具有可控硅结构的高压半导体器件制造技术

一种具有可控硅结构的高压半导体器件，包含：一衬底；一第一型阱，设置于衬底上；一漏极，设置于衬底上并通过一漂移区而将漏极与第一型阱相间隔，其中漏极内设置有多个第一型区块、一第二型区块及一隔离区块，第一型区块与第二型源极形成一可控硅结构，第一型区块通过隔离区块而与第二型区块相间隔，由此提高二次崩溃电流以及保持电压，而具有良好的抗静电放电能力及抗闩锁能力。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高压半导体器件，特别是涉及一种高抗静电放电能力的高压半导体器件。
技术介绍
一般常见的高压半导体器件，如：DDDMOS(DoubleDiffusionDrainMOSFET)、DEMOS(DrainExtendedMOSFET)、LDMOS(LateralDiffusionMOSFET)……等，在稳定状态下可以承受一定程度的高电压、大电流，但对于静电放电(ElectrostaticDischarge，ESD)的防护能力通常不佳。静电放电会在极短时间内产生非常高的电压及电流，容易破坏上述的高压半导体器件而使其失效或故障。因此，有必要提供一种高抗静电放电能力且具高抗闩锁能力的高压半导体器件。
技术实现思路
本技术的目的即是提供一种具有可控硅结构的高压半导体器件，具有良好的抗静电放电能力且具高抗闩锁能力。本技术为解决现有技术的问题所采用的技术手段为提供一种具有可控硅结构的高压半导体器件，包含：一衬底；一第一型阱，设置于所述衬底上，所述第一型阱容置一第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有可控硅结构的高压半导体器件，包含：一衬底；一第一型阱，设置于所述衬底上，所述第一型阱容置一第二型源极；一栅极，设置为部分覆盖于所述第一型阱；以及一漏极，设置于所述衬底上并通过一漂移区而将所述漏极与所述第一型阱相间隔，所述漏极具有一第一配置或是一第二配置，其中所述第一配置为：所述漏极内设置有多个第一型区块、一第二型区块及一隔离区块，所述多个第一型区块于水平方向设置于所述第二型区块与所述第二型源极之间，且所述多个第一型区块位于所述第二型区块的两侧，所述第二配置为：所述漏极内设置有多个第一型区块、两个第二型区块及一隔离区块，所述两个第二型区块于水平方向设置于所述多个第一型区块与所述第二型源极...

【技术特征摘要】
2015.09.24 TW 1042154101.一种具有可控硅结构的高压半导体器件，包含：
一衬底；
一第一型阱，设置于所述衬底上，所述第一型阱容置一第二型源极；
一栅极，设置为部分覆盖于所述第一型阱；以及
一漏极，设置于所述衬底上并通过一漂移区而将所述漏极与所述第一型
阱相间隔，所述漏极具有一第一配置或是一第二配置，
其中所述第一配置为：
所述漏极内设置有多个第一型区块、一第二型区块及一隔离区块，所述
多个第一型区块于水平方向设置于所述第二型区块与所述第二型源极之间，
且所述多个第一型区块位于所述第二型区块的两侧，
所述第二配置为：
所述漏极内设置有多个第一型区块、两个第二型区块及一隔离区块，所
述两个第二型区块于水平方向设置于所述多个第一型区块与所述第二型源极
之间，且所述多个第一型区块位于所述两个第二型区块之间，
所述第一型区块与所述第二型源极形成一可控硅结构，所述第一型区块
通过所述隔离区块而与所述第二型区块相间隔。
2.如权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于，所述第二型源
极包括多个源极第二型区块。
3.如权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于，所述第一型...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈胜利，
申请(专利权)人：陈胜利，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71