薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板依次设置基板、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极、透明导电层以及钝化保护层；所述钝化保护层形成在所述透明导电层上，部分所述源极和漏极以及部分所述栅极绝缘层上；位于所述第一透明导电层上的部分所述钝化保护层上形成多个开孔，所述多个开孔的深度小于所述钝化保护层的膜厚。本实用新型专利技术还提供一种具有该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置。本实用新型专利技术提供的液晶显示装置通过在薄膜晶体管阵列基板的框胶以内的非显示区域的钝化保护层上形成多个开孔，改变非显示区域的受力，改善周边Mura，使液晶显示装置具有更佳的显示效果。

Thin film transistor array substrate and liquid crystal display device

The utility model relates to a thin film transistor array substrate, the thin film transistor array substrate arranged substrate, gate, a gate insulating layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode, a transparent conductive layer and the passivation layer; the passivation layer is formed on the transparent conductive layer, part of the source and a drain and a portion of the gate insulating layer; a plurality of holes formed part of the passivation layer is located on the first transparent conductive layer on the plurality of hole depth is less than that of the passivation layer of the film thickness. The utility model also provides a liquid crystal display device with the thin film transistor array substrate. The utility model provides a liquid crystal display device by displaying a plurality of holes formed on the passivation layer of the region within the frame glue film transistor array substrate and non change of the display area of stress, improve the surrounding Mura, the liquid crystal display device has better display effect.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置
本技术涉及显示
，且特别是涉及一种新型的薄膜晶体管阵列基板及使用该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置。
技术介绍
随着科技的不断创新发展，显示技术中的主流产品薄膜晶体管液晶显示装置(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFTLCD)也蓬勃发展，不断创新，给我们的生活带来新活力。图1为现有技术中薄膜晶体管阵列基板的局部剖面示意图；如图1所示，薄膜晶体管阵列基板100’依次设置有基板1、栅极2、栅极绝缘层3、半导体层4、源极5b和漏极5a、第一透明导电层6，钝化保护层7’以及第二透明导电层8’。在薄膜晶体管液晶显示装置生产过程中，为了让液晶分子按照一定的角度排列，需在阵列基板上涂布配向膜，在涂布配向膜时，目前采用的是摩擦配向的方式。当摩擦配向辊轮经过显示面板区域时会造成摩擦配向布(Rubbingcloth)的损伤，随着摩擦配向辊轮的转动会把这种损伤印刷到显示面板的非显示区域，造成一定的段差。这种段差在显示画面上就会呈现周边Mura，影响液晶显示装置的显示画质。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置，通过在基板上的非显示区域内的钝化保护层表面形成多个开孔，改变非显示区域面板的受力，从而降低因摩擦配向布造成的段差，进而改善液晶显示装置的周边Mura。本技术实施例提供的薄膜晶体管阵列基板，包含基板、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极、透明导电层及钝化保护层，其特征在于，所述基板包含显示区域和非显示区域；所述钝化保护层，形成在所述透明导电层上，部分所述源极和漏极以及部分所述栅极绝缘层上；所述钝化保护层位于框胶以内的非显示区域上形成多个开孔，所述多个开孔的深度小于所述钝化保护层的膜厚。进一步地，所述基板的非显示区域依次设置有基板、栅极绝缘层、透明导电层、钝化保护层。进一步地，所述多个开孔位于所述基板的显示区域和非显示区域的分界线与框胶之间。进一步地，所述多个开孔的深度小于等于0.4微米。进一步地，所述多个开孔的孔径小于等于6微米。进一步地，所述多个开孔距离所述基板的显示区域和非显示区域的分界线的最近距离大于等于1微米。进一步地，所述多个开孔距离所述框胶的最近距离大于等于1微米。进一步地，相邻两个开孔之间的距离大于等于1微米。进一步地，所述钝化保护层采用氮化硅或二氧化硅制成。本技术还提供一种液晶显示装置，包括彩色滤光基板，液晶以及具有以上特征的薄膜晶体管阵列基板。综上所述，本技术提供的薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置在胶框以内的非显示区域的钝化保护层上形成多个开孔，且开孔的深度小于钝化保护层的膜厚。这样的设计，使得非显示区域的钝化保护层的受力发生了变化，在摩擦配向时，摩擦辊轮上的摩擦配向布的损伤在接触到面板的边缘时，仅会影响非显示区域内的受力，且在边缘位置逐步消减，并不能将这种影响持续到显示面板的显示区域，从而消减了显示区域内和其边缘的段差，改善周边Mura，最终提升液晶显示装置的显示效果。为让本技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1为现有技术中薄膜晶体管阵列基板的局部剖面示意图；图2为本技术薄膜晶体管阵列基板的实施例的剖面示意图；图3为本技术薄膜晶体管阵列基板上多个开孔的分布示意图；图4为图3中A处的放大图。附图标记说明：100、薄膜晶体管阵列基板；100’、薄膜晶体管阵列基板；1、基板；2、栅极；3、栅极绝缘层；4、半导体层；5a、漏极；5b、源极；6、第一透明导电层；7、钝化保护层；7’、钝化保护层；8、第二透明导电层；8’、第二透明导电层；9、框胶靠近显示区域的边界线；10、显示区域和非显示区域的分界线；70、开孔。具体实施方式为更进一步阐述本技术为实现预定技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。本技术提供的薄膜晶体管阵列基板包含基板、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极、透明导电层及钝化保护层。图2为本技术薄膜晶体管阵列基板的实施例的剖面示意图，如图2所示，该薄膜晶体管阵列基板架构采用平面转换架构(In-PlaneSwitching，IPS)的架构的方式来呈现。薄膜晶体管阵列基板100依次包含基板1、栅极2、栅极绝缘层3、半导体层4、源极5b、漏极5a、第一透明导电层6、钝化保护层7以及第二透明导电层8。基板1包括显示区域和围绕在该显示区域周围的非显示区域。基板1可以为是玻璃基板，具有绝缘性和透光性高的特性。在该基板1的表面上形成设置彼此交叉的多条栅极扫描线(图中未示出)和多条源极数据线(图中未示出)，在二者的交叉位置设置有薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)(图中未示出)。TFT包括连接到栅极扫描线(图中未示出)的栅极2，连接到源极数据线(图中未示出)的源极5b，和连接到像素电极的漏极5a。栅极2形成于基板1上并位于基板1的显示区域上。栅极绝缘层3，形成在基板1上并覆盖栅极2。半导体层4，形成在栅极绝缘层3上并位于栅极2上方。栅极绝缘层3位于栅极2和半导体层4中间，其作用为防止栅极2和半导体层4的导通，起绝缘的作用，对于TFT的稳定性及防静电非常重要。源极5b通过源极数据线(图中未示出)与源极驱动器(图中未示出)连接；漏极5a连接于像素电极，用于控制像素的打开和闭合。如图2所示，像素电极分布在第一透明导电层中，目前像素电极一般采用金属氧化物制成，如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化镉锡、氧化铝锡、氧化铟锌锡、氧化锌、氧化镉、氧化铪、氧化铟镓锌、氧化铟镓锌镁、氧化铟锌镁或氧化铟镓铝等。源极5b和漏极5a，形成在栅极绝缘层3上，源极5b和漏极5a彼此分隔并分别与半导体层4接触，以使部分的半导体层4从源极5b和漏极5a之间漏出。第一透明导电层6，形成在栅极绝缘层3上并位于部分漏极5a上方。钝化保护层7，覆盖第一透明导电层6上，部分源极5b和漏极5a以及部分栅极绝缘层3上；第二透明导电层8，形成在钝化保护层7上并位于第一透明导电层6上方。钝化保护层7位于第一透明导电层6和第二透明导电层7之间，用于阻隔第一透明导电层6和第二透明导电层8，起绝缘的作用。部分钝化保护层7也形成于源极5b和漏极5a中间漏出的半导体层4上。该钝化保护层7一般采用氮化硅或者二氧化硅制成。第二透明导电层8为公共电极层，用于和彩色滤光基板(图中未示出)上的公共电极层共同来控制夹在薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光基板中间的液晶的旋转。第二透明导电层8的材质也一般采用金属氧化物，如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化镉锡、氧化铝锡、氧化铟锌锡、氧化锌、氧化镉、氧化铪、氧化铟镓锌、氧化铟镓锌镁、氧化铟锌镁或氧化铟镓铝等。位于第一透明导电层6上的部分钝化保护层7上形成多个开孔70，多个开孔70的深度小于钝化保护层7的膜厚，也就是说开孔并没有贯穿钝化保护层7，这样设计的好处在于不会影响钝化保护层绝缘的作用，又能起到改变摩擦配向布接触到基板非显示区域的受力。以薄膜晶体管阵列基板100的显示区域和非显示区域来区分，显示区域依次设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，包含基板、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极、透明导电层及钝化保护层，其特征在于，所述基板包含显示区域和非显示区域；所述钝化保护层，形成在所述透明导电层上，部分所述源极和漏极以及部分所述栅极绝缘层上；所述钝化保护层位于框胶以内的非显示区域上形成多个开孔，所述多个开孔的深度小于所述钝化保护层的膜厚。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包含基板、栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极、透明导电层及钝化保护层，其特征在于，所述基板包含显示区域和非显示区域；所述钝化保护层，形成在所述透明导电层上，部分所述源极和漏极以及部分所述栅极绝缘层上；所述钝化保护层位于框胶以内的非显示区域上形成多个开孔，所述多个开孔的深度小于所述钝化保护层的膜厚。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述基板的非显示区域依次设置有基板、栅极绝缘层、透明导电层、钝化保护层。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述多个开孔位于所述基板的显示区域和非显示区域的分界线与所述框胶之间。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述多个开孔的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁文龙，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32