一种静电保护电路结构制造技术

技术编号:15692963 阅读:292 留言:0更新日期:2017-06-24 07:24
本发明专利技术提供了一种静电保护电路结构,与第一工作电路、第二工作电路和直流信号源连接,所述第一工作电路与所述第二工作电路通过信号线连接,所述静电保护电路结构为电容结构,所述电容结构为单个电容或至少两个并联电容。所述电容结构的一端与所述信号线连接,另一端与所述直流信号源连接。本发明专利技术的静电保护电路结构获得的有益效果是:当所述信号线、所述第一工作电路、所述第二工作电路三者中至少一者受到静电放电时,静电电荷会被存储到所述电容结构,从而有效避免信号线由于静电击伤产生断线,同时对以上三者都能有效进行静电保护。

Electrostatic protection circuit structure

The invention provides an electrostatic protection circuit structure, connected with the first circuit, second circuit and DC signal, the first circuit and the second circuit connected through the signal line, the ESD protection circuit structure for capacitor structure, the capacitor structure for a single capacitor or at least two parallel capacitor. One end of the capacitor structure is connected with the signal wire, and the other end is connected with the direct current signal source. The beneficial effect for ESD protection circuit structure of the invention is that at least one of the signal lines, the first circuit, the second circuit three by electrostatic discharge, electrostatic charge will be stored in the capacitor structure, so as to avoid injury due to the electrostatic signal line is broken at the same time. The above three are effective for electrostatic protection.

【技术实现步骤摘要】
一种静电保护电路结构
本专利技术涉及半导体器件的静电保护
,特别是涉及一种静电保护电路结构。
技术介绍
随着工业技术的不断发展,有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示器已经成为国内外非常热门的新兴平板显示器产品,OLED显示器具有自发光、广视角、反应时间短、色彩饱和度高和还原能力强等优点。但是,在上述半导体器件制造过程中,静电的产生对这些器件的正常工作和寿命造成了极大的影响,从而静电保护的有关研究也日益受到人们的普遍重视。在半导体器件领域中,例如集成电路、TFT显示器和OLED显示器等存在静电损伤是很常见的不良现象,目前依然没有完全避免静电损伤的方法。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提供一种静电保护电路结构,通过电容结构在发生静电放电时将静电电荷储存于电容中,解决了对半导体器件进行静电保护的技术问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种静电保护电路结构,与第一工作电路、第二工作电路和直流信号源连接,所述第一工作电路与所述第二工作电路通过信号线连接,所述静电保护电路结构为电容结构,所述电容结构为单个电容或至少两个并联电容,所本文档来自技高网...
一种静电保护电路结构

【技术保护点】
一种静电保护电路结构,与第一工作电路、第二工作电路和直流信号源连接,所述第一工作电路与所述第二工作电路通过信号线连接,其特征在于:所述静电保护电路结构为电容结构,所述电容结构为单个电容或至少两个并联电容,所述电容结构的一端与所述信号线连接,另一端与所述直流信号源连接。

【技术特征摘要】
1.一种静电保护电路结构,与第一工作电路、第二工作电路和直流信号源连接,所述第一工作电路与所述第二工作电路通过信号线连接,其特征在于:所述静电保护电路结构为电容结构,所述电容结构为单个电容或至少两个并联电容,所述电容结构的一端与所述信号线连接,另一端与所述直流信号源连接。2.根据权利要求1所述的静电保护电路结构,其特征在于:所述电容结构中的电容包括多层绝缘薄膜层及第一、第二、第三金属薄膜层,所述第一、第二、第三金属薄膜层间隔平行设置,相邻的两层金属薄膜层由至少一层绝缘薄膜层隔开;所述第一、第三金属薄膜层的第一端通过两者之间的所述绝缘薄膜层上设置的第一通孔连接形成...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜茂华陈天佑胡君文苏君海李建华
申请(专利权)人:信利惠州智能显示有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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