【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特别是指一种阵列基板及其制作方法、检测方法、显示 目.ο
技术介绍
现有的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板为减少X_Line(横线不良)，扇出区的数据线引线往往采用栅金属层来制作，然后通过过孔利用透明导电层将数据线引线与数据线连接起来。在阵列基板的制作工艺中，经常存在DDS(Data Data Short，数据线短路不良)，现有技术首先是通过ESS(Environment Stress Screen,环境应力筛选)测试数据线引线或数据线之间是否存在短路不良，然后再由定位单元确定短路不良发生的位置坐标信息。如图1所示，在扇出区设置有第一信号加载线1和第二信号加载线2，其中第一信号加载线1用于向奇数行数据线引线加载测试信号，第二信号加载线2用于向偶数行数据线引线加载测试信号，在检测是否发生短路不良时，分别向第一信号加载线1和第二信号加载线2加载测试信号。但是，如图1所示，由于透明导电层残留或者栅金属层残留导致第2k-l根数据线引线3和第2k根数据线引线4在位置5处发生短路，在进行测试向第一...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括多条数据线和形成在非显示区域的与所述数据线对应连接的多条信号加载线，其特征在于，所述信号加载线与对应数据线的连接处设置有单向导通器件，以使外部测试信号经所述单向导通器件传递至对应的数据线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张世举，任兴凤，刘国全，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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