保护环结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供了电路器件。电路器件包括核心电路。该电路器件还包括具有第一掺杂剂类型的第一组保护环，第一组保护环围绕在核心电路的外围，第一组保护环包括第一保护环和第二保护环。该电路器件还包括具有第二掺杂剂类型的第二组保护环，第二掺杂剂类型与第一掺杂剂类型相反，其中，第二组保护环的至少一个保护环围绕在第一组保护环的至少一个保护环的外围，并且第二组保护环包括第三保护环和第四保护环。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路器件，更具体地，涉及保护环结构及其形成方法。
技术介绍
保护环用作集成电路内的器件之间的隔离区。保护环围绕电路器件的周边以减小邻近的器件之间的干扰。在一些方法中，与鳍式场效应晶体管(FinFET)电路器件相关的保护环也包括鳍结构。保护环也有助于在静电放电(ESD)事件期间使电路器件中的能量耗散。当较大电流从一个元件传输至另一元件时发生ESD事件。保护环用于帮助引导该较大电流以降低损坏电路器件的风险。保护环影响电路器件内的保持电压。保持电压与保护环在ESD事件期间使能量耗散的能力相关。在一些方法中，增大邻近的保护环之间的间隔以增大电路器件的保持电压。
技术实现思路
为了现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种电路器件，包括：核心电路；第一组保护环，具有第一掺杂剂类型，所述第一组保护环围绕在所述核心电路的外围，所述第一组保护环包括第一保护环和第二保护环；以及第二组保护环，具有第二掺杂剂类型，所述第二掺杂剂类型与所述第一掺杂剂类型相反，其中，所述第二组保护环的至少一个保护环围绕在所述第一组保护环的至少一个保护环的外围，并且所述第二组保护环包括第三保护环和第四保护环。在上述电路器件中，其中，所述第三保护环位于所述第一保护环和所述第二保护环之间。在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构。在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构在第一方向上彼此间隔第一距离。在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构在第一方向上彼此间隔第一距离；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构在第二方向上彼此间隔第二距离，所述第二距离小于所述第一距离，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构在第一方向上彼此间隔第一距离；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构在第二方向上彼此接触，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构通过连接线彼此连接。在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的邻近的鳍结构通过连接线彼此连接；其中，所述连接线连接至基准电压。在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的鳍结构相对于所述第二保护环中的鳍结构偏移。在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的鳍结构相对于所述第二保护环中的鳍结构偏移；其中，所述第一保护环中的鳍结构的部分在垂直于所述第一保护环中的邻近的鳍结构之间的间距的方向上与所述第二保护环中的鳍结构的部分重叠。在上述电路器件中，其中，所述电路器件还包括位于所述第一保护环和所述第二保护环中的鳍结构；其中，所述第一保护环中的鳍结构相对于所述第二保护环中的鳍结构偏移；其中，所述第一保护环中的鳍结构的部分在垂直于所述第一保护环中的邻近的鳍结构之间的间距的方向上与所述第二保护环中的鳍结构的部分重叠；其中，与所述第二保护环中的鳍结构与所述第一保护环中的鳍结构的重叠部分在从30％至70％的范围内。根据本专利技术的另一方面，提供了一种保护环结构，包括：第一保护环，具有第一掺杂剂类型；第二保护环，具有所述第一掺杂剂类型，所述第二保护环围绕在所述第一保护环的外围并且与所述第一保护环接触；第三保护环，具有第二掺杂剂类型，所述第二掺杂剂类型与所述第一掺杂剂类型相反，其中，所述第三保护环围绕在所述第二保护环的外围并且与所述第二保护环接触；以及第四保护环，具有所述第二掺杂剂类型，所述第四保护环围绕在所述第三保护环的外围并且与所述第三保护环接触。在上述保护环结构中，其中，所述保护环结构还包括所述第二保护环中的鳍结构和所述第三保护环中的鳍结构。在上述保护环结构中，其中，所述保护环结构还包括所述第二保护环中的鳍结构和所述第三保护环中的鳍结构；其中，所述第二保护环中的第一鳍结构在第一方向上与所述第三保护环中的第一鳍结构对准。在上述保护环结构中，其中，所述保护环结构还包括所述第二保护环中的鳍结构和所述第三保护环中的鳍结构；其中，所述第二保护环中的第一鳍结构在第一方向上与所述第三保护环中的第一鳍结构对准；其中，所述第二保护环中的第二鳍结构在第二方向上相对于所述第三保护环中的第二鳍结构偏移，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。在上述保护环结构中，其中，所述保护环结构还包括所述第二保护环中的鳍结构和所述第三保护环中的鳍结构；其中，所述第二保护环中的第一鳍结构在第一方向上与所述第三保护环中的第一鳍结构对准；其中，所述第二保护环中的邻近的鳍结构在所述第一方向上彼此接触。在上述保护环结构中，其中，所述保护环结构还包括所述第二保护环中的鳍结构和所述第三保护环中的鳍结构；其中，所述第二保护环中的邻近的鳍结构在第一方向上彼此间隔第一距离，并且所述第三保护环中的邻近的鳍结构在所述第一方向上彼此间隔第二距离，所述第二距离不同于所述第一距离。根据本专利技术的又一方面，提供了一种制造电路器件的方法，所述方法包括：形成核心电路；围绕所述核心电路的外围形成第一组保护环，其中，所述第一组保护环具有第一掺杂剂类型；以及形成具有第二掺杂剂类型的第二组保护环，所述第二掺杂剂类型与所述第一掺杂剂类型相反，其中，所述第二组保护环的至少一个保护环围绕在所述第一组保护环的至少一个保护环的外围。在上述方法中，其中，所述方法还包括在所述第一组保护环或所述第二组保护环中形成鳍结构。在上述方法中，其中，所述方法还包括将所述第一组保护环或所述第二组保护环连接至基准电压。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1是根据一些实施例的包括保护环的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路器件，包括：核心电路；第一组保护环，具有第一掺杂剂类型，所述第一组保护环围绕在所述核心电路的外围，所述第一组保护环包括第一保护环和第二保护环；以及第二组保护环，具有第二掺杂剂类型，所述第二掺杂剂类型与所述第一掺杂剂类型相反，其中，所述第二组保护环的至少一个保护环围绕在所述第一组保护环的至少一个保护环的外围，并且所述第二组保护环包括第三保护环和第四保护环。

【技术特征摘要】
2014.08.20 US 14/464,2981.一种电路器件，包括：
核心电路；
第一组保护环，具有第一掺杂剂类型，所述第一组保护环围绕在所述
核心电路的外围，所述第一组保护环包括第一保护环和第二保护环；以及
第二组保护环，具有第二掺杂剂类型，所述第二掺杂剂类型与所述第
一掺杂剂类型相反，其中，所述第二组保护环的至少一个保护环围绕在所
述第一组保护环的至少一个保护环的外围，并且所述第二组保护环包括第
三保护环和第四保护环。
2.根据权利要求1所述的电路器件，其中，所述第三保护环位于所述
第一保护环和所述第二保护环之间。
3.根据权利要求1所述的电路器件，还包括位于所述第一保护环和所
述第二保护环中的鳍结构。
4.根据权利要求3所述的电路器件，其中，所述第一保护环中的邻近
的鳍结构在第一方向上彼此间隔第一距离。
5.根据权利要求4所述的电路器件，其中，所述第一保护环中的邻近
的鳍结构在第二方向上彼此间隔第二距离，所述第二距离小于所述第一距
离，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
6.根据权利要求4所述的电路器件，其中，所述第一保护环中的邻近
的鳍结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宛彦，林文杰，苏郁迪，陈柏廷，曾仁洲，陈国基，张胜杰，梁铭彰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71