本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、检测方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，阵列基板，包括多条数据线和形成在非显示区域的与所述数据线对应连接的多条信号加载线，所述信号加载线与对应数据线的连接处设置有单向导通器件，以使外部测试信号经所述单向导通器件传递至对应的数据线。本发明专利技术的技术方案在不改变现有阵列基板测试信号加载方式的前提下，能够确定出短路不良发生的位置坐标信息，进而提高阵列基板的良品率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特别是指一种阵列基板及其制作方法、检测方法、显示 目.ο
技术介绍
现有的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板为减少X_Line(横线不良)，扇出区的数据线引线往往采用栅金属层来制作，然后通过过孔利用透明导电层将数据线引线与数据线连接起来。在阵列基板的制作工艺中，经常存在DDS(Data Data Short，数据线短路不良)，现有技术首先是通过ESS(Environment Stress Screen,环境应力筛选)测试数据线引线或数据线之间是否存在短路不良，然后再由定位单元确定短路不良发生的位置坐标信息。如图1所示，在扇出区设置有第一信号加载线1和第二信号加载线2，其中第一信号加载线1用于向奇数行数据线引线加载测试信号，第二信号加载线2用于向偶数行数据线引线加载测试信号，在检测是否发生短路不良时，分别向第一信号加载线1和第二信号加载线2加载测试信号。但是，如图1所示，由于透明导电层残留或者栅金属层残留导致第2k-l根数据线引线3和第2k根数据线引线4在位置5处发生短路，在进行测试向第一信号加载线1加载测试信号时，测试信号传递至第2k-l根数据线引线3后，经由短路处传递至第2k根数据线引线4、再传递至第二信号加载线2，进而由第二信号加载线2传递至所有的偶数行数据线引线，最终导致所有的数据线引线和数据线都存在测试信号，使得定位单元无法确定短路不良发生的位置坐标信息，进而无法对阵列基板进行维修，导致阵列基板的良品率下降。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、检测方法、显示装置，在不改变现有阵列基板测试信号加载方式的前提下，能够确定出短路不良发生的位置坐标?目息，进而提尚阵列基板的良品率。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下:—方面，提供一种阵列基板，包括多条数据线和形成在非显示区域的与所述数据线对应连接的多条信号加载线，所述信号加载线与对应数据线的连接处设置有单向导通器件，以使外部测试信号经所述单向导通器件传递至对应的数据线。进一步地，所述信号加载线包括:与奇数行数据线连接的第一信号加载线以及与偶数行数据线连接的第二信号加载线;或与奇数列数据线连接的第一信号加载线以及与偶数列数据线连接的第二信号加载线。进一步地，所述单向导通器件为栅极和源极连接的单向导通薄膜晶体管，所述单向导通薄膜晶体管的源极或栅极与所述信号加载线连接，所述单向导通薄膜晶体管的漏极与所述数据线连接。进一步地，所述阵列基板还包括形成在显示区域的多个开关薄膜晶体管，所述单向导通薄膜晶体管的栅极与所述开关薄膜晶体管的栅极为同层同材料设置，所述单向导通薄膜晶体管的源极和漏极与所述开关薄膜晶体管的源极和漏极为同层同材料设置，所述单向导通薄膜晶体管的有源层与所述开关薄膜晶体管的有源层为同层同材料设置。进一步地，所述单向导通薄膜晶体管的漏极通过导电连接线与所述数据线连接。进一步地，所述阵列基板还包括形成在显示区域的多个像素电极，所述导电连接线与所述像素电极为采用同材料且部分所述导电连接线与所述像素电极同层设置。进一步地，所述单向导通器件为二极管，所述二极管的阳极与所述信号加载线连接，所述二极管的阴极与所述数据线连接。进一步地，所述阵列基板还包括形成在显示区域的多个开关薄膜晶体管，所述二极管与所述开关薄膜晶体管的有源层为同层设置。本专利技术实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括在阵列基板的非显示区域形成多条数据线和与所述数据线对应连接的多条信号加载线，所述方法还包括:在所述信号加载线与对应数据线的连接处形成单向导通器件，以使外部测试信号经所述单向导通器件传递至对应的数据线。进一步地，形成所述信号加载线包括:形成与奇数行数据线连接的第一信号加载线以及与偶数行数据线连接的第二信号加载线;或形成与奇数列数据线连接的第一信号加载线以及与偶数列数据线连接的第二信号加载线。进一步地，形成所述单向导通器件包括:形成栅极和源极连接的单向导通薄膜晶体管，所述单向导通薄膜晶体管的源极或栅极与所述信号加载线连接，所述单向导通薄膜晶体管的漏极与所述数据线连接。进一步地，所述阵列基板还包括形成在显示区域的多个开关薄膜晶体管，所述方法具体包括:通过一次构图工艺同时形成所述单向导通薄膜晶体管的栅极和所述开关薄膜晶体管的栅极；通过一次构图工艺同时形成所述单向导通薄膜晶体管的有源层和所述开关薄膜晶体管的有源层；通过一次构图工艺同时形成所述单向导通薄膜晶体管的源极和漏极、所述开关薄膜晶体管的源极和漏极。进一步地，所述方法还包括:形成导电连接线，所述单向导通薄膜晶体管的漏极通过所述导电连接线与所述数据线连接。进一步地，所述阵列基板还包括形成在显示区域的多个像素电极，所述方法具体包括:通过一次构图工艺同时形成所述导电连接线和所述像素电极。进一步地，形成所述单向导通器件包括:形成二极管，所述二极管的阳极与所述信号加载线连接，所述二极管的阴极与所述数据线连接。进一步地，所述阵列基板还包括形成在显示区域的多个开关薄膜晶体管，所述方法具体包括:通过一次构图工艺同时形成所述开关薄膜晶体管的有源层和所述二极管。本专利技术实施例还提供了一种如上所述阵列基板的检测方法，包括:向多条信号加载线依次加载外部测试信号；在向其中一条信号加载线加载外部测试信号时，确定存在外部测试信号的多条数据线，并判断所述多条数据线中是否存在与所述信号加载线无电连接的数据线，若存在，则判断所述与所述信号加载线无电连接的数据线存在短路不良。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果:上述方案中，信号加载线与对应数据线引线的连接处设置有单向导通器件，外部测试信号只能从信号加载线单向传递至对应的数据线引线，这样当数据线引线发生短路不良时，数据线引线上的外部测试信号不会传递至信号加载线，除了与加载有外部测试信号的信号加载线连接的数据线引线外，只有发生短路不良的数据线引线上才有外部测试信号，这样就能够在不改变现有阵列基板测试信号加载方式的前提下，确定出短路不良发生的位置坐标信息，进而可以对阵列基板进行维修，提高阵列基板的良品率。【附图说明】图1为现有阵列基板扇出区的走线示意图；图2为本专利技术实施例阵列基板扇出区的走线示意图；图3为本专利技术实施例五单向导通薄膜晶体管的当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括多条数据线和形成在非显示区域的与所述数据线对应连接的多条信号加载线，其特征在于，所述信号加载线与对应数据线的连接处设置有单向导通器件，以使外部测试信号经所述单向导通器件传递至对应的数据线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张世举，任兴凤，刘国全，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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