会不可避免地存在寄生的晶闸管109,使得IGBT器件在开通和关断的过程中所承受的电压在短时间内快速升降,即使得电压具有很高的变化率。当电压的变化率足够大时,就可能会触发寄生的晶闸管,使得IGBT器件不再受栅极的控制,引发闩锁效应,进而导致IGBT器件出现击穿和烧毁等问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种IGBT器件及其制作方法,以提高IGBT器件的抗闩锁能力,解决由于闩锁效应而导致的IGBT器件击穿和烧毁等问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种IGBT器件,包括:基底,所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区;位于所述基底正面的第一介质层以及 ...
【技术保护点】
一种IGBT器件,其特征在于,包括:基底,所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区;位于所述基底正面的第一介质层以及位于所述第一介质层表面的栅极,所述栅极和所述本体层之间的第一介质层的厚度范围为1nm~100nm;位于所述栅极表面的第二介质层以及位于所述第二介质层和所述基底正面的发射极。
【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件,其特征在于,包括:基底,所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区;位于所述基底正面的第一介质层以及位于所述第一介质层表面的栅极,所述栅极和所述本体层之间的第一介质层的厚度范围为1nm~100nm;位于所述栅极表面的第二介质层以及位于所述第二介质层和所述基底正面的发射极。2.根据权利要求1所述的IGBT器件,其特征在于,所述栅极与所述本体层重叠区域的长度范围为5nm~95nm。3.根据权利要求2所述的IGBT器件,其特征在于,所述IGBT器件还包括:位于所述阱区内的掺杂区,所述掺杂区的横向宽度小于所述阱区的横向宽度,所述掺杂区的深度大于所述阱区的深度,且所述掺杂区的掺杂浓度大于所述阱区的掺杂浓度。4.根据权利要求2或3所述的IGBT器件,其特征在于,所述IGBT器件还包括...
【专利技术属性】
技术研发人员:滕渊,朱阳军,卢烁今,田晓丽,
申请(专利权)人:上海联星电子有限公司,江苏中科君芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。