静电防护电路、显示面板和装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种静电防护电路、显示面板和装置。所述静电防护电路包括开关控制单元、用于存储电荷的第一静电存储单元和用于存储电荷的第二静电存储单元；所述第一静电存储单元的第一端与驱动线连接，所述第一静电存储单元的第二端与所述开关控制单元连接；所述第二静电存储单元的第一端与所述开关控制单元连接，所述第二静电存储单元的第二端与公共电极走线连接。本实用新型专利技术所述的静电防护电路、显示面板和装置通过采用与驱动线连接的第一静电存储单元、与公共电极走线连接的第二静电存储单元，可以避免开关控制单元关断后驱动线上的漏电流流入公共电极或公共电极的漏电流流入驱动线而造成驱动线或公共电极线上的电压波动而影响显示品质。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及静电防护
，尤其涉及一种静电防护电路、显示面板和装置。
技术介绍
在半导体器件中，静电损伤(ESD：ElectroStaticDischarge)是一种常见的不良现象。静电损伤会导致绝缘介质的击穿，从而引起阈值电压的漂移或者栅电极和源电极、漏电极之间的短路。对于薄膜晶体管器件，在工作过程中，数据扫描线或栅极扫描线的静电荷积累到一定的程度，分离栅电极和源电极、漏电极的绝缘介质薄膜就有可能发生击穿，从而导致源电极和栅电极的短路(DGS),即使绝缘层没有发生击穿，积累静电会引起栅电极和源电极之间的电压差异，导致TFT(薄膜晶体管)阈值电压的漂移而改变TFT工作特性。目前为了降低高压静电对显示面板的影响，通常采用了静电保护电路对TFT-LCD(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay,薄膜晶体管-液晶显示器)的制造过程中产生的高压静电进行释放或者保持面板内外电荷的均衡，以解决现有技术中存在的容易导致在TFT关断后，数据扫描线/栅极扫描线和公共电极/配线上产生过多的漏电流而造成电压波动，进而形成不良，影响显示品质。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种静电防护电路、显示面板和装置，解决现有技术中当驱动线上的电压公共电极电压走线上的电压发生突变时，会产生较大的漏电流从而对驱动线上的电压或公用电极电压上的电压产生影响，进而造成显示不良，影响显示品质的问题。为了达到上述目的，本技术提供了一种静电防护电路，包括开关控制单元、用于存储电荷的第一静电存储单元和用于存储电荷的第二静电存储单元；所述第一静电存储单元的第一端与驱动线连接，所述第一静电存储单元的第二端与所述开关控制单元连接；所述第二静电存储单元的第一端与所述开关控制单元连接，所述第二静电存储单元的第二端与公共电极走线连接；所述开关控制单元用于当所述驱动线上的电压在预定时间内的电压变化值大于第一预定电压变化值时控制所述第一静电存储单元的第二端与所述公共电极走线连接，当所述公共电极走线上的电压在预定时间内的电压变化值大于第二预定电压变化值时，控制所述第二静电存储单元的第一端与所述驱动线连接。实施时，所述驱动线包括数据扫描线和/或栅极扫描线；所述公共电极走线包括公共电极线和/或公共电极配线。实施时，所述第一静电存储单元包括第一电容，所述第二静电存储单元包括第二电容。实施时，所述开关控制单元包括：第一开关晶体管，第一端与驱动线连接，第二端与所述第一静电存储单元的第二端连接，第三端与第一节点连接；第二开关晶体管，第一端与所述第一节点连接，第二端与所述驱动线连接，第三端与所述第二静电存储单元的第一端连接；第三开关晶体管，第一端与所述公共电极走线连接，第二端与所述第一节点连接，第三端与所述公共电极走线连接；以及，第四开关晶体管，第一端与所述第二静电存储单元的第一端连接，第二端与所述第一节点连接，第三端与所述公共电极走线连接。实施时，所述开关控制单元包括：第一开关晶体管，第一端与驱动线连接，第二端与所述驱动线连接，第三端与第一节点连接；第二开关晶体管，第一端与所述第一节点连接，第二端与所述第一静电存储单元的第二端连接，第三端与所述第一静电存储单元的第一端连接；第三开关晶体管，第一端与所述公共电极走线连接，第二端与所述第一节点连接，第三端与所述公共电极走线连接；以及，第四开关晶体管，第一端与所述第二静电存储单元的第一端连接，第二端与所述第一节点连接，第三端与所述第二静电存储单元的第一端连接。实施时，所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管、所述第三开关晶体管和所述第四开关晶体管都为n型晶体管，或者，所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管、所述第三开关晶体管和所述第四开关晶体管都为p型晶体管。本技术还提供了一种显示面板，包括上述的静电防护电路。本技术还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。与现有技术相比，本技术所述的静电防护电路、显示面板和装置通过采用与驱动线连接的第一静电存储单元、与公共电极走线连接的第二静电存储单元，可以避免开关控制单元关断后驱动线上的漏电流流入公共电极或公共电极的漏电流流入驱动线而造成驱动线或公共电极线上的电压波动而影响显示品质。附图说明图1是本技术实施例所述的静电防护电路的结构图；图2是本技术所述的静电防护电路的第一具体实施例的结构图；图3是本技术所述的静电防护电路的第二具体实施例的结构图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，本技术实施例所述的静电防护电路包括开关控制单元11、用于存储电荷的第一静电存储单元12和用于存储电荷的第二静电存储单元13；所述第一静电存储单元12的第一端与驱动线DL连接，所述第一静电存储单元12的第二端与所述开关控制单元11连接；所述第二静电存储单元13的第一端与所述开关控制单元11连接，所述第二静电存储单元13的第二端与公共电极走线VCOML连接；所述开关控制单元11用于当所述驱动线DL上的电压在预定时间内的电压变化值大于第一预定电压变化值时控制所述第一静电存储单元12的第二端与所述公共电极走线VCOML连接，当所述公共电极走线VCOML上的电压在预定时间内的电压变化值大于第二预定电压变化值时，控制所述第二静电存储单元13的第一端与所述驱动线DL连接。本技术实施例所述的静电防护电路通过采用与驱动线连接的第一静电存储单元、与公共电极走线连接的第二静电存储单元，可以避免开关控制单元关断后驱动线上的漏电流流入公共电极或公共电极的漏电流流入驱动线而造成驱动线或公共电极线上的电压波动而影响显示品质。在以上的实施例中，当所述驱动线上的电压在预定时间内的电压变化值大于第一预定变化值时，指的也即所述驱动线上的电压发生突变时；当当所述公共电极走线上的电压在预定时间内的电压变化值大于第一预定变化值时，指的也即所述公共电极走线上的电压发生突变时。具体的，所述驱动线可以包括数据扫描线和/或栅极扫描线；所述公共电极走线可以包括公共电极线和/或公共电极配线。在具体实施时，所述第一静电存储单元可以包括第一电容，所述第二静电存储单元可以包括第二电容。具体的，所述开关控制单元可以包括：第一开关晶体管，第一端与驱动线连接，第二端与所述第一静电存储单元的第二端连接，第三端与第一节点连接；第二开关晶体管，第一端与所述第一节点连接，第二端与所述驱动线连接，第三端与所述第二静电存储单元的第一端连接；第三开关晶体管，第一端与所述公共电极走线连接，第二端与所述第一节点连接，第三端与所述公共电极走线连接；以及，第四开关晶体管，第一端与所述第二静电存储单元的第一端连接，第二端与所述第一节点连接，第三端与所述公共电极走线连接。具体的，所述开关控制单元可以包括：第一开关晶体管，第一端与驱动线连接，第二端与所述驱动线连接，第三端与第一节点连接；第二开关晶体管，第一端与所述第一节点连接，第二端与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电防护电路，其特征在于，包括开关控制单元、用于存储电荷的第一静电存储单元和用于存储电荷的第二静电存储单元；所述第一静电存储单元的第一端与驱动线连接，所述第一静电存储单元的第二端与所述开关控制单元连接；所述第二静电存储单元的第一端与所述开关控制单元连接，所述第二静电存储单元的第二端与公共电极走线连接；所述开关控制单元用于当所述驱动线上的电压在预定时间内的电压变化值大于第一预定电压变化值时控制所述第一静电存储单元的第二端与所述公共电极走线连接，当所述公共电极走线上的电压在预定时间内的电压变化值大于第二预定电压变化值时，控制所述第二静电存储单元的第一端与所述驱动线连接。

【技术特征摘要】
1.一种静电防护电路，其特征在于，包括开关控制单元、用于存储电荷的第一静电存储单元和用于存储电荷的第二静电存储单元；所述第一静电存储单元的第一端与驱动线连接，所述第一静电存储单元的第二端与所述开关控制单元连接；所述第二静电存储单元的第一端与所述开关控制单元连接，所述第二静电存储单元的第二端与公共电极走线连接；所述开关控制单元用于当所述驱动线上的电压在预定时间内的电压变化值大于第一预定电压变化值时控制所述第一静电存储单元的第二端与所述公共电极走线连接，当所述公共电极走线上的电压在预定时间内的电压变化值大于第二预定电压变化值时，控制所述第二静电存储单元的第一端与所述驱动线连接。2.如权利要求1所述的静电防护电路，其特征在于，所述驱动线包括数据扫描线和/或栅极扫描线；所述公共电极走线包括公共电极线和/或公共电极配线。3.如权利要求2所述的静电防护电路，其特征在于，所述第一静电存储单元包括第一电容，所述第二静电存储单元包括第二电容。4.如权利要求2所述的静电防护电路，其特征在于，所述开关控制单元包括：第一开关晶体管，第一端与驱动线连接，第二端与所述第一静电存储单元的第二端连接，第三端与第一节点连接；第二开关晶体管，第一端与所述第一节点连接，第二端与所述驱动线连接，第三端与所述第二静电存储单元的第一端连接；第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝学光，乔勇，程鸿飞，吴新银，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11