IGBT器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件采用复合型栅极结构，所述复合型栅极结构包括形成于半导体衬底正面上的平面栅以及形成于半导体衬底正面内的沟槽栅，所述沟槽栅可以增加IGBT器件栅极的有效长度，因此可以在减少平面栅的长度，在缩小元胞尺寸的情况下还可以达到实现电子注入增强效应的目的。此外，本发明专利技术的IGBT器件在P阱区域增加辅助沟槽栅，使得空穴能够在辅助沟槽栅的底部和侧壁堆积，增强P阱区域下方电子注入增强效应。同时，由于此辅助沟槽栅与发射极金属电极电连接，可以有效的提高IGBT器件的发射极与集电极之间电容，提高器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体器件领域，特别涉及一种IGBT器件及其制作方法。
技术介绍
绝缘棚.双极型晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor，简称IGBT)是由双极型三极管(Bipolar Junct1n Transistor，简称BJT)和绝缘栅型场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称M0SFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有M0SFET器件的高输入阻抗和BJT器件的低导通压降两方面的优点。由于IGBT具有驱动功率小而饱和压降低等优点，因此作为一种新型的电力电子器件被广泛应用到各个领域，例如，在开关电源、整流器、逆变器、UPS等领域IGBT均有着广泛的应用。集电极-发射极间的饱和电压Vce(sat)和关断损耗Eoff是IGBT器件的重要技术参数，前者用以表征IGBT在开启过程中的损耗，后者用以表征器件关断时的功耗。IGBT的电导调制效应导致高阻N型漂移区存在大量载流子，可降低器件导通时压降Vce(sat)。但器件关断时会导致拖尾电流过长，导致关断损耗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT器件，包括：N型半导体衬底；形成于所述半导体衬底背面的P型集电区；形成于所述半导体衬底正面内的P阱；形成于所述P阱内的N型发射区；形成于所述半导体衬底正面的复合型栅极结构；其特征在于，所述复合型栅极结构包括形成于所述半导体衬底正面上的平面栅以及形成于所述半导体衬底正面内的沟槽栅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩健，顾悦吉，黄示，陈琛，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33