【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于静电防护的半导体结构，特别是涉及一种可节省集成电路空间并改善静电防护能力的半导体结构。
技术介绍
静电防护长久以来都是电子产业与半导体产业重要的课题之一。静电放电常会造成电子产品损坏。随着半导体工艺的进步，集成电路及其元件的尺寸越来越小，相对地集成电路也越容易受到静电的破坏。为了防止集成电路受到静电的破坏，现有技术的集成电路包含静电防护电路，用以当接收到静电时将静电迅速导引至接地端。然而，在现有技术的集成电路中，静电防护电路会占据集成电路一定的空间，进而增加集成电路设计上的困难，再者，为了节省空间，静电防护电路会设置在集成电路中的特定位置上，而集成电路离静电防护电路较远的元件将无法有效地受到静电防护电路的保护。
技术实现思路
本专利技术提供一种可节省集成电路空间并改善静电防护能力的半导体结构，以解决上述问题。本专利技术用于静电防护的半导体结构设置于集成电路上，该集成电路包含设置于该集成电路的外围的封环(seal ring)，金属环设置于该封环的内侧，以及电源汇流排设置于该金属环的一侧，该半导体结构包含第一 N型电极区，第二 N型电极...
【技术保护点】
一种用于静电防护的半导体结构，其特征在于，该半导体结构设置于集成电路上，该集成电路包含设置于该集成电路的外围的封环(seal ring)，金属环设置于该封环的内侧，以及电源汇流排设置于该金属环的一侧，该半导体结构包含：第一N型电极区，形成于P型井上相对应于该封环的位置，且耦接至该封环；第二N型电极区，形成于该P型井上相对应于该电源汇流排的位置，且耦接至该电源汇流排；第一P型电极区，形成于该P型井上相对应于该金属环的位置，且耦接至该金属环；其中该封环及该电源汇流排耦接至电压源，该金属环耦接至接地端。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柯钧钟，吴志伦，林硕彦，
申请(专利权)人：台湾类比科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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