一种基板及其制作方法、显示面板技术

本发明专利技术公开了一种基板及其制作方法、显示面板，用以对具有底切结构的过孔进行处理，从而避免由于底切结构的存在造成的断层现象。所述基板的制作方法，包括：在衬底基板上依次形成金属层、绝缘层的图形，所述绝缘层中包括贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔包括第一区域，所述第一区域具有底切结构；在所述绝缘层之上形成光刻胶层，使所述光刻胶层至少填平所述第一区域；去除除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶，使保留部分光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角小于或等于90°。

Substrate and manufacturing method thereof and display panel

The invention discloses a substrate and a manufacturing method thereof and a display panel for processing vias with a undercut structure, thereby avoiding faulting caused by the presence of a undercut structure. The production method includes: a substrate on the substrate are sequentially formed on the metal layer, the insulating layer pattern, the insulating layer including the insulating layer through the through hole, the through hole comprises a first region, the first region has an undercut structure; a photoresist layer is formed on the insulating layer. The photoresist layer, at least in the first region; removing the photoresist except the first region by the undercut photoresist structure covered outside the first area and the horizontal direction to retain part of the photoresist slope angle is less than or equal to 90 degrees.

【技术实现步骤摘要】
一种基板及其制作方法、显示面板
本专利技术涉及显示面板的
，尤其涉及一种基板及其制作方法、显示面板。
技术介绍
目前，在形成阵列基板时，包括在衬底基板上形成薄膜晶体管(TFT)的图形，然后在薄膜晶体管的源漏金属层上方形成钝化层，且钝化层中包括贯穿钝化层的过孔，然后在钝化层之上形成像素电极(ITO)的图形，且像素电极通过钝化层中的过孔与源漏金属层电性相连。一般地，钝化层的材质通常采用氮化硅SiNx进行制作，由于含有氮化硅的密度不同，钝化层包括三层结构，按照从下到上的顺序依次包括过渡层、主体层和顶层。其中，过渡层为了避免钝化层中的主体层与位于源漏金属层与过渡层之间的像素电极层直接相连造成的黑点不良现象，钝化层中的主体层为了作为刻蚀钝化层时的缓冲层，使刻蚀钝化层时过孔形成一定的坡度角和尺寸。一般地，过渡层的刻蚀速率大于主体层的刻蚀速率，顶层的刻蚀速率也大于主体层的刻蚀速率，因此，在采用活性等离子体对钝化层进行刻蚀时，顶层较疏松比较容易使等离子体进入，达到刻蚀的目的，但是当刻蚀到过渡层时由于刻蚀速率大于主体的刻蚀速率，使得过孔在过渡层形成底切结构，如图1所示。参见图1，阵列基板包括衬底基板01，设置在衬底基板01上的源漏金属层02，设置在源漏金属层02之上的钝化层03，钝化层按照依次远离衬底基板的方向包括：过渡层031、主体层032和顶层033，其中，钝化层中包括过孔04，过孔具有底切结构041，阵列基板还包括设置在钝化层之上的像素电极05。从图1中可见，像素电极由于底切结构的存在，在过孔处形成断层，从而导致阵列基板不能正常显示，降低TFT产品的良率。专利技术内容本专利技术提供一种基板及其制作方法、显示面板，用以对具有底切结构的过孔进行处理，从而避免由于底切结构的存在造成的断层现象。本专利技术实施例提供了一种基板的制作方法，包括：在衬底基板上依次形成金属层、绝缘层的图形，所述绝缘层中包括贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔包括第一区域，所述第一区域具有底切结构；在所述绝缘层之上形成光刻胶层，使所述光刻胶层至少填平所述第一区域；去除除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶，使保留部分光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角小于或等于90°。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述基板的制作方法中，在所述绝缘层之上形成光刻胶层之后且在去除除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶之前，该方法还包括：对所述光刻胶层进行软烘处理。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述基板的制作方法中，所述软烘处理的温度为90°-100°。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述基板的制作方法中，所述软烘处理的时间为10-30min。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述基板的制作方法中，去除除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶，包括：采用等离子体刻蚀工艺对所述除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶进行刻蚀。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述基板的制作方法中，所述保留部分光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角的大小由所述采用等离子体刻蚀的速率确定。相应地，本专利技术实施例还提供了一种基板，包括：设置在衬底基板上的金属层；设置在所述金属层之上的绝缘层，所述绝缘层中包括贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔具有第一区域，第一区域具有底切结构；设置在所述第一区域被所述底切结构遮挡的光刻胶，且具有光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角小于或等于90°。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述基板中，所述绝缘层为钝化层。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述基板中，所述基板还包括：设置在所述钝化层之上的像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述金属层电性相连。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述基板中，所述金属层为有源层，所述绝缘层为栅极绝缘层和层间介质层。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述基板中，所述基板还包括：设置在所述栅极绝缘层和层间介质层之上的源漏极，所述源漏极通过所述过孔与所述有源层电连接。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括本专利技术实施例提供的上述任一种的基板。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供了一种基板及其制作方法、显示面板，所述基板的制作方法包括：在衬底基板上依次形成金属层、绝缘层的图形，绝缘层中包括贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔包括第一区域，所述第一区域具有底切结构；在绝缘层之上形成光刻胶层，使光刻胶层至少填平第一区域；去除除了第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶，使保留部分光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角小于或等于90°。因此，本专利技术实施例提供的基板的制作方法中，通过采用光刻胶对具有底切结构的过孔进行填充处理后，再进行去除处理，使得过孔中具有光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角小于或等于90°，从而避免了后续在该过孔处形成膜层后产生的断层现象。附图说明图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种基板的制作方法的流程示意图；图3(a)-图3(d)分别为本专利技术实施例提供的基板的制作方法在每步执行后的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种基板的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的第二种基板的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的第三种基板的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种基板及其制作方法、显示面板，用以对具有底切结构的过孔进行处理，从而避免由于底切结构的存在造成的断层现象。下面结合附图，对本专利技术实施例提供的基板及其制作方法、显示面板的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。参见图2，本专利技术实施例提供了一种基板的制作方法，包括：S201、在衬底基板上依次形成金属层、绝缘层的图形，绝缘层中包括贯穿绝缘层的过孔，过孔包括第一区域，第一区域具有底切结构；S202、在绝缘层之上形成光刻胶层，使光刻胶层至少填平第一区域；S203、去除除了第一区域中被底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶，使保留部分光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角小于或等于90°。本专利技术实施例提供的一种基板的制作方法包括：在衬底基板上依次形成金属层、绝缘层的图形，绝缘层中包括贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔包括第一区域，所述第一区域具有底切结构；在绝缘层之上形成光刻胶层，使光刻胶层至少填平第一区域；去除除了第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶，使保留部分光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角小于或等于90°。因此，本专利技术实施例提供的基板的制作方法中，通过采用光刻胶对具有底切结构的过孔进行填充处理后，再进行去除处理，使得过孔中具有光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角小于或等于90°，从而避免了后续在该过孔处形成膜层后产生的断层现象。本专利技术实施例中的过孔形成在绝缘层中，绝缘层包括钝化层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板的制作方法，包括：在衬底基板上依次形成金属层、绝缘层的图形，所述绝缘层中包括贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔包括第一区域，所述第一区域具有底切结构；其特征在于，该方法还包括：在所述绝缘层之上形成光刻胶层，使所述光刻胶层至少填平所述第一区域；去除除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶，使保留部分光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角小于或等于90°。

【技术特征摘要】
1.一种基板的制作方法，包括：在衬底基板上依次形成金属层、绝缘层的图形，所述绝缘层中包括贯穿所述绝缘层的过孔，所述过孔包括第一区域，所述第一区域具有底切结构；其特征在于，该方法还包括：在所述绝缘层之上形成光刻胶层，使所述光刻胶层至少填平所述第一区域；去除除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶，使保留部分光刻胶的第一区域与水平方向的坡度角小于或等于90°。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述绝缘层之上形成光刻胶层之后且在去除除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶之前，该方法还包括：对所述光刻胶层进行软烘处理。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述软烘处理的温度为90°-100°。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述软烘处理的时间为10-30min。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶，包括：采用等离子体刻蚀工艺对所述除了所述第一区域中被所述底切结构遮挡的光刻胶之外的光刻胶进行刻蚀。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫奎，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11